일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 플라즈마 평판 디스플레이 구동 회로에 사용되는 단위 소자의 수를 줄임으로써 구동 회로의 크기를 줄이고 공정상의 제조 비용을 절감할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는 기존의 구동 회로가 각 Scan 전극마다 필요하던 방법을 대체하여 하나의 구동 회로에 복수의 switching 소자를 연결하여 복수의 Scan 전극을 구동할 수 있는 방안을 제시하여 종래의 기술에서 하나의 Scan 전극을 구동하기 위해 필요한 고내압 단위 소자의 수보다 작은 수의 단위 소자로 구동할 수 있고, 종래의 기술보다 상대적으로 저압(～15V)을 견딜 수 있는 단위 소자를 이용함으로써 단위 소자의 크기를 줄일 수 있어 같은 크기의 IC내에 더욱 많은 구동 회로를 집적할 수 있고 그에 따라 제조 비용도 낮출 수 있는 방법이다. 따라서 본 기술의 핵심 기술은 하나의 구동 회로에 복수의 switching 소자를 연결하여 복수의 Scan 전극을 구동한다는 것이고, 또한 모든 Scan 전극이 동시에 구동되는 순간인 reset과 sustain 구간과 Scan 전극이 순차적으로 구동되는 addressing 구간을 구분하여 주는 controller가 있다는 것이다.- 본 기술은 벽걸이 텔레비전 및 탁상용 모니터용으로 적합한 플라즈마 표시기의 구동 회로의 고집적화와 이에 따른 제조 비용의 절감을 위해 종래의 기술에서 Scan 전극 하나당 하나씩의 구동 회로가 필요하였던 것을 개선하여 하나의 구동 회로로 복수의 Scan 전극을 구동할 수 있음- 구동 회로에 사용되는 단위 소자의 수와 크기를 줄여 구동 IC의 집적도를 높이고 제조 비용을 절감할 수 있어 PDP 모듈의 제조 비용을 줄임으로써 PDP의 상용화를 앞당길 수 있음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 평판 디스플레이 소자 중에 하나인 플라즈마 디스플레이 패널 (plasma display panel)에 관한 것이다. 플라즈마를 이용한 디스플레이는 플라즈마 디스플레이 패널과 플라즈마 어드레싱 액정(plasma addressing liquid crystal)소자가 있다. 플라즈마 디스플레이 패널도 구동 방식에 따라 직류 구동과 교류 구동방식이 있다. 또 교류 구동방식은 또 면방전 방식과 배향 방전 방식으로 구분된다. 대개 두 개의 유리로 구성된 이 소자는 두 유리판 사이에 일정한 규모의 미소 공간을 만들고 이 공간에 방전에 필요한 가스를 채운다. 방전을 위해 두 개 이상의 전극이 배치된다. 화소와 부화소 사이에는 광학적 간섭을 줄이기 위해 격벽이라 명칭하는 벽이 제조되어 있다. 본 기술은 플라즈마 디스플레이 패널의 앞 유리에 자성체 를 도포하는 방법은 증착, 스크린 인쇄 그리고 도금 등의 방법이 있으나, 제품의 성격에 따라 방법을 선택할 수 있다. 비록 정밀도는 떨어지지만 제조 단가측면에서 가장 유리한 방법은 스크린 인쇄 방법이다. 앞 유리에 배치된 배치된 자성체는 블랙 매트릭스의 기능을 할 수도 있으므로 자성체의 색은 검정색을 이용하면 유리하다. 즉 이 물질은 자성체 기능과 블랙 매트릭스 기능을 겸할 수 있다. 본 기술은 플라즈마 디스플레이 패널의 뒷 유리에 자성체는 플라즈마의 발생 전압 및 전력을 낮게 해 주며, 또한 발생된 하전 입자가 격벽에서 소멸되는 것을 막아주는 역할을 하므로 고휘도의 소자를 얻을 수 있다. 자성체를 이용하여 플라즈마를 일정한 공간에 제한시킬수 있기 때문이다. 자장을 플라즈마 방전에 이용하면 플라즈마 밀도를 높일 수 있어 전력 효율을 높일 수 있고, 고휘도의 소자를 만들 수 있다.- 본 기술은 벽걸이 텔레비전 및 탁상용 모니터용으로 적합한 플라즈마 디스플레이 패널의 특성을 개선하기 위해 자성체를 집적화 것이 특징임- 집적화된 자성체는 자장의 분포에 따라 높은 휘도, 고효율의 소자가 가능해져 플라즈마 디스플레이 패널의 시장를 확보하는데 액정이나 전계 방출 디스플레이 기술보다 유리함- 자성체를 플라즈마 디스플레이 패널에 배치하는 방법은 앞 유리, 뒷 유리, 앞 뒷 유리, 그리고 격벽 등이 가능함
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 경박단소하며 제조가격이 매우 낮은 박막트랜지스터형 지문인식 센서를 휴대용 기기에 접목시켜서 타인 사용이 원천적으로 불가능하며, 사용이 간편하여 향후 유/무선결제에 의한 상거래 시장규모를 보다 확대시킬 수 있는 기술임.개발 완료시에 사업성은 양호한 것으로 판단됨. 기술개발시 시장성이 우수한 과제임. 센서칩제조 및 드라이버설계제조가 핵심 내용임.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2004-03-18
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 반도체소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법에 관한 것으로서, 반도체 소자에 500 keV 이하의 에너지를 갖는 전자를 1×1016 ~ 1×1020 e/cm2 의 조사량으로 조사하는 단계; 및 상기 전자가 조사된 반도체 소자를 수소 또는 질소의 분위기에서 300 ~ 700 ℃의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하여, 상기 반도체 소자의 광학적 특성을 간접형에서 직접형으로 변환시키고, 소수캐리어 재결합특성을 빠르게 하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 반도체 소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법을 태양전지, 전력반도체소자, 발광소자와 수광소자에 적용시켜 광흡수특성을 변화시킴으로써 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 발광 및 수광소자의 발광 및 수광 특성을 향상시킬 수 있다.반도체소자에 500 keV 이하의 에너지를 갖는 전자를 1×1016 ~ 1×1020 e/cm2 의 조사량으로 조사하는 단계; 및 상기 전자가 조사된 반도체소자를 수소 또는 질소분위기에서 300 ~ 700 ℃의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합특성 변환방법. 이와 같은 반도체 소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법을 태양전지, 전력반도체소자, 발광소자와 수광소자에 적용시켜 광흡수특성을 변화시킴으로써 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 발광 및 수광소자의 발광 및 수광 특성을 향상시킬 수 있다.
- 보유기관
- 아주대학교
- 등록일
- 2004-05-24
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 펜타센을 활성층으로 사용하는 유기 박막 트랜지스터를 제작함에 있어 OTFT의 성능 향상을 위한 소자의 구조와 제조 공정을 개선함으로서, 소자의 구조는 게이트 절연막과 유기 활성층 사이에 자기조립체를 삽입하여 유기 활성층의 분자들이 보다 밀집하여 적층되도록 함으로써 유기 활성층의 캐리어 이동도를 향상시켰다. 또한 제조 공정의 개선으로는 유기물 증착공정을 개선하여 전계 이동도를 향상시켰고, 게이트 절연막으로 유전율이 큰 재료를 사용하여 문턱전압을 감소시켰으며, 유기물은 solvent현상액에 용해되기 때문에 광리소그라피 공정이 불가능하였으나 물을 현상액으로 사용하는 새로운 광리소그라피 공정으로 가능하도록 하였다.본 기술은 유기 박막을 진공 증착한 후 고온 가압 장치 속에서 압력을 가하기 때문에 분자의 밀집도가 향상되어 전계 이동도가 개선 되었다. 그리고 유기 박막을 진공 증착하기 전에 게이트 절연층 표면에 자기조립체를 삽입하여 유기 박막의 분자의 밀집도를 향상시킬 수 있었으며 소스 및 드레인 전극과 유기 박막 사이에 유기 완충층을 삽입하여 접촉 저항을 감소시켰다.
- 등록일
- 2004-09-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술에 따른 메모리 소자는 복수개의 비정질 실리콘 양자점이 분포되어 이루어지는 충전막을 포함한다. 여기서, 충전막은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 그리고, 비정질 실리콘 양자점은 1.0 x 1019 ~ 1.0 x 1021 개/cm3 의 밀도로 분포되며, 그 각각이 1.0 ~ 20.0 nm의 크기를 갖는 것이 바람직하다. 충전막의 두께는 3 ~ 100nm인 것이 바람직하다. 본 기술에 따른 메모리 소자는, 일반적인 메모리 소자와 달리 충전막에 비정질 실리콘 양자점을 포함한다. 따라서, 본 기술에 따른 메모리 소자는 기억용량이 크고, 기억저장 시간이 길며, 비휘발성이고, 속도가 빠르면서도 전압의 세기만으로도 쓰기/지우기를 할 수 있다.본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는, 양자점 미세구조를 이용하여 기억용량이 크고, 기억저장 시간이 길며, 비휘발성이고, 속도가 빠르면서도 전압의 세기만으로 쓰기/지우기를 할 수 있는 메모리 소자를 제공하는 데 있다. 본 기술이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 기술적 과제를 달성하는 데 적합한 메모리 소자 제조방법을 제공하는 데 있다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 I41를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있는 방법에 관한 것이고, 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 동시에 제조할 수 있는 방법, 기판상부에 형성되는 활성층과 화합물 막간에 양호한 인터페이스가 얻어지도록 활성층 상부의 표면 거칠기를 적게 할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있음은 물론 활성층 및 화합물 막을 동시에 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 활성층과 화합물 막간에 표면 거칠기가 매우 평탄하게 되어 양호한 인터페이스를 얻으므로 제작된 소자의 전기적 특성에 대한 신뢰성을 보장하는 효과가 있다. 재질면에서 그래스, 사파이어, 무결정 실리콘 또는 다결정 실리콘중의 어느것을 기판으로 사용하는 것이 가능하며, 응용면에서 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. 또한, 불순물 이온의 주입에 따라 산화막외의 질화막 또는 타의 화합물 막을 임의로 얻을 수 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 추가의 제조공정을 수반함이 없이도 오프동작시 의 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 그리고 오프상태에서 오프셋 게이트 구조의 특성을 나타내고 온 상태에서 비오프셋 구조로서 동작가능한 폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 온동작시의 온전류의 양을 비오프셋 게이트 구조로 이루어진 트랜지스터의 온전류의 양보다 저하시킴이 없이 오프동작시의 누설전류의 양을 오프셋 게이트 구조로 이루어진 트랜지스터의 누설 전류량보다 매우 많이 줄일 수 있는 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 제공하며 턴온 동작시에는 충분한 게이트 구동능력을 가지도록 오프셋 영역이 동작적으로 소멸되며 턴오프 동작시에만 누설전류를 차단하도록 오프셋 영역이 동작적으로 형성되는 비오프셋 게이트 구조의 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 비오프셋 구조의 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정과 호환성을 가지며, 어떠한 부가적 마스크를 필요로 하지 않고서도 개선된 동작특성을 가지는 박막 트랜지스터 및 그에 따른 제조방법에 관한 기술이다. 본 기술은 아몰퍼스 실리콘을 재료로 사용하여 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 만들 수 있음은 물론, 오프상태에서 오프셋 게이티드 구조의 특성을 나타내고 온 상태에서 비오프셋 구조로서 동작하는 새로운 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 제공할 수 있게 된다. 이러한 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정은 전형적인 비오프셋 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정과 호환성이 있으며, 패턴이나 마스크의 형태만 다를 뿐 어떠한 추가적 마스크를 필요로 하지 않으므로, 제조의 비용절감 효과를 가져온다. 또한, 피엔 접합 게이트를 가지는 본 기술의 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 온전류는 종래의 온전류와 거의 동일하지만, 누설전류는 종래의 누설전류보다 두등급 낮게되는 효과가 있으므로, 온오프 전류비 특성이 개선되는 장점이 있다. 재질면에서 무결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 모두를 사용하는 것이 가능하며, 응용면에서 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 비교적 단 채널을 가지는 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. 또한, 불순물 이온의 주입에 따라 엔형 트랜지스터나 피형 트랜지스터가 선택적으로 제조될 수 있으며, 동일기판상에 엔형 및 피형 트랜지스터가 함께 형성되는 씨모스 구조에도 적용될 수 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 결정립을 형성하고자 하는 채널영역의 반도체층 하부에 열전도도가 낮은 물질로 이루어진 열차단층을 형성하여 결정화를 위한 어닐링 공정시 수직으로의 열 전달을 억제하고 수평으로 열 전달이 이루어지도록 함으로써 커다란 측면 성장 결정립을 형성하는 기술이다. 본 기술은 4㎛이상의 크고 균일한 결정립을 성장시켜 소자의 채널영역에 하나의 결정립 경계(grain boundary)를 가지게 함으로써, 높은 이동도와 낮은 누설전류 및 고온 반송자 스트레스에 대한 우수한 전기적 안정도 특성을 가진 다결정 실리콘 박막트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 이중 게이트 전극 구조를 채용하여 수직으로 형성되는 결정립 경계를 제거할 경우 하나의 게이트 구조를 갖는 실시예에 비해 보다 향상된 특성을 갖는 다결정 실리콘 박막트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 결정화를 위한 레이저 결정화 방법이 간단하여 한번의 조사를 통해 균일하고 우수한 특성의 결정립을 생성할 수 있다. 본 기술은 큰 온도 구배를 발생시켜 매우 큰 수평성장 결정립을 얻을 수 있으며 이를 이용하여 제작한 소자는 세계적 수준의 소자 특성을 보여준다. 본 기술의 레이저 결정화 방법 및 소자의 특성은 실제 패널 내에 집적되는 회로의 성능을 크게 향상시킬 수 있다는 면에서 활용가능성이 매우 크다고 본다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 주입되는 소수캐리어에 따른 전압강하에 의해 래치업이 발생하는 문제점을 해결하기 위하여, 동작전류가 공급되는 전극에 접속된 반도체기판과 IGBT가 집접되어진 에피층 사이에 버피층을 가지며, 버피층은 그 상부의 구조에 따라 주입되어질 정공들이 분산주입을 유도할 수 있도록 각각 저농도 및 고농도의 불순물농도를 갖도록 분할된 버피층으로 형성되도록 하여, 분할버피층에 의해 래치업을 유발하는 정공들의 수는 감소되고 반대로 래치업을 유발하지 않는 영역들도 주입되는 정공들의 수는 상대적으로 증가되도록 하여, 래치업이 발생되는 임계치전류가 높아지는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것이다." 본 기술은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에서 전압강하에 의한 래치업 발생을 억제하기 위한 기술이며, 본 기술을 통해 특성 개선을 획득하였다. 그리고 기존의 구조들에 비해 장점 비용이 저렴하다."
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에서 문턱전압의 변동없이 래치업전류를 높이기 위한 방법에 관한 것이다. 본 기술은 문턱전압의 변동없이 래치업전류를 높이기 위하여, 래치업에 영향을 미치는 소오스영역 하부의 몸체영역에 몸체보다 고농도의 불순물농도를 갖는 매몰영역을 고에너지의 이온주입으로 형성하여 줌으로써, 래치업이 발생되는 임계치전류가 높아진다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 기가(giga) 디램(DRAM)급 이상의 기억 소자나 빠른 동작 주파수를 갖는 회로에 응용하기 위하여 짧은 게이트 길이와 앝은 소스/드레인 접합을 형성하는 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 측벽 질화막을 이용함으로써, 현재의 리쏘그라피 공정의 한계를 극복하여 0.1㎛ 채널길이 이하의 소자를 제조할 수 있도록 하며, 채널과 소스/드레인 영역을 각각 형성하고 채널과 소스/드레인을 선택적으로 도핑(doping)할 수 있고 채널 영역을 함몰하여 상대적으로 얕은 접합의 소스와 드레인을 형성할 수 있어 접합용량을 감소시켜서 소자의 동작 속도를 증가시킨다. 채널과 소스/드레인의 도핑 모양을 옆으로 불균일하게 하여 펀치드루(punchthrough)현상을 줄일 수 있으며, 나아가 핫 캐리어(hot carrier)의 생성을 감소시켜서 신뢰도를 향상하게 하는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
반도체 소자공정 중 금속배선공정에 있어서 무전해도금을 이용한 구리배선에 관한 공정으로서 금속촉매 전처리 공정을 이용하였다. 특히, 본 기술에서는 팔라듐을 이용한 전처리 공정조건을 변화시킴으로써 웨이퍼의 배선에만 선택적으로 팔랴듐을 증착시키고 후속공정인 구리 무전해도금을 통하여 팔라듐 입자들이 있는 배선에만 선택적으로 구리를 성장시키는 공정이다.기존의 금속촉매 전처리 공정을 응용하여 원하는 배선 내에만 선택적으로 금속촉매 입자를 증착시킴으로서 구리 무전해도금을 통하여 선택적으로 성장시킬 수 있다. 또한 본 기술은 기존의 금속배선공정과는 달리 진공장치가 전혀 쓰이지 않고 습식공정만으로 이루어진 공정이다. 무전해도금 방식을 이용한 선택적 구리 증착방식은 구리 촉매층을 사용하고 있는 전해도금방식보다 공정이 간단하며 공정비용이 상당히 절감되고 특히, 금속촉매 전처리 공정조건을 변화한다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2004-11-29
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 반도체 소자의 전극 형성 방법에 관한 것으로, RF-magnetron sputtering법을 이용하여 인-시튜(in-situ) 방법으로 단일 Ru타겟을 사용하여 산소 분압에 의한 이중전극형태의 루테늄/이산화 루테늄(Ru/RuO2) 전극 형성으로 플라즈마 공정의 단순화 및 안정화를 가능하게 한다본 기술은, RF-magnetron sputtering법을 이용하여 인-시튜(in-situ) 방법으로 단일 Ru타겟을 사용하여 산소 분압에 의한 이중전극형태의 루테늄/이산화 루테늄(Ru/RuO2) 전극 형성으로 플라즈마 공정의 단순화 및 안정화를 가능하게 한다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2004-11-29
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 제작된 광섬유 격자 또는 광섬유격자의 일부분에 외부에서 압력 또는 힘을 주기적 또는 비주기적으로 인가하여 광섬유격자의 투과 및 반사 스펙트럼을 조정 또는 변화시킴으로써 다중 피크의 특성을 갖는 격자를 구현하고, 이를 여러 광통신 소자 및 시스템에 활용하는 것이다.제작된 광섬유격자 또는 광섬유격자의 일부분에 외부에서 압력 또는 힘을 인가하여 광섬유격자의 굴절률 분포를 변화시키고 이를 이용하여 격자의 투과 및 반사 스펙트럼을 조정 또는 변화시키는 광섬유격자 필터이며, 새로운 샘플격자의 구현방법과 함게 기존의 샘플격자의 단점을 보완하고 격자의 응용 범위의 확대를 제시함으로써 광섬유격자 기술뿐만 아니라 이를 이용한 광소자 및 광시스템 개발에 크게 기여 할것으로 기대된다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2004-11-29
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
LCD모니터,휴대폰 KEY-PAD등에 사용되는 SMD CHIP LED(발광다이오드)의제조공정기술과 금형,장비시스템의 복합적인 시스템으로 고휘도 CHIP LED를 생산하는데 사용되는 기술이다.특히, 국내,외 최초로 기술을 개발하여 국내 특허 등록을 완료하였고, 해외 특허 분쟁을 피할 수 있는 기술력을 가지고 있다.SMD CHIP LED는 부피가 적으면서도 고휘도 빛을 발산하여 최근 급성장한 전자부품소자로써, 일본의 니치아 반도체가 세계 시장의 약 35%를 점유하고 있으며,국내,외원천특허분쟁에 대처하고 나아가 고부가치 산업으로 성장하고자 기술개발을 실시하여엑상방식의 SMD CHIP LED제조기술을 개발하게 되었다.중,대형 LCD TV의 측면 발광 소재로 사용되던 음냉극발광소재(CCFL)을 대체하는 새로운 발광소재로 2005년 삼성전기의 가전제품 상용화에 발맞추어 개발기술의 고속 성장이 예상되고 있다.개발 기술은 SMD CHIP LED MOLD핵심공정기술로써, LED Package의 다양한 형상을 구현할 수 있는 기술이다. 미국,일본,독일의 LED제조기업들이 사용하는 고체분말엑폭시를 이용한 TRANSFER방식과 차별되는 기술로써, 개발된 기술은 액상 엑폭시를 이용한 제조공정기술과 PCB와 LEAD FRAME의 개별 CASTT'G 금형,장비를 이용한 생산 장비기술을 접목한 새로운 개념의 CHIP LED기술이다.고체 분말엑폭시 방식은 원자재의 소모량이 크며, 제조 원가 상승을 초래하였으나,액상 방식은 필요한 양만 사용하며, WHITE CHIP LED제조시, 엑폭시와 형광체의비중차를 이용 침전 방식을 적용하여, 안정적인 고휘도 WHITE LED가 구현된다.WHITE LED를 비롯하여, 다양한 색상의 LED생산에 적합하며, 품질과 수율이 기존고체 방식보다 매우 높아 시장 경쟁력을 가지고 있다.
- 보유기관
- (주)새롬하이텍
- 등록일
- 2004-12-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
나노기술을 이용하여 분자 단위의 전자 소자를 만들어 낼 수 있는 이 기술은 두 가지 다른 전자 접속 방식을 이용한 분자장치(Molecular Devices)가 그 핵심이라 할 수 있다. 터미널 초소형 Device가 pi-conjugated된 분자장치의 첫째 방식은 두 회로간 분자연결의 crossed geometry 방식을 이용하며, 두 번째 에서는 잘 조절된 전자이동을 통해 나노 스케일 간격으로 분자들을 배열하는 방식이다. 이 두 가지 방식 모두 gold/palladium(AuPd) nanowire를 기본 소자로 하여 말끔한 표면의 균일한 wire를 만들어 낸다. 이렇게 만들어진 분자 장치에서, 유기 분자로 연결되어지는 두개의 금속 전극 사이의 간격은 1 나노미터(1nm) 이하가 된다.이 기술의 가장 큰 장점은 분자 단위의 전자 소자를 말끔한 표면의 균일한 nanowires을 만들어낼 수 있다는 것이다. 그리고 무엇보다 이 기술은 기존의 전자 소자를 만들어 내기 위한 트랜지스터 방식 등이 아닌 화학합성과 self-assembly 로 구성된 장치들로 만들어 낼 수 있는 이점이 있다. 또한 기계적, 전자적 특성을 함께 가져 거대분자의 새로운 클래스라 할 수 있는 탄소 나노튜브를 이런 분자장치의 소자로 이용할 수 있다는 장점이 있다 하겠다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2005-06-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
이 기술은 하부 전극을 갖는 MFMIS구조와 집적회로를 일체화 시킬 수 있는 반도체소자, 반도체 센서 및 반도체 기억 소자를 제공하는 것이 목적이다. 그 효과는 결정성 Pt전극을 이용하여 MFMIS구조와 집적회로를 일체화 시킬 수 있는 반도체소자, 반도체 센서 및 반도체 기억 소자를 제공할 수 있다. 강제 유도 전체가 가진 이력현상, 초전효과, 압전효과, 전기광학효과 특성을 이용하여 여러가지 전자 디바이스를 제조할 수 있다.또 강제 유도 전체를 엷은막으로 형성하여 디바이스 성능의향상,소형화를 기대할 수 있다.최근의 반도체 분야에서는 금속/강제유도전체/금속구조/절연체/반도체 구조를 지닌 디바이스는 불휘발성 기억 소자는 센서에 응용이 기대되고 있다. 본 발명에서는 그림1에 표시되었듯이 반도체단결정기반 위에 에비타키샬 성장된 γ－Ａｌ↓２Ｏ↓３ 단결정막을 가지고 그γ－Ａｌ↓２Ｏ↓３단결정막 위에 에비타키샬단결정 Pt박막을 가지고 있다. 그림 2에서는 본 발명의 메모리 구조를 지닌 MFMISㅡFET형 반도체 기억소자를 표시한다.반도체기반, 소스 드레인, 절연막, 하부 전극, 강제 유도 전체 박막, 상부 전극이 표시 되어 있다.
- 보유기관
- 한국기술벤처재단
- 등록일
- 2005-07-18
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
기존의 미소화학분석 시스템을 대표하는 분석 장치의 미소유체 제어에는 마이크로 머쉬닝을 이용하여형성한 마이크로 벌브가 이용되었다. 이 기술은, 집적화 된 유로 안의 압력에 의해 직접 유량을 제어함에 있어서 그 구성요소로서 필요한 유체제어 소자를 제공한다. 센서를 통해 유량을 전기 신호로 변환할 필요가 없고 유로의 압력으로 유량을 제어하는 기구를 간편하게 실현할 수가 있다. 본 발명의 적용에 의해 DNA팁이나 각종 유량 분석 시스템의 기능을 획기적으로 향상시키고 한편으로 시스템 전체의 구성을 크게 간략화 시킬 수 있다."이 기술에 의해 반도체미소유체제어소자는 하면기체와 상면기체, 그 사이에 배치되는 반도체 기반을 갖추고 반도체 기반에 다이어프램과 그 뒷면에 통하는 게이트 압력유로를 형성, 상면기체의 소스로 통하는 유로와 다이어프램에 면한 유체 통로를 차단하는 형태로 형성된 평평한 장벽과 드레인으로 통하는 유로를 형성한다. 게이트에 가하는 압력을 변환시켜 연속적으로 변화시킬 수가 있기 때문에 유체의 유량도 연속적으로 가변 제어 할 수 있다.또 유로망 안에 포함된 다수의 유량을 제어하는 기구를 간편하게 실현할 수 있다.
- 보유기관
- 한국기술벤처재단
- 등록일
- 2005-07-18
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 공급되는 전압을 넓은 부하 범위에 적합한 가변 출력 전압으로 변환시키는데 효과적인 가변 DC-DC 스위칭 레귤레이터에 관한 것 이다. 본 기술의 레귤레이터는 광범위한 출력부하 및 공급전압에 대해 고효율성을 얻기 위해 고정 펄스폭을 구비한 가변 스위칭 주파수를 채용한다. 고속 트래킹을 위한 비선형 피드백 루프 및 동기 정류를 달성하기 위한 어프로치가(nMOS 트랜지스터의 턴-오프시) 새로운 특징이다. 또한, 본 발명은 빠른 트래킹 속도와 출력 전압의 최소 리플을 나타내고, 안정된 저전력 소모를 나타내는 특징이 있다.본 기술은 넓은 부하 범위에 적합한 가변 출력 전압으로 변환 DC-DC 스위칭 레귤레이터에 관한 것으로, 1. 고속의 트래킹 2. 출력전압의 리플 최소화3. 저전력 시스템에서의 동작에 적합4. DC 전압 Vdd를 고정폭 펄스로 변환하기 위해 순간 스위칭률에 기반하여 동작하는 쵸핑수단. 5. 고정폭 펄스를 DC 출력전압 V.sub.OUT로 변환하기 위한 필터. 6. 원하는 주파수 f.sub.DES 의 시그널링을 위한 주파수 시그널링 수단을 특징으로 한다.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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