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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 빛 손실 문제를 해결하기 위한 반사 억제층을 구비하여 빛 발산이 향상된 갈륨 나이트라이계 광소자에 관한 기술로, 갈륨 나이트라이드계 광소자는p-GaN막 상의 p형 전극 위에 반사 억제층을 형성함으로써 광출력이 증가되고, 제조 공정시는 금 와이어 본딩시 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율저하를 방지할 수 있다.이를 위해 본 기술은 기판 상에 형성된 n-GaN막, 상기 n-GaN막 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 p-GaN막, 상기 p-GaN막, 활성층 및 n-GaN막을 선택적으로 식각하여 상기 n-GaN막을 노출하도록 마련된 트랜치 내에 형성된 n형전극, 상기 p-GaN막 상에 형성된 p형 전극, 상기 n형 전극 및 p형 전극의표면 일부에 형성된 본딩 금속 패턴 및 상기 p형 전극의 표면, 트랜치의 측벽 및 n형 전극 상에, 상기 활성층에서 발산된 빛이 반사되지 못하게 함과 아울러 금 와이어 본딩시 금 와이어 본딩 금속과 상기 트랜치의 측벽이 단락되는 것을 방지하도록 Si3N4층 또는 SiOxNy층으로 형성된 반사 억제층을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자로 구성된다.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 비수용성 고분자의 금속-고분자 나노복합체에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 금속-고분자 나노복합체는 (a) 금속염 또는 금속 산화물염과 이소프로필 알코올 (Isopropyl Alcohol), 에탄올 (Ethanol) 및 에틸렌 글리콜 (Ethylene Glycol)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매와 물 및 고분자 안정제를 혼합하는 단계; (b) 상기 (a) 단계로부터 얻어진 결과물을 질소 가스로 정화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계로부터 얻어진 결과물에 감마선 처리를 하여 침전물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계의 결과물로부터 용매를 제거하고 진공 건조시켜 금속-고분자 나노복합체를 제조하는 단계에 의하여 제조된다. ; 본 발명에 의하면, 실온에서 균일한 입자 특성 (입자 크기 및 크기 분포, 입자 모양 등)을 갖는 금속-고분자 나노복합체를 제조할 수 있다. 또한, 기존에 보고된 모노머를 이용하여 금속-고분자 나노복합체를 제조하는 방법이 아니기 때문에, 고분자의 종류를 더욱 다양하게 할 수 있고 분자량의 조절도 용이하게 할 수 있다.청구항 1항 금속-고분자 나노복합체를 제조함에 있어서, (a) 금속염 또는 금속 산화물염과 이소프로필 알코올, 에탄올 및 에틸렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매와 물 및 고분자 안정제를 혼합하는 단계; (b) 상기 (a) 단계로부터 얻어진 결과물을 질소 가스로 정화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계로부터 얻어진 결과물에 감마선 처리를 하여 침전물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계의 결과물로부터 용매를 제거하고 진공 건조시켜 금속-고분자 나노복합체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-고분자 나노복합체의 제조 방법.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. ; 본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 방법으로서, 레이저가 크게 흡수되지 않고 투과할 수 있는 기재위에 성장된 반도체 나노막대를 레이저를 이용하여 분리시키는 본 발명의 방법에 의하면 두께가 균일하고 길이가 일정한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 장점이 있다. 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 있어서, 레이저를 흡수하지 않고 투과시키는 기재위에서 나노막대를 성장시키는 단계; 상기 단계에서 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 상기 기재에서 분리시키는 단계를 포함하고, 상기 기재위에서 성장되는 나노막대의 재질은 레이저를 흡수하는 재질인 ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본나노튜브 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 유리기판 상에 MEMS 공정기술을 이용하여 고효율의 보일링 표면 및 그 제작방법을 개시한 것으로, 유리기판 위에 제 1 금속 박막을 소정 두께로 증착하는 공정과, 증착된 제 1 금속 박막을 포토-리소그라피 공정을 통해 열선과 패드를 형성하는 공정과, 열선 위에 제 1 음성 감광재를 소정 두께로 도포하고 노광하여 제 1 캐비티 구조물을 형성하는 공정과, 제 1 캐비티 구조물 위에 제 2 금속 박막을 소정 두께로 증착하는 공정과, 제 2 금속 박막 위에 제 2 음성 감광재를 소정 두께로 도포하고 패터닝하여 제 2 캐비티 구조물을 형성하는 공정과, 드러난 제 2 금속 박막을 식각하는 공정과, 제 2 금속 박막의 식각을 통해 드러난 부분을 통해 제 1 음성 감광재를 현상하여 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 유리기판 위에 제 1 금속 박막을 소정 두께로 증착하는 공정과, 증착된 제 1 금속 박막을 포토-리소그라피 공정을 통해 열선과 패드를 형성하는 공정과, 열선 위에 제 1 음성 감광재를 소정 두께로 도포하고 노광하여 제 1 캐비티 구조물을 형성하는 공정과, 제 1 캐비티 구조물 위에 제 2 금속 박막을 소정 두께로 증착하는 공정과, 제 2 금속 박막 위에 제 2 음성 감광재를 소정 두께로 도포하고 패터닝하여 제 2 캐비티 구조물을 형성하는 공정과, 드러난 제 2 금속 박막을 식각하는 공정과, 제 2 금속 박막의 식각을 통해 드러난 부분을 통해 제 1 음성 감광재를 현상하여 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공정을 이용한 고효율 보일링 표면 제조방법.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 폴리머 미세 바늘 어레이를 제조하기 위한 금형 및 그 금형을 이용하여 폴리머 미세 바늘 어레이를 제조하는 방법을 제공한다. ; 본 발명에 의해 제조된 폴리머 미세바늘 어레이는 폴리머로 제조되었기 때문에 충격 등에 의해 쉽게 파괴되지 않아 파괴된 조각이 혈류에 포함되어 혈류를 막는 등의 심각한 문제를 야기하지 않으므로, 매우 안전하게 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 실리콘이나 유리로 제조하는 것에 비해, 제작공정이 간단하고 제조단가가 매우 저렴해 질 수 있다. 유리기판의 표면에 크롬/금 층을 증착시키는 단계; 상기 증착된 크롬/금 층을 식각공정에 의해 바늘 어레이 단면의 형상을 형성시키는 단계(2); 상기 기판에 음성 감광제 층(5)를 형성시키는 단계; 상기 음성 감광제 층에 UV 마스크(4)를 통해 UV 광원(3)을 수직 노광하는 단계; 및 상기 기판의 유리기판 쪽으로 UV 광원(6)을 경사시키거나 경사판(7)을 이용하여 경사노광하는 단계를 포함하는 미세 바늘 어레이 음각 금형(24)을 제조하는 방법.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조는 Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8+x 와 같은 고온초전도체 단결정을 포토리소그래피(photolithography)나 전자선 리소그래피(e-beam lithography)를 이용한 미세 패터닝(micropatterning) 공정과 건식 식각(dry etching) 공정을 이용하여 패턴닝하고, 양면 벽개가공 기법을 이용하여 제조한다. 이에 따라, 본 발명은 Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8+x 와 같은 고온초전도체 단결정이 선천성으로 매우 얇은 CuO 2 초전도층과 절연층(insulating layer)의 조셉슨 접합으로 구성되는 층상 구조를 양면에서 가공함과 동시에 층상구조의 두께와, 상기 층상 구조에 포함된 조셉슨 접합의 수를 제어할 수 있다. 기판 상에 부착되고 선천성으로 초전도층과 절연층의 조셉슨 접합의 층상 구조로 이루어지고, 전체적으로는 단상 구조로 이루어지는 초전도체 단결정; 상기 초전도체 단결정의 하면 및 상면에 형성되고 분할되어 있는 금층; 상기 초전도체 단결정의 하면의 분할된 금층에 전기적으로 분리되어 부착되고 상기 기판 상에 위치하는 제1 전압 전극 및 제1 전류 전극; 상기 초전도체 단결정의 상면의 금층에 전기적으로 분리되어 부착된 제2 전압 전극 및 제2 전류 전극; 및 상기 제1 전압 전극 및 제1 전류 전극의 일부면과 상기 제2 전압 전극 및 제2 전류 전극이 노출되도록 상기 기판 상에 형성된 층간 절연층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 고온 초전도 선천성 조셉슨 접합을 이용한 양자간섭 소자(SQUID)의 제조방법에 관한 것으로서, 고온초전도체의 단결정에서 자연적으로 발생하는 조셉슨 접합 특성을 이용하기 위해 양면벽개(兩面劈開; double-side cleaving) 기법을 이용하여 고온초전도 환상구조(circular shape)를 형성하며 동시에 환상 구조내에 선천성 조셉슨 접합이 포함되도록 하는 것을 특징으로 한다. a) 제 1 부도체 기판 상에 고온 초전도체 단결정층을 접착하는 단계; b) 상기 단결정층을 가공하여 제 1 두께를 갖는 단상을 형성한 후 단상의 한쪽 부분을 제 1 두께의 1/2 보다 깊게 제거함으로써, 단상의 한쪽 부분이 제 1 두께의 1/2 이하인 제 2 두께를 갖는 구조의 단상층을 형성하는 단계; c) 제 2 부도체 기판 상에 접착층을 형성한 후 여기에 b)에서 얻은 단상층을 접착시켜, 제 1 부도체 기판/접착층/단상층/접착층/제 2 부도체 기판의 적층물 구조를 얻는 단계; d) 상기 적층물로부터 제 1 부도체 기판을 분리하여, 단상층의 표면을 노출시킨 후 그 표면에 금속층을 형성하는 단계; e) 단상층의 제 1 두께를 갖는 부분의 일부와 그 상부 금속층을 제거하여, b) 단계에서 형성된 제 2 두께를 갖는 단상층 부분과 엇갈리는 단차 부위에 선천성 조셉슨 접합이 포함되도록 하는 단계; f) 금속층이 입혀진 단상층과 금속층이 입혀져 있지 않은 단상층의 전 두께를 따라 가공함으로써 두 개의 조셉슨 접합부위를 포함하는 환형의 단상구조를 얻는 단계; 및 g) 상기 환형의 단상구조에 전류를 인가하기 위한 전류전극 및 환형 단상구조 양단의 전압을 측정하기 위한 전압전극 단자를 형성하는 단계 를 포함하는 고온 초전도 양자간섭 소자(SQUID)의 제조방법.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 중심부(core)가 제거된 나노 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등의 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(core-shell) 구조의 산화아연계 나노선에서 중심 소재인 산화아연을 부식성 가스, 무기산, 플라즈마 등을 사용하여 제거함으로써 제조된 속이 빈 나노 구조체는, 나노선에 비해 부피 대 단면적 비가 2배 이상 크고, 모양과 길이 및 중심소재 제거 정도의 조절 및 빈 공간에 이물질의 주입 등을 통해 다양한 특성 및 구조를 제공할 수 있고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 단일구조체로 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다.유기금속 화학 증착법에 의해 제조된 산화아연 나노선 위에 전이금속계 물질, 질화물 반도체 또는 유전체를 기상 코팅하여 다중벽(CORE-SHELL) 구조의 산화아연계 나노선을 얻은 후, 중심(CORE)인 산화아연을 나노선의 길이를 따라 전체적으로 또는 일부 제거하는 것을 포함하는, 5 내지 30 NM 범위의 직경을 갖는 나노튜브, 나노티 또는 나노캡 형태의 나노 구조체 제조방법.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체 기판 상에 형성된 웰(well); 상기 기판 또는 상기 웰에 형성된 다수개의 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택; 상기 기판 또는 상기 웰의 면저항을 증가시키기 위해 상기 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘텍의 주변에 형성된 소정의 필드전극을 포함하고, 상기 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택은 MOS 소자를 이루도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체 기판 상에 형성된 웰(well); 상기 기판 또는 상기 웰에 형성된 다수개의 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택; 상기 게이트 상에 상기 게이트와 수직방향으로 형성된 오버레이(overlay) 게이트를 포함하고, 상기 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택은 MOS 소자를 형성하고, 상기 오버레이 게이트는 상기 게이트와 동일한 재료로 형성되고, 상기 오버레이 게이트가 다수개의 라인 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은, AlGaAs/GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 관한 것으로서, 습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용한다는 점에 그 특징이 있다. 이와 같은 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법을 사용하여 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터를 제조하는 방법은, 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층 및 GaAs 캡층을 순차적으로 형성하는 단계와, GaAs 캡층상에 마스크막 패턴을 형성하는 단계, 및 마스크막 패턴에 의해 상기 GaAs 캡층의 일부 표면이 노출된 개구부를 식각 용액에 담구어 상기 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되도록 상기 GaAs 캡층을 식각하되, 상기 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 단계를 포함한다. AlGaAs/GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 있어서, 습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법.
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 고온 초전도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 고온 초전도체 단결정을 고온 초전도체 소자에 응용하기 위해서, 조셉슨 접합을 미세 돌기 구조로 형성하여 임계 전류를 감소시킴과 동시에 그에 적합한 전극 접합 방법을 제공함으로써, 고온 초전도체 소자의 조셉슨 접합의 특성의 파악이 용이하고, 전극 형성이 용이하여 제품 생산에 적합하다. 고온 초전도체 단결정을 고온 초전도체 소자로 제조하는 방법에 있어서, 부도체 기판의 상부에 접착층을 이용해서 상기 고온 초전도체 단결정을 부착하는 단계; 상기 고온 초전도체 단결정의 상부에 금속을 적층하여 표면 보호막을 형성하는 단계; 상기 표면 보호막의 전체 두께 및 상기 고온 초전도체 단결정의 일부 두께를 패터닝하여 미세 돌기 구조로 형성하는 단계; 상기 미세 돌기 구조의 측면 및 상기 미세 돌기 구조의 형성으로 노출된 고온 초전도체 단결정의 상부에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 및 미세 돌기 구조의 상부에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 패터닝해서 상기 미세 돌기 구조 각각에 대응되게 분리되는 전극을 형성하는 단계를 포함해서 이루어지는 고온 초전도체 소자의 제조 방법.
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 갈륨나이트라이드계 광소자의 P형 오믹전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 낮은 접촉저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로 안정한 갈륨나이트라이드계 (GaN based) 광소자의 P형 오믹전극에 관한 발명으로, 오믹 전극은 낮은 접촉 저항을 가지면서도 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정한 특징을 가진다. 이를 위해 본 기술에 의한 전극은 기판, 상기 기판상에 형성된 P형 갈륨나이트라이드층 및 상기 P형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 P형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 P형 오믹 전극은 루테늄 산화막, 이리듐 산화막 또는 오스미움 산화막으로 구성하는 것을 특징으로 한다.질화물 반도체 소재 기술은 정보전자 기능소재 전 분야에 적용되는 기술로서 탁월한 광전(발광/수광) 기능과 초고주파-고출력 특성을 이용하는 표시소자, 센서/검출기, 정보통신소자, 이동/위성통신소자 등의 핵심소자로서 광범위하게 활용될 수 있는 기반기술이다. 질화물 반도체 소재는 청색/녹색LED, 단파장 LD 등 기존의 반도체 소재로 해결하지 못하였던 단파장발광 소자에 채용됨으로써 표시소자 분야에 총천연색화와 단파장 반도체 레이저 광원구현에 결정적인 공헌을 하였다. 또한 200~400nm 영역에서 Si을 능가하는 탁월한 수광 기능이 입증되어 자외선(UV) 광 검출기에 활용되고 있고 Si이 접근할 수 없는 수십~수백GHz 영역의 초고주파 특성과 특유의 결정성 때문에 차세대 통신용 소자 및 FED(Field Emission Display)의 에미터팁(Emitter Tip)으로 활용될 전망이다.
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
Ta막을 포함하는 적층 구조의 금속막을 열처리함으로써 얻어지는 오믹 전극 및 이를 포함하는 반도체 소자와, 이들의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 오믹 전극은 AlGaN 화합물 반도체층 위에 Ta막을 형성하고, 상기 Ta막 위에 Al막을 포함하는 적층 구조의 금속층(multi-layered metal layer)을 형성하고, 상기 Ta막 및 적층 구조의 금속층이 형성된 결과물을 열처리하는 방법에 의하여 형성된다. 본 발명에 따른 오믹 전극에서는 열처리시 생성된 TaN상에 의하여 향상된 오믹 저항치가 얻어진다. 화합물 반도체층 위에 오믹 전극을 형성하기 위한 적층 구조에 있어서, 상기 화합물 반도체층 위에 상기 화합물 반도체층과 접하도록 형성된 Ta막과, 상기 Ta막 위에 형성되고, Ti막 및 Al막이 순차 적층된 이중충으로 이루어지는 Al 함유 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 구조.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 미세 입자의 원료가 되는 고체 분말을 소정의 형틀 내에서 가압, 가열하여 고형화시킨 후에 고형화된 고체 시편을 펄스 레이저를 이용하여 미세 입자화함으로써 미세입자의 생성 효율을 향상시킨 미세입자의 제조 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 본 기술에 따른 장치는, 미세 입자를 생성하기 위한 원료로서의 고체 분말을 가압, 가열하여 고형화된 고체 분말 덩어리 시편을 만들기 위한 가압 가열수단 및 고형화된 고체 분말 덩어리 시편에 레이저 펄스를 조사하여 어블레이션시켜 미세 입자를 생성하기 위한 수단을 포함하여 된 것을 특징으로 한다. 미세 입자를 제조하는 방법에 있어서, 미세 입자를 생성하기 위한 원료로서의 고체 분말을 가압, 가열하여 고형화된 고체 분말 덩어리 시편을 만드는 단계 및 고형화된 고체 분말 덩어리 시편에 레이저 펄스를 조사하여 어블레이션(ablation) 시켜 미세 입자를 생성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 미세 입자 제조방법이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 ZnO 계열의 상온 투명 강자성 반도체와, 이를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 ZnO 계열의 상온 폴리머 미세 바늘 어레이는, 큐리에(Curie) 온도가 500K 이상이며, 전자띠 간격이 넓어 광학적으로 투명하거나 또는 엷은 색깔을 나타낼 수 있는 물질로서, 제조단가가 저렴하고, 환경친화적인 물질이다. 이러한 특성을 갖는 ZnO 계열의 상온 투명 강자성 반도체는 투스핀트로닉스의 반도체로서 응용가능하며, 투명 자석으로서 자기광학적 전류 또는 자기장의 센서로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 자기광학적 편광의 각도 센서 및 광학적 모듈레이터로서도 활용될 수 있다. 화학식 1로 표시되는 화합물: <화학식 1> Zn (1-x-y) M x A y O 상기식중, M은 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이 금속이고, A는 구리(Cu)이고, x는 0.01 내지 0.15이고, y는 0.001 내지 0.01이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 다중벽 구조의 산화아연계 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(core-shell) 구조의 산화아연계 나노선은, 다기능을 갖는 다양한 나노선이 단일선으로 제작될 수 있어 집적화가 용이하고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다. 산화아연 나노선 위에, 마그네슘(Mg), 카드뮴(Cd), 망간(Mn), 아연(Zn), 코발트(Co), 이들의 합금 및 이들의 산화물 중에서 선택된 전이금속계 물질, 질화물 반도체 또는 유전체가 이종물질로서 코팅된, 다중벽 구조의 산화아연계 나노선.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 산화아연(ZnO)계 나노바늘, 이의 제법 및 이를 이용한 전계방출 소자(Field Emission Display, FED)에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의해 제조된 산화아연계 나노바늘은 한쪽 끝의 곡률반경이 수 나노미터 이하로 매우 예리하기 때문에 전계방출 특성이 우수하여 전계방출 에미터(emitter)로 사용될 수 있으며, 또한, 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학증착법에 의해 성장되므로 결함이 적고, 결정성이 매우 우수할 뿐만 아니라, 면적이 큰 기판 상에서도 길이, 두께 및 밀도분포가 균일하게 수직 방향으로 잘 배향되기 때문에 차세대 평판 디스플레이인 전계방출 소자 등에 유리하게 이용될 수 있다. 길이가 100 nm 내지 5 ㎛이고, 한쪽 끝의 곡률반경이 1 내지 5 nm인 산화아연계 나노바늘.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 산화아연(ZnO)계 p-n 이종접합(heterojunction) 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연계 나노막대를 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의해 수직 방향으로 성장시켜 제조된 p-n 이종접합 구조체는, 발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자, 트랜지스터, 광검출 소자, 감지소자 등과 같은 나노 소자 및 이들의 어레이(array)를 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다. p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연(ZnO)계 나노막대가 수직방향으로 성장되고 상기 박막상에 성장된 ZnO계 나노막대들 사이의 팁 부분을 제외한 빈 공간이 절연물질로 채워져 있는 p-타입 반도체와 n-타입 산화아연계 나노막대의 p-n 이종접합 구조체를 포함하는 나노소자.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
유기 발광 다이오드를 제공한다. 본 발명은 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극 상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co막을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 본 발명의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다. 유리 기판 상에 형성된 양극; 상기 양극 상에 형성된 전이 금속층으로 구성되고, 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 수행하는 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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