일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
"Raduga-5"는 금속, 합금, 혼합체, 반금속, 고합금 반도체등 임의의 도전 재료의 이온 다발과 플라즈마 형성을 위해 고안되었다. Source 작동 원리는 금속 플라즈마와 높은 평균출력을 가진 금속 이온의 펼스형(주기적)이나 연속 전류 다발의 방향류의 뒤이은 방출을 수반하는 진공방전에 의한 플라즈마의 연속 발생에 근거하고 있다 "Raduga-5" 는 독립적이나 혹은 진공방전, 마그네트론 및 기타 플라즈마 발생장치와 결합하여 금속의 표면 특성을 조절에 이용될 수 있다. 이온빔의 펄스형 주기적 형성과 결합한 플라즈마 연속 발생 모드는 source를 다음과 같이 효과적으로 이용할 수 있게 해 준다 -다양한 코팅 증착 표면 준비 –고준위 농도를 가진 이온선 공정은 코팅과 기판간의 최적 일시층 생성 목적으로 모든 재료에 원자를 주입한다. -동적 이온 혼합 모드에서 코팅 생성 –코팅의 플라즈마 증착 고농도 주입 원자는 다른 종류의 코팅에 대한 최적 전이층을 생성할 목적으로 재료내에 서 이루어진다. 이온 조사 모드와 플라즈마 증착의 결합은 고준위의 부착력과 코팅속도를 달성하기 위하여 한가지 이상의 부가적인 진공 방전 플라즈마원의 이용하는것을 포함한다.Technical parameters: 연속 진공 방전 플라즈마의 발생 방법 -가속 전압 펄스의 진폭:40 kV -펄스에서 이온 전류의 진폭:up to 1 A -평균 이온 전류:up to 80 mA -이온빔의 평균 출력, kW:up to 3 고전류원의 변수는 다음과 같다:-아크 방전 전류 150 A -가속 전압 50 kV -가속 이온 에너지 150 keV -펄스 이온 전류 up 1 A -빔의 방출 단면적 200 cm2 -펄스 지속 시간 200/400 ms -펄스 반복 속도 200 s-1 -코팅 증착 속도 0.05 mm/min
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- 배재대학교
- 등록일
- 2002-04-02
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
■ 기술개요설명◆ 세계 최초 사운드 이퀄라이저 레이저쇼 제품◆ 인쇄 수준의 고해상도 광고내용 표출◆ 사운드 이퀄라이저 레이져 쇼 기능-음악등 사운드에 맞추어 즉각 반응하는 화려한 레이져 쇼 연출◆ Laser Show 및 Animation 구현가능- Laser Show ; 전자회로 제어와 광학적 표현형상 제어- Animation기능 ; 전자회로 제어에 의한 Laser control◆ 광고문구 ; 문자 및 그림, 마크등의 광고내용을 연속표출,반전,회전기능◆ 광고내용 Source ; 애니메이션, 광고문구, 레이져 쇼, 로고 및 업체 마크 광고용 이미지등을 인터넷으로 제공 → 소비자가 광고내용을 자유롭게 편집, 연출 가능◆ 음악, 음성등 청각적 광고기능과 결합하여 광고효율의 시너지 효과 창출◆ 광고장비의 초소형화 구현◆ 초절전 소비전력 및 저렴한 유지보수비 구현◆ 업종불문하여 광고장비의 재사용 가능◆ 디자인이 자유로운 광고 Board■ 기술개요설명◆ 세계 최초 사운드 이퀄라이저 레이저쇼 제품◆ 인쇄 수준의 고해상도 광고내용 표출◆ 사운드 이퀄라이저 레이져 쇼 기능-음악등 사운드에 맞추어 즉각 반응하는 화려한 레이져 쇼 연출◆ Laser Show 및 Animation 구현가능- Laser Show ; 전자회로 제어와 광학적 표현형상 제어- Animation기능 ; 전자회로 제어에 의한 Laser control◆ 광고문구 ; 문자 및 그림, 마크등의 광고내용을 연속표출,반전,회전기능◆ 광고내용 Source ; 애니메이션, 광고문구, 레이져 쇼, 로고 및 업체 마크 광고용 이미지등을 인터넷으로 제공 → 소비자가 광고내용을 자유롭게 편집, 연출 가능◆ 음악, 음성등 청각적 광고기능과 결합하여 광고효율의 시너지 효과 창출◆ 광고장비의 초소형화 구현◆ 초절전 소비전력 및 저렴한 유지보수비 구현◆ 업종불문하여 광고장비의 재사용 가능◆ 디자인이 자유로운 광고 Board
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- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2002-04-11
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
동종이종 절연막을 가진 반도체 SOI 기판의 직접접합 공정을 획기적으로 개선하는 국부가열기의 개발과 공정조건에 관한기술.1쌍/분의 생산성과 400도 정도의 저온에서 휨현상을 방지하여 기존 RTP에 비해 우수한 특성을 확인, Si3N4 절연막에서도 검증됨
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- 대학산업기술지원단
- 등록일
- 2002-04-30
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
최소선폭 0.1㎛ CMOS 공정에 적합한 두께 15㎚의 니켈모노실리사이드 공정기술. 기존 실리사이드 공정에서 NiSi를 채용하여 shallow transister에 적합한 실리사이드 물질 개발.두께 15㎚이고 cleaning 공정이 기존의 CoSi2,TiSi2에 비해 단순하여 경제적인 공정임.
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- 대학산업기술지원단
- 등록일
- 2002-04-30
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
반도체 공정에서 주로 실리콘으로 사용되는 기판(substrate)은 제작에 앞서서 표면에 산화층을 형성하기 위해 산화된다. Si(100)방향으로 생성된 이런 SiO2같은 산화층은 계면에 가까운 첫 원자층에 자은 정렬을 포함한 완전한 비정질(amorphous)을 이룬다. 실제로 그러한 산화층이 정렬하여 자라나면 반도체 소자의 전기적 특성은 반도체 공정에 있어 커다란 약진을 이끌만큼 향상될 것이다. 새롭게 발전된 방법을 사용하여 Si(100) 표면의 방향으로 1.25nm에서 30nm 정도 두께 범위에서 자라난 SiO2 박막의 80%정도가 정렬이 획득하였다. 이러한 박막에 대해 생각해 보면 MOS 구조에 대한 정전용량-전압측정(capacitance-voltage measurements)은 산화물의 고정된 전하(charge)의 감소와 함께 flat-band voltage의 극적인 향상을 나타내준다. 이것은 접합면의 상태 밀도도 낮춘다.반도체 공정에 이같은 좀더 향상된 방법을 쓰면 개발자들은 표면의 광학특성의 향상을 얻을 수 있다. 이러한 프로세스는 결과물인 소자의 전기적 특성을 더 좋게 제어할수 있는 가능성을 열수 있는 산화층의 성장 동력학의 제어에 많은 도움을 준다. 결국 이 프로세스는 GaAs와 SiGe와 같은 높은 결함밀도를 나타내는 대체 반도체 시스템의 산화 표면을 개선하는데 유용하다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-05-08
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
게르마늄 단 결정(Ge)- 전위 밀도 104cm2, 직경 102mm, 두께가 150~480mm이며 단면 또는 양면 연마된 Ge 성분의 A3B5 단 결정 웨이퍼에 적용적층 구조(ES)- 직경 40~50mm, 두께 150~480mm를 갖는 정상/역 극성의 GaAlAs(SH,DH), GaAsO/GaAs, GaAsP/GaP 등은 액체 상태와 증기 상태의 적층의 방법으로 생산됨. 동 재료들은 저 잡음 고주파 트렌지스터, 광섬유(인듐, 게르마늄, antimonide-arsenide의 적층구조), 마이크로파 주파수 장비(Fe-Y garnet의 적층 필름) 등의 생산에 적용된다진단, 치료, 기능성 의료 장치를 위한 자기영역 박막필름의 활성 요소는, 급성 장염 및 성병을 포함하는 전염병, 박테리아 제거를 위한 마이크로 바이오 연구, 화상 및 피부병의 치료에 적용 됨.자기영역 박막필름의 활성 요소는 물리적 매개변수의 안정성, 유기용제, 산, 알카리 등에 대한 내구성이 뛰어나며, 반복되는 소독에 내성을 지니며, 가압멸균기내의 프로세스에서 매개변수의 변동이 필요치 않음.
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- 티알씨코리아
- 등록일
- 2002-05-08
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
이 기술은 플라즈마 마이크로제작시 디바이스 데미지를 최소화한다. 반도체 집적회로 제작시 플라즈마는 일반적으로 에칭 또는 물질을 디바이스에 정착하는데 이용한다. 플라즈마는 종종 우리가 원하는 효과를 만들기 위해 집적회로와 관련되는 면이 많다. 결과적으로 음 또는 양으로 대전된 입자의 초과분이 정착된다. 전하는 축적되고 프로세스된 소자에 영구적인 데미지를 일으키는 전기장을 형성한다. 게다가 대전이 됨은 플라즈마 시스템의 프로세싱 특성을 낮추고 흠이 생기거나 휘는 현상을 더 드러나게 한다. 데미지를 일으키는 플라스마 프로세스는 마이크로제작을 하는 이들의 관심 대상이 되었는데. 이 기술은 집적회로 소자를 진공의 자외선(VUV,vacuum-ultraviolet)에 노출시킴으로서 플라즈마 전하 유도 데미지를 감소 시킨다. 이 기술은 진공자외선을 쬐는 것은 유전성 물질의 전기적 특성을 변화 시킨다는 것을 보여준다. 이 결과는 데미지가 없는 전류의 방전을 허용하는 유전 전도율의 일시적인 증가를 가져온다.플라스마 유도 대전 데미지를 줄인다.접적회로제작의 플라스마 프로세싱이 끝나거나 그 도중 혹은 프로세싱이 바뀌는 부분등 다양한 영역에서 이 기술이 실행될수 있다. 유전표면에 일어나는 대전현상이 있는 어떤 프로세스에도 사용할수 있다. 금속과 oxide 플라스마 에칭 플라스마 oxide 정착 플라스마 도핑 이온 이식 플라스마 에칭 플라스마 스퍼터 정착 마그네틱 레코딩 헤드에서의 alumina 스퍼터 정착진공자외선 소스는 플라스마 체임버와 분리될수 있고 유리 모세관 어레이를 사용한 체임버에 도입될수 있다.LAM 9000시리즈와 EMax 플랫폼 Centura 등 모세관을 포함시키기 위해 쉽게 개조할수 있는 플라스마 시스템에 비배타적이다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-05-21
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
플라즈마 프로세싱에서 바이어스 전압은 플라즈마 반응기내에서 지원되는 처리된 기판이 있는 플랫폼에 DC 저지 콘덴서를 통하여 파워 서플라이로부터 제공된다. DC 저지 콘덴서에 적용된 주기적인 바이어스전압은 두 번째 낮은 레벨에서의 펄스 피크 보다 낮은 첫 번째 레벨에서부터의 전압강하에 의한 전압펄스 피크로 이루어져 있는 파형을 가진다. 바이어스 파형의 주기와 각각의 전압 펄스 피크 사이의 기판 위에 실질적으로 일정한 DC self-bias 전압을 유지하기 위해서 기판 위의 이온 누적 효과(effect of ion accumulation)를 보정하거나 없애기 위해서 선택된다. 파형은 기판에서 선택 이온에너지의 중심에 있는 좁은 단일 피크를 가지는 이온에너지 분포 함수와 같이 각각의 바이어스 전압의 사이클동안 전압강하에 의한 단일 전압 펄스 피크를 포함한다. 또한 이 파형은 두 개의 다른 일정한 DC 레벨에 있는 각각의 펄스 피크를 따르는 DC 바이어스 전압과 함께 각각의 사이클 동안 두 개의 전압피크로 이루어진 기판의 바이어스 전압을 제공하기 위해 선택된 전압강하에 따르는 두 개의 펄스 피크로 이루어져 있다. 이것은 기판에 다른 이온 에너지에 실질적인 이온 플럭스가 없이 선택된 두 개의 이온에너지의 중심에 위치한 두개의 이온 플럭스 피크를 포함하는 에너지 분포함수를 나타낸다.위에서 나오는 이온 에너지 분포 함수는 우리가 원하는 플라즈마 처리 공정에 가장 적합하게 적용할수 있고 기판 위의 차등 충전 효과(effects of differential charging)를 감소할 수 있다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-05-21
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
이 기술은 큰 기판의 면적 위에 물질을 더하거나 없애기 위해 마이크로 플라스마의 사용법이다. 플라즈마는 집적회로와 마이크로 전기역학 시스템(MEMS)의 제조에 일상적으로 사용된다. 플라즈마는 반도체 같은 기판 위에 물질을 얇은 박막으로 정착하거나 에칭하기 위해서 사용된다. 상업적으로는 단일 유도 저항성 플라스마는 전체 웨이퍼를 처리하기 위해 사용된다. 그러나 몇 개의 약점이 있는데 현재의 12 인치만큼 큰 점점 더 커지는 웨이퍼의 크기에 비추어 볼 때 더 비싸고 지속적인 큰 유도 저항성 플라즈마(reactive plasma)가 필요한 것이다. 또한 서로 다른 물질의 박막을 기판의 분리된 면적에 정착시키는 것은 몇 가지의 차폐(masking)단계가 필요하다. 이 기술은 서로 평행하게 공간적으로 배치된 마이크로 플라즈마의 오퍼레이팅을 이용하고 생성하기 위한 방법이다. 이것은 플라스마가 이러한 영역의 처리 요구사항에 맞는 특이영역으로 발전했음을 말한다.기판의 영역은 다양한 조건과 시간에서 플라즈마 에칭된다.플라스마는 수십마이크론에서 1센티미터 이상까지 동작조건을 바꿈으로서 조정할수 있다.종래의 에칭법과 같이 마스크의 개구에 에칭 크기가 한정된다.서로 다른 재료들은 분리된 리도그래피 마스크와 마스크 교환없이 기판위에 다양하게 정착할 수 있다.전극을 패턴화하고 각각의 특이 영역에서 시간에 따라 인가 전압을 바꿈으로서 플라즈마의 방향성과 다른 특성이 조절가능하다.원래 위치의 플라즈마는 더 높은 균일성과 능력을 가지고 IC와 MEMS의 제조에 사용되는 플라즈마 장치와 관련해서 장치 비용을 줄인다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-05-21
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
현재 반도체 소자의 초고집적화에 따라 반도체 소자도 나노급 이하로 미세화되고 있으며 이로 인해 박막 증착 공정에서도 원자층의 박막조절이 가능한 공정개발이 요구되고 있는 실정이다. 이러한 원자층레벨의 박막조절을 위한 증착 기술로 최근 ALD(atomic layer deposition - 원자층 증착)가 가장 가능성이 높은 기술로 대두되고 있다. 이 ALD기술은 표면에서의 화학적 흡착(chemisorption)과 탈착(desorption) 과정을 이용하여 단원자층의 두께 제어가 가능한 새로운 개념의 증착기술이다. 기존의 CVD방법은 두가지 이상의 반응가스를 반응기에서 혼합시켜 기상에서 반응을 일으키거나 기판표면에서 반응을 일으켜 박막을 증착하였으나 ALD에서는 각 반응물질을 개별적으로 분리하여 한번에 한가지의 반응가스를 순차적으로 반응기에 공급하여 기판표면에서 반응가스의 표면포화반응(saturated surface controlled reaction)인 자체제어기구(self-limit mechanism)에 의한 화학적흡착과 탈착을 이용하여 박막을 증착시키는 새로운 개념의 증착기술이다.본 기술은 기존의 물리기상증착(PVD)법과 화학기상증착(CVD)법의 장점을 살린 매우 우수한 막질을 가지는 박막을 증착 할 수 있는 특징을 가진 기술이다. 즉, 극 미세구조에서 단차 도포성(step coverage)이 매우 우수하며 기존의 일반적인 CVD법보다 낮은 온도에서 증착하기 때문에 증착 균일도 및 재현성 저하 그리고 박막의 화학조성조절이 용이하지 않다는 단점을 극복할 수 있다. 한편 반응가스들의 분리된 주입으로 인해 기상반응이 일어나지 않아 파티클에 의한 오염이 없으며 대면적의 박막 증착 균일성이 우수하고 원자층 레벨의 박막 두께 조절이 가능한 특징을 가지고 있다. 따라서 본 기술은 우수한 단차도포성 및 조성균일성이 요구되는 확산방지막(diffusion barrier)와 원자층레벨의 두께조절이 요구되는 수nm의 게이트 유전체 증착을 위한 기술로써 차세대 반도체 제조를 위해 필연적으로 개발해야되는 기술이다.
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- 대학산업기술지원단
- 등록일
- 2002-05-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
극자외선 노광공정의 핵심 요소는 EUV 반사 다층박막의 형성기술이다. 높은 EUV 반사도를 얻기 위해서는 수 nm 두께의 다층박막을 약 80-100 층 순차적으로 증착을 하여야 하는데 본 기술은 multi-target sputtering 장비를 이용하여 Mo/Si 다층박막의 증착을 하고 아울러 여러가지 barrier 물질들을 증착한다.극자외선 반사를 위한 다층박막은 Mo: 2.8nm, Si: 4nm의 두께를 가지며 두께의 오차가 80층에 걸쳐서 약 3%내외로 조절되어야 높은 반사도를 기대할 수 있다. 이러한 정밀 증착 공정은 공정 자체의 미세 조정 외에도 증착한 다층박막의 characterization까지를 할 수 있어야 한다. 본 기술에서는 TEM 및 XRD과 optical simulation을 이용하여 다층박막의 정확한 광학적 특성을 평가하는 부분까지를 커버하고 있다.
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- 대학산업기술지원단
- 등록일
- 2002-05-28
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
최근 이용되기 시작한 구리배선의 경우 절연체로 쉽게 확산이 되고 산화가 잘 되는 등의 문제점이 있다. 현재는 이러한 문제를 해결하기 위하여 확산방지막 등을 이용하고 있으나 100nm급 이하의 소자에서는 저유전 절연막에 매우 얇은 확산방지막이 입혀질 경우 방지막으로서의 역할을 제대로 하지 못하는 문제가 발생한다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로서 구리에 미량의 합금원소를 첨가하여 확산방지막이 필요가 없으면서도 전기저항이 순수구리와 거의 비슷한 배선을 개발한다. 이러한 합금구리를 이용한 반도체 배선의 경우 확산방지막이 없어도 되므로 70nm급 이하의 소자에도 적용이 가능하다.순수구리 배선의 경우 대기중에서 쉽게 산화가 일어나며 절연체와의 접착력이 좋지 않으며 특히 절연체 내부로 쉽헤 확산이 된다는 문제점이 존재한다. 순수구리에 Mg, Al 등의 산소와의 반응성이 좋은 합금원소를 첨가할 경우 열처리 과정을 통하여 합금원소가 구리의 표면 및 절연체와의 계면으로 이동하여 치밀한 산화막을 형성하게 된다. 이렇게 구리의 표면 및 계면에 형성된 자연산화막은 구리의 산화를 막을뿐만 아니라 구리가 절연체로 확산하는 것도 방지할 수가 있다. 따라서 확산방지막이 필요가 없게되므로 제조공정이 간단해지고 훨씬 더 얇은 선폭의 배선을 제작 가능하게 한다. 즉 70nm급 이하의 반도체 소자에 적용할 수 있는 확산방지막이 없는 배선의 제조에 응용될 수 있다.
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- 대학산업기술지원단
- 등록일
- 2002-05-31
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
이 기술은 실리콘이나 alumina 또는 석영의 기판위와 원자 현미경의 cantilever의 끝에 배치된 catalyst islands를 사용한 나노튜브 구조이다. catalyst islands는 탄소가 들어있는 가스(예를 들어 메탄)로부터 카본나노튜브의 성장을 촉진시키는 촉매역할을 한다. 이 기술은 island에서부터 늘어나는 카본 나노튜브와 함께 기판위에 배치된 촉매 물질(Fe.sub.2 O.sub.3)도 포함한다. 또한 이 기술은 전기적으로 연결된 island 사이에 연장되는 한쌍의 island도 포함한다. 전도성 금속 라인들이 island에 몇 미크론 정도의 측면으로 연결되어 있어 외부의 전기회로가 나노튜브에 연결되게 한다. 이러한 구조는 많은 다른 전기장치나 MEMs 디바이스에 사용할수 있다. 예를 들어 나노튜브 밑에 기판이 에칭이 되었다면 두 개의 island사이에 연결된 나노튜브는 공진기로서 기능할 수 있다. 또한 이 기술은 AFM cantilever의 끝 부분에 있는 촉매 입자와 나노튜브가 입자에서 늘어나게 하는것도 포함한다. 나노튜브는 기술에서 알고 있다시피 AFM의 스캐닝 팁으로 사용할 수 있다.개개의 다른 하나의 벽으로 둘러싸인 single-walled 나노튜브를 큰 스케일로 통합할 수 있다.나노튜브를 쉽게 어드레싱하게 하고 기능적인 현미경 장치가 될 수 있는 집적된 구조로 만들기 위해 나노튜브의 성장이 원하는 위치에서 일어나게 억제한다.다양한 나노튜브 디바이스를 얻기 위해 반도체 마이크로수조로 나노튜브를 집적한다.나노튜브의 팁이 있는 제조하기 쉬운 원자 현미경을 제공한다.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
이 기술은 고밀집 플라스마를 이용하여 그래파이트상 또는 카본 입자에서 정제된 카본 나노튜브를 형성하는 쉬운 기술이다. 이것은 카본 나노튜브를 플라스마 화학증착법(PECVD)을 사용하여 고밀도의 플라스마에서 기판에 성장시키는 방법인데 밀도는 1011cm-3 또는 그 이상이다. 이 때문에 고밀도의 카본 나노튜브가 얻어지고 이후 카본 나노튜브의 형성은 플라즈마 정착에 의해서 미리 정해진 두께를 가진 기판 위에 카본 나노튜브층을 성장시키고 플라스마 에칭을 통해서 카본나노튜브층을 정제하여 이루어진다. 정제를 통해서 고순도의 카본 나노튜브를 얻을 수 있는 것이다. 이러한 카본나노튜브층의 성장과 정제를 반복하여 공정을 완성한다. 플라즈마 에칭을 위해 할로겐을 포함한 가스가 사용되고 그 예로 카본 tetrafluoride 가스가 소스 가스로 사용된다. 여기에서 고밀도로 탄소나노튜브를 성장시키고 그래파이트와 탄소 입자를 제거함으로서 탄소 나노튜브를 정제하기 때문에 그위에 반복과정에서 고밀도로 성장을 하게 되는 것이다.위와 같은 방법으로 고밀도의 카본 나노튜브는 안정된 CH4 가스를 고밀도의 플라즈마에서 분해하여 얻을수 있고 또한 고 순도의 카본나노튜브가 카본나노튜브의 성장과 정제의 반복으로 얻을 수 있다.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-06-05
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
CPS(constricted plasma source)는 새로운 튼튼한 저가의 디바이스로서 유리와 플라스틱위에 GaN 박막과 광학필름의 성장을 위한 것이다. 이것은 수축(constricted) 글로방전(glow discharge)을 이용한 것으로서 캐소드(cathode)와 애노드(anode) 사이의 방전 통로에 위치한 작은 구멍(orifice)이나 수축에 의해 특성화 되어있다. 이온화 과정은 수축된 곳 부근에서 일어나고 이온화 가스(플라즈마)가 압력변화에 의해 수축된 곳을 통하여 일어난다. 현존하는 플라즈마원은 고 에너지상태와 저압에서 작동하고 이와 대조적으로 CPS는 저압 또는 고압 양쪽의 상황에서도 작동이 가능하고 우리가 원하는 종류의 이온화 개스의 밀도가 높은 저온 플라즈마 가스를 생산한다. 이러한 낮은 이온 에너지는 다른 플라즈마원을 이용해서 얻을 수 없는 섬세한 결정필름의 제작을 가능케 한다. 질소와 함께 사용되면 CPS는 블루 LED 와 레이저 다이오드를 만드는데 이용이 될 수 있으며 CD 플레이어와 평면디스플레이 그리고 교통신호에도 응용이 가능하다. 산소와 함께 사용이 되면 창을 위한 전기채색 코팅을 포함하여 다양한 산화필름의 증착에도 사용이 된다. 더 나은 이온 유발 수산화 필름(ion-conducting hydrated films)을 위해 수증기 플라스마를 만드는데도 이용할 수 있으며 또는 재생 가능한 리튬 배터리를 만들기 위해 리튬에 질소 이온을 이식하여 사용할 수 있다. 이는 전기자동차에 유용하게 사용될 수 있는 기술이다.튼튼하고 비용이 적게든다.저압과 고압 양쪽에서 작동할 수 있다.원하는 이온화 가스의 종류의 밀도가 많은 저온 플라스마를 생산한다.다른 플라즈마원으로 만들 수 없는 섬세한 결정성장을 할 수 있다.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-07-04
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성 방법 및 이 방법에서 사용되는 반도체 웨이퍼 세척액에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼상에 레지스트 패턴(resist pattern)을 형성하는 리소그라피(lithography) 공정에서 레지스트 패턴의 크기(DICD, after Development Inspection Critical Dimension)가 미세화되면서 발생되는 패턴 붕괴 현상을 해소하기 위한 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 기술은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 0.10㎛ 이하의 미세 패턴에 있어서도 패턴 붕괴 현상을 해결할 수 있는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2002-08-13
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 습식 현상 과정을 거치지 않는 건식 현상 기술에 관한 것이다. 본 기술은 전기 회로의 기판이 되는 실리콘 옥사이드 물질 위에 기판 설계 및 제조 시에 현상액 처리 과정을 거처지 않기 때문에 공정이 단순해지고, 부가적인 장비들을 줄일 수 있으며 경제적인 손실을 줄일 수 있다. 습식 현상을 거치지 않는 건식 현상 과정으로 인쇄하기 때문에 더욱 더 선명한 회로 기판을 얻을 수 있다. 본 기술은 실리콘 옥사이드 위에 전기 회로 제조 공정에서 습식 화학 물질이나 가스 플라즈마와 접촉을 차단하고, 불화 수소 분위기에서 탄소의 첨가에 의해 실리콘 옥사이드의 에칭율 (선명도)은 크게 증가하게 된다. 탄소는 실리콘 옥사이드의 내부에 또는 표면에 도포된 유기 또는 무기 물질에 의해 공급된다. 즉, 본 기술은 탄소의 공급원으로서 유기 또는 무기 물질을 사용할 수 있으므로 재료의 제한이 없다. 특히 집적 회로와 같이 선명도가 매우 중요한 기판 설계에 있어서는 중요한 기술로 판단된다. 0.1마이크로의 폭과 5나노미터의 두께를 가진 선으로 기판을 제조할 수 있다. 즉, 본 기술은 고정밀성을 갖기 때문에 미세 기판 설계시에도 특별한 장비가 필요없다.정교하고 미세한 회로 설계 가능.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
트랜지스터는 모든 전자전기기기의 회로에서 전기신호를 증폭시키는 부품이다. 본 기술은 특이한 전기적 특성을 만들어내기 위하여 양자화된 에너지를 가진 전자의 회절 현상을 이용한 트랜지스터에 관한 것이다. 즉, 전자의 입자성과 회절성 (에너지를 가지고 있으며, 전자파를 수반하는)을 이용한 것이다. 기존의 트랜지스터들은 전자의 입자성을 이용한 것으로 단순히 전기만 통하게 해 주는 역할만 하게 된다. 본 기술의 양자 회절 전계 트랜지스터는 전자를 단순히 전기가 통하는 전도성 입자로 인식하는 것이 아니고, 양자화된 에너지를 가진 전자의 회절을 가능하게 한다. 본 발명은 소스와 특별하게 제조된 드레인이 각각 빛의 원천 기능과 유사한 광학 시스템인 “시각적 스크린”을 수행하는 전자전도성 트랜지스터의 일종으로써, 고 전자전도성 트랜지스터의 게이트가 그 중심에서 개방과 미세한 열림이 가능한 짧은 게이트로 대체되었다. 본 기술을 이용하게 되면 다양한 기능의 단일 트랜지스터로 개발이 가능하고, 여러 가지 제조 공정을 줄일 수 있으며, 트랜지스터의 부피를 크게 줄일 수 있다. 또한, 본 기술은 고 전자전도성 트랜지스터의 종류이기 때문에 속도가 매우 빠르다는 장점을 가지고 있다.에너지를 가진 전자의 회절 특성을 이용한 것.여러 가지 트랜지스터의 기능을 통합한 단일 트랜지스터로 개발 가능제조 공정 감소.고 전자전도성 트랜지스터속도가 매우 빠름.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 연구진은 집적 회로 제조에 이용되는 마이크로 (기판) 인쇄술에 사용할 수 있는 고정밀, 다층 방염 물질을 개발하였다. 본 개발은 기저 (맨 밑바닥) 위에 침전된 평면층과 방사 광선에 노출되었을 때 활동하는 활동층으로 구성되어 있다. 평면층은 스핀 코팅이나 침전에 의해서 만들어지고 디자인에 따라서는 광 활동성을 나타낸다. 그러나, 평면층의 광 활동성은 필수적인 것이 아니다. 평면층은 핀의 구멍이 남는 것을 줄이기 위하여, 그리고, 만약 스핀 코팅으로 제조되었다면 핀 구멍을 막고, 필름만 남기고 몇가지 휘발성 물질을 모두 제거하기 위하여 두껍게 제조한다. 활동층은 챌코게나이드 유리 기판, 비소 황화물 그리고 맨 위에 은 층으로 구성된 얇은 필름이다. 빛이나 다른 방사 광선에 노출되었을때, 은은 3성분의 챌코게나이드 유리 기판으로부터 분리되는 비형상물을 만들기 위하여 이온적으로 비소 황화물 내로 확산된다. 이런 과정은 비소 황화물만 사용된 것들과는 다른 특성이다. 방사 광선이나 3성분의 챌코게나이드 유리 기판으로부터 분리되는 비형상물의 형성 이후에, 반응하지 않은 비소 황화물은 CF.sub.4 플라즈마에 용해되고, 3성분의 혼합물은 같은 조건에서 용해되지 않는다. 또한, 반응하지 않은 은은 전기화학적 방법이나 습식 화학물에 담궈서 제거한다. 그리고 반응하지 않은 비소 황화물 영역은 최하층인 평면층을 노출하기 위하여 CF.sub.4 플라즈마로 이온 애칭하여 제거한다. 제거되지 않은 3성분 혼합물은 연속적인 애칭과정에서 평면층을 선택적으로 보호하기 위하여 사용된다. 결과적으로 제조된 구조는 표면 마스크로 사용되거나 형태가 그려진 최하층으로 남게 된다. 이와 같은 활동 메커니즘과 활성 물질의 극도로 얇은 박막 코팅 능력 때문에, 본 시스템은 기존의 중합체 방염 물질에 비하여 분해능이 우수하다.마이크로 크기의 회로 기판 설계가 가능한 고 분해능의 물질다층 방염 물질기저인 평면층과 빛에 대해 활성을 나타내는 활동층으로 구성빛의 방사에 의해 은이 확산하며 방염막을 형성독특한 반응 메커니즘과 얇은 박막으로 인하여 분해능이 우수
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 질화 반도체를 제조하기 위하여 다양한 공급원으로부터 질소를 공급받는 방법과 질화 반도체 표면을 제조하는 방법에 관한 기술이다. 반도체 재료로 사용되는 3족 금속-질화물 (III-N) 필름의 성장과 관계된 반도체 기술은 빠르게 진보하고 있다. 그중에 금속-유기물 증착-형상 에피탁시 (MOVPE)법은 각각 질소와 3족 금속의 전조로서 암모니아와 3메틸금속을 이용한 “III-N” 필름의 성장을 위해 도입하였다. 파랑/초록/호박색 발광 다이오드 (LED)는 파랑/보라색 레이져 다이오드 (LD) 처럼 MOVPE를 통해서 상업적으로 제조되고 있다. 한편, III-N반도체 성장에 있어 분자 빔 에피탁시 (MBE)법은 MOVPE에 비해 포텐셜의 잇점에도 불구하고 크게 진전되지 않고 있다. MBE는 초기의 UHV의 성정 환경을 제공하고 층과 층 사이의 조성을 정확하게 제어하며, 표준 표면 과학 장비를 이용하여 성장을 연속적으로 모니터링하는 것이 가능하고 소스의 선택 폭이 넓다. III-N 성장을 위해, MBE는 MOVPE종의 거대하고 초음속적인 추진체, 활성 질소 가스의 방전 소스, 높은 순도를 갖는 증발 소스 등을 포함한다. MOBPE법은 MBE법의 발전된 방법으로, 더 우수한 III-N물질 제조가 가능하다. AlN, GaN 그리고 inN은 넓은 밴드 갭 반도체 장치로서 사용되고 있다. III-N 제조에 있어서 주목할만한 진전에도 불구하고, 성장과정에서의 더 나은 개선은 주요한 목표로 남아있다. 이러한 개선의 한 방법으로서, 전기적으로 여기된 질소 분자가 이상적인 질소 전조를 만들어낸다는 의견이 제시되었다. 본 기술은 단지 그라운드 상태의 질소를 포함하는 것과는 달리, 분자 빔에서 기저상태로부터 여기 종으로서 매우 순도 높은 N2A3Su+를 만들기 위한 장치와 방법을 개발한 것이다. 즉, 본 기술의 장치와 방법을 이용하여 금속-질화물의 질과 농도를 향상시킬 수 있고, 제조 과정을 통제할 수 있는 고순도, 고에너지밀도의 질소가 얻어질 수 있다는 것이다. 본 기술은 금속III-질화물 필름의 제조는 앞에서 기술한 분자 빔 에피탁시의 잇점을 이용한다.III-N 반도체 물질 제조 방법질화물 반도체 제조 과정에 사용되는 다양한 질소 원료들분자 빔을 이용한 III-N 반도체 물질의 제조질소 분자를 전기적으로 여기시켜 고순도, 고에너지 밀도의 질소를 공급함
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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