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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
반도체 장치들이 마이크로화 되고 장치에서 조작 단계의 수가 증가함에 따라, 절연체의 평면 가공 (평평한 가공)은 다중 조작 단계가 상호연결된 장치의 제조시에 중요한 핵심이 되고 있다. 화학적-기계적 연마 (CMP)는 우수한 평면 물질을 얻어내기 위한 기술로 사용되고 있고, 차세대의 마이크로 장치에 유용한 기술로서 평가받고 있다. 그러나, CMP는 평면 가공에 있어서 끝부분을 정확하게 판단하기 어렵기 때문에, 허용 오차 내의 두께를 가진 산화물과 같은 절연 물질을 연마하기 힘들다는 단점을 가지고 있다. 끝부분을 감지하는 방법으로는 시간 소비, 레이버 인텐시브 그리고 물질에 대해 과도한 제거나 오히려 원하지 않은 부분의 제거 때문에 줄어진 공정 생산에 대한 프론 등이 있다. 본 기술은 반도체 장치의 제조에 적합하고 실시간 CMP 감지가 가능한 특별한 방법과 장치를 개발한 기술이다. 본 기술의 장치는 웨이퍼의 표면 상태에 대한 데이터를 얻고, CMP 제어 메커니즘에 다시 데이터를 전송하기 위하여 특별한 감각전달 모드를 사용한다. 본 기술은 매우 감각적이고 상대적으로 값이 저렴하다. 따라서, 기존의 CMP 기술의 심각한 문제점들을 해결할 수 있다. 본 기술은 0.5마이크로 정도의 절연 CMP를 제조하는데 유용한 기술로 사용될 것으로 기대된다.마이크로 단위의 절연 CMP 제조 가능. 저렴한 제조 단가. 데이터의 피드백 가능
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- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
LED는 기구의 패널, 건물 안팎의 디스플레이, 자동차 시그널 등을 포함한 조명 소스로서 중요한 역할을 한다. 최근 광학 분야의 발전은 다양한 색상이 발광되는 효율적인 LED를 만들어냈다. 그러나, 현재의 기술로 백색 발광 LED를 생산하는 것은 제조 공정이 까다롭고 제조 비용이 비싸기 때문에 매우 힘들다. 본 기술은 백색 또는 다양한 색상을 발광하는 LED에 대한 물질과 구조를 개발한 기술이다. 다른 기술과는 달리, 이와 같은 LED는 단순하고 저렴한 디자인을 사용한 효율적인 단일 장치이다. 본 기술은 혼용의 조명 소스를 이용한 기술이다. 본 기술의 혼용 조명 소스는 빛의 발광이 가능하고 전기적 전력을 가지며, 고체 상태이고 무기물인 조명 발광자를 포함하고 있다. 또한, 포토루미네센트 고분자 요소를 포함하고 있다. 전기적 전력을 가지고 고체 상태이며 무기물인 조명 발광자는 p-n 접합 다이오드를 포함하는 조명 발광자, p-n 접합 트라이오드를 포함하는 조명 발광자, p-n 접합 레이져 다이오드 발광자, 금속-절연체-반도체 (M-I-S)를 포함하는 조명 발광자 그리고 반도체 양자 캐스케이드 주입 소스 조명 발광자 등 다양한 장치에 이용될 수 있다. 본 기술은 높은 효율을 가진 고체 상태이고 무기물인 조명 발광 소스로부터 방사와 고분자 또는 유기 필름으로부터 포토루미네센트를 결합함으로써 매우 높은 효율의 백색 또는 다양한 색상의 소스를 제공한다. 무기물 조명 발광 소스가 3족 질화물에 기초한 LED 또는 레이져일 때, 그와 같은 장치 자체는 청색을 발광하고, 동시적으로 백색을 만들어내기 위하여 필요한 장파장 요소를 제공하기 위해 고분자 또는 유기 필름의 포토루미네센트를 여기시키기 위한 단파장 주입 소스로서 역할을 한다. 이와 같은 다양한 주입 소스는 효율적인 백색 발광을 발생시키는 장치로서 사용될 수 있다. 폴리머 또는 유기 필름은 LED나 레이져에 직접적으로 도포되어 제조할 수 있다.높은 효율을 나타냄. 백색 또는 다양한 색상의 발광 가능. 균일하고 신뢰성있게 색상의 발광 가능. 거대한 면적의 제조가 가능한 유연하고 경제적인 물질. 우수한 온도 안정성
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- 2003-01-24
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
마이크로 전자 장치와 광학 장치의 신뢰성은 결합제의 기계적 강도에 크게 의존한다. 예를 들어, 플립 칩 결합제는 패킹 모듈에Si 칩을 결합시키기 위하여 사용된다. 그러나, 순환 열은 플립 칩에 피로 현상을 유발시킨다. 유사하게, 고정밀 장치와 광학 섬유 및 반도체 레이져에서 사용된 결합제의 장시간 신뢰성은 결합제 합금의 고유 저항에 의존한다. 본 기술은 높은 기계적 강도 뿐만 아니라 낮은 융점을 가지고, 납이 포함되지 않은 결합제를 개발한 기술이다. 본 기술은 마이크로 전자 장치나 광학 장치등의 제조에 응용할 수 있다.결합제에서 납을 제거. 저융점. 높은 기계적 강도
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- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
InGaN과 같은 3족 질화물의 합금들은 반도체 발광 다이오드에서 높은 효율을 나타내고 우수한 특성을 나타내며 중요한 역할을 한다. 그러나, InGaN 물질은 낮은 열적 안정성 때문에, GaN과 AlGaN보다 더 낮은 온도에서 성장되어야만 한다. 현재, InGaN은 1000oC 이상의 온도에서 성장되고 있다. 이와 같은 높은 온도에서, 제조 공정은 제조 단가가 상승하게 되고, 기질, 갈륨 질화물 층 그리고 최종 생산된 구조에 대해 손상을 주게 된다. 또한, 도펀트 확산과 좋지 않은 헤테로접합 형성의 문제도 발생시킨다. 본 기술은 3족 질화물 필름의 저온 성장을 위한 새로운 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 높은 성장 속도를 가지면서 열적으로 민감성 3-5족 반도체 합금의 저온 제조가 가능한 기술이다. 또한, 본 기술은 레드 쪽으로 3족 질화물의 밴드갭을 이동시키는 특별한 의미도 가지고 있다. 본 기술은 광학용 및 전자장치용 갈륨 질화물 필름과 이와 관련된 합금들의 제조 등에 유용하게 이용될 수 있다. 또한, 본 기술은 청색, UV, 풀 칼라 발광 장치의 제조에 사용될 수 있다. 본 기술은 전자 장치로 제조가 가능한 3족 질화물을 제조하기 위한 강력하고 매우 생산적인 시스템이다. 본 기술은 갈륨 질화물 성장을 돕기 위하여 수은과 제논 가스로부터 UV 방출을 사용한다. 이와 같은 UV의 사용은 에피탁시하게 성장하는 갈륨 질화물과 갈륨 질화물 합금을 위해 요구되는 성장 온도를 상당하게 낮추게 된다. 또한, UV의 사용은 인듐 갈륨 질화물의 성장 속도를 증가시키고, 금속-산화물 화학적 증착법 (MOCVD)의 성장 효율을 증가시킨다. 한편, 본 기술은 갈륨 질화물 층의 성장 온도를 더욱 낮추고자 하는 것이 연구의 가장 큰 목적이라 할 수 있다. 또한, 갈륨 질화물의 성장 속도를 증가시키고, 저렴하고 효율적으로 3족 질화물 장치를 제조하는 것이 본 기술의 목적이라 할 수 있다. 물질의 결정성, 광학적, 전자 특성 향상. 레드에서 그린까지 발광하는 질화물 반도체 생산 가능. 저온 성장에 의해 제조 단가가 저렴. 높은 성장 속도를 가짐
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
디지털 시그널 프로세싱 (DSP)의 응용을 위한 배율기는 많은 부산물을 줄일 수 있기 때문에 이미 잘 알려진 것처럼 변형된 부스-암호 알고리즘을 많이 사용하고 있다. 상호연결부분의 과다한 전력 소비가 마이크로 단위의 디자인을 어렵게 만들기 때문에, 규칙적인 캐리-세이브 배열 구조는 부산물 축소를 위한 좋은 기술이라고 할 수 있다. 본 기술은 전력 소비를 줄이면서도 기존 캐리-세이브 배열의 모든 이점을 그대로 가지고 있는 “재조직된” 그리고 규칙적인 부산물 첨가 구조를 가지고 있는 새로운 기술이다. 본 기술은 디지털 시그널 프로세싱 응용을 위한 디지털 집적 회로의 디자인에 유용한 기술이다.전력 소비를 줄임. 외부 회로를 필요로하지 않음. 캐리-세이브의 규칙적인 배열
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- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
현재, 사용되는 물질들은ROM, WROM, 또는 파괴적인 (지워지지 쉬운) 저장 장치용 물질들만이 존재한다. 본 기술은 비 파괴적인 읽기 조판과 공정을 가진 쓰기, 읽기, 지우기 (W/R/E)가 가능한 물질을 개발한 기술이다. 본 기술은 고 밀도, 패러렐 어세스, 지우기가 가능한 컴퓨터 저장 장치, 광학 저장 디스크, 테이프, 큐브, DVD 등의 모든 형태에 응용 가능하다.광학적 방법으로 정보의 저장 가능. 정보의 선별적 지우기 가능
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- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
기존의 단일-극 이중-행정 (SPDT) 스위치는 두개의 다른 통로에 두개의 보상 단일-극 단일-행정 (SPST) 스위치를 가지고 있다. 각각의 SPST 스위치를 ON과 OFF로 구분하여 스위치 조작하므로써, 시그널은 하나의 통로로는 유도되고 다른 통로로는 차단된다. 이와 같은 구조의 문제점은 두개의 DC 바이어스를 필요로 한다는 것이다. 따라서, 이와 같은 구조는 형상 배열 안테나의 빔 조정자와 같이 많은 제어 바이어스를 필요로 하는 응용분야에 적용하기에 어렵다는 문제점을 가지고 있다. 본 기술은 두개의 단일-제어된 MEMS를 사용하는 단일-극 이중-행정 스위치 구조를 개발한 특별한 기술이다. 본 기술은 동작 특성의 불안정함 없이, 한 통로로부터 다른 통로까지 시그널을 스위치하는데 단지 하나의DC 제어 바이어스를 사용한다.단지 하나의 DC 제어 바이어스 사용. 낮은 주입 손실. 우수한 직진성과 핸들링 능력
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
혼합된-시그널 집적 회로는 휴대폰, 휴대용 전자기기, 고속 모뎀 그리고 컴퓨터 하드 드라이브와 같은 데이터 저장 장치에 사용하기 위하여 중요한 집적 회로의 형태로서 출현하였다. 노이즈를 가진 회로와 노이즈-민감성 회로는 같은 기질위에 종종 함께 제조된다. 그에 따라, 간섭과 접지의 문제가 장치의 동작 특성에 좋지 않은 영향을 미치게 된다. 본 기술은 반도체 기질 안으로 매우 높은 전도성 금속 영역을 결합시키기 위한 두 가지의 특별한 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 혼합된-시그널 집적 회로를 사용하는 많은 장치에 사용 가능하다. 높은 주파수 노이즈로부터 노이즈-민감성 회로를 보호. 낮은 임피던스 통로를 제공. 반도체 기질의 전도성을 매우 높게 함
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
레이져 다이오드에 의해 주입되는 고상 레이져의 효율은 매우 높다. 그러나, 이와 같은 레이져는 고상 레이져 결정 구조와 반도체 레이져를 결합시키는 것이 복잡하여 제조하기가 어렵다는 단점을 가지고 있다. 또한, 이와 같은 레이져는 수작업으로 제조되기 때문에 제조 단가가 높다. 본 기술은 집적 반도체 주입 장치를 가진 고상 레이져를 제조하기 위한 구조와 방법들을 설계한 기술이다. 본 기술에서와 같은 단일 구조는 기존의 반도체 공정 기술에 의해서 제조될 수 있고, 더 작고 더 싼 고상 레이져를 생산하기 위한 잠재력을 가지고 있다. 본 기술은 응용 장치의 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 제조 단가를 낮추고 제조를 쉽게 할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 기술의 특징은 자체적으로 주입할 수 있는 단일 고상 레이져를 제조할 수 있다는 것이다. 또한, 반도체나 절연체, 폴리머 제조 공정과 같은 제조 기술을 가지고 제조 될 수 있는 집적화된, 다이오드 레이져 주입, 고상 레이져이다. 본 기술은 기질, 주입 광을 제공하기 위하여 기질 위에 성장된 반도체 광 소스 그리고 기질 위에 성장된 고상 레이져 구조로 구성되어 있다. 고상 레이져 구조는 주입 광에 대해 투명한 주입 거울, 출력 거울, 주입과 출력 거울 사이에 증착되어 있는 도프된 반도체 층, 활성 금속 이온을 가지고 도프된 반도체/절연체/고분자 층으로 이루어져 있다. 본 기술은 고상 레이져용 주입 광의 소스로서 발광 다이오드나 반도체 레이져를 사용한다. 또한, 본 기술은 주입 소스로서 밴드폭이 넓은 물질 (갈륨 산화물)을 사용한다. 그러므로, 전 가시영역의 스펙트럼 (파랑, 초록, 빨강 등)이 주입될 수 있다.제조가 간편. 제조 단가가 저렴. 장치의 크기를 줄일 수 있음
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- 2003-01-24
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
평판 디스플레이 (FPD) 기술은 과거 10년동안 급속하게 향상하였다. 따라서, 고성능의 풀-칼라, 고화질 영상을 디스플레이하는 것이 가능하게 되었다. 현재의 FDP 기술로는 액상 디스플레이 (LCD), 전자발광 디스플레이 (ELD) 그리고 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP) 등이 있다. 이와 같은 방법들은 높은 제조 비용, 색상 선명도의 부족, 많은 전력 소비와 같은 많은 단점을 가지고 있다. 본 기술은 다양한 색상을 만들어내는 양자 도트 (점 배열)의 모듈화를 위해 특별한 기술을 개발하였다. 또한, 본 기술은 다양한 색상을 만들어내기 위하여 양자 도트 (점 배열)의 밴드갭을 이동시키는 것이 가능하다는 잇점을 가지고 있다. 다양한 색상을 제조할 수 있음. 양자 도트의 모듈화
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 레이져 절제술을 사용하여 전이 물질, 알칼리토 그리고 알칼리 금속 산화물을 포함한 4원소 금속 산화물의 박막 필름을 개발한 것이다. 본 필름은 단일 금속 산화물, 여러가지의 배합 비율 또는 금속 요소의 다양한 화학 조성을 가진 2개의 금속 산화물을 포함하기 위하여 형성될 수 있다. 본 기술은 메탈의 분자화와 석탄의 가스화할 때 촉매화된 반응에 포함된 가스와 함께 반응 메커니즘과 반응 운동성의 세부적인 연구를 위한 기질로써; 촉매 반응자의 구성요소와 촉매 지지물에 대한 코팅으로써; 광학적 코팅으로써; 반도체와 관계된 전자 물질 그리고 환경 개선 물질로써 응용된다.다양한 조성의 박막 필름의 제조. 화학적 조성의 정확한 제어와 재현. 결정성 필름의 제조 가능. 원하는 화학 조성을 가진 박막 필름
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- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
웨이퍼 위에 성장한 에피탁셜 구조에서 가로축의 커다란 변형은 헤테로-접합 광학-전자 장치 영역에서 고전적인 문제들이 많이 발생된다. 작은 변형을 수용하는 영역은 같은 기질 위에 다른 장치와 다른 장치 영역을 한꺼번에 제조할 수 있다. 에피탁셜 재성장과 웨이퍼 결합을 일렬로 정렬시키는 방법 등으로 이와 같은 문제를 해결하기 위한 기술들이 개발되어 왔다. 그러나, 이와 같은 방법들은 에피탁셜 영역에서 결합/재성장의 단계를 증가시킨다. 결합과 재성장 단계는 높은 온도의 열처리 과정에서 발생하는 웨이퍼의 손상과 물질의 손실을 발생시키기 때문에, 이와 같은 기술로 두개 이상의 에피탁셜 영역을 제조하는 것은 어렵게 된다. 본 기술은 기존의 문제점들을 해결하기 위하여 다중 에피탁셜 영역의 기질을 제조할 수 있는 특별한 기술을 개발하였다. 본 기술은 하나의 기질 위에 우수한 에피탁셜 특성과 높은 생산 효율을 가진 많은 수의 에피탁셜 영역을 제조할 수 있다. 본 기술은 반도체 레이져나 광학 디텍터 뿐만 아니라 헤테로-접합 광학전자 장치, WDM 배열, 광학 집적 회로 등의 제조에 이용할 수 있다.하나의 웨이퍼 기질 위에 다른 구조나 장치를 많이 제조 가능. 물질의 손실이나 기질의 손상을 막을 수 있음. 하나의 웨이퍼에 다기능의 장치 제조 가능
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- 대일기업평가원
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- 2003-06-16
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
웨이퍼의 크기가 작은 소규모 장치는 웨이퍼의 규모에 비례하여 발생하는 기생적인 손실을 피하면서 반도체 레이져의 동작 특성을 향상시킬 수 있다. 산화물과 공기 애퍼쳐는 레이져의 규모, 특히 수평-캐비티 표면-발산 레이져 (VCSEL)의 규모를 작게 할 수 있도록 빛, 전류, 캐리어를 작은 부피로 제한 할 수 있다. 예전의 산화물-애퍼쳐 VCSEL은 1mm까지 애퍼쳐의 직경을 작게 하면서 빛과 전류를 제한할 수 있다. 그러나 캐리어는 제한하지 못한다. 선택적으로 애칭을 하므로써 활성 영역이 세가지의 요소를 모두 제한할 수 있는 애퍼쳐를 형성할 수 있게 한다. 그러나, 이와 같은 방법은 애퍼쳐의 직경이 10mm를 넘게 된다. 하나의 장치에 이와 같은 두가지 방법을 결합한 애퍼쳐는 빛, 전류, 캐리어를 제한 할 수 있고, 애퍼쳐의 직경을 5mm까지 줄일 수 있다. 한편, 기존 기술에서 발생되는 기생적인 손실을 줄일 수 있고, 기존 기술의 장점을 살릴 수 있다. 본 기술은 광학, 전류, 캐리어 제한하기 위하여 반도체 레이져에서 여러가지 모양과 크기의 다중 산화물 또는 공기 애퍼쳐를 제조하는 것이 가능한 특별한 기술을 개발하였다. 본 기술은 InP 위에 장-파장의 VCSEL에 유용하게 사용할 수 있다. 직경은 수 마이크로까지 제어할 수 있다.하나의 장치에서 빛, 전류, 캐리어의 제한이 가능. 수 마이크로까지 제조 가능. 직경의 크기에 비례하는 기생적 손실을 줄일 수 있음
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- 대일기업평가원
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- 2003-06-16
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
초소형, 초스피트, 초정밀 그리고 높은 효율의 장치를 제조하는 것은 나노기술의 목표중의 하나이다. 그와 같은 장치를 만드는데 있어 중요한 것은 1GHz이상의 속도를 가진 나노스케일의 기기를 개발하는 것이다. 나노스케일의 기기는 나노스케일의 모터와 엔진을 필요로 한다. 본 기술은 다중 나노튜브로 만들어진 하나 또는 그 이상의 초스피드 나노스케일 발진기로 구성된 특별한 나노엔진을 개발한 기술이다. 본 기술은 피스톤이 실린더 내에서 움직이면서 기존의 엔진과 같은 기능을 한다. 본 기술은 강력한 나노스케일의 장치에 응용할 수 있다.나노 크기의 엔진 제조 가능. 초고속의 엔진 제조 가능
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- 대일기업평가원
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- 2003-06-16
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 고종횡비(high aspect ratio)의 3차원 실리콘주조물을 제작하는 기술이다. 고종횡비의 3차원 실리콘구조물 가공에는 빠른 식각속도와 큰 식각이방성을 갖는 공정이 필요하며, 특히 낮은 압력에서 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있는 ICP(Inductively coupled coupled plasma)를 이용한 반응성이온식각(RIE)이 필요하다. 본 기술은 플라즈마의 조성을 주기적으로 조절하여 보호막증착(Passivation)과 식각(etching)이 주기적으로 일어나게하여 고종횡비를 얻는 방법을 적용하였으며, 시료 패턴모양 또는 load effect에 의한 식각특성 변화 등도 고려하여 최적 공정조건을 확립하였다. 본 기술은 각종 고감도 센서 및 액추에이터의 감지부 또는 구동부에 널리 쓰이는 실리콘구조물 제작에 유용하게 쓰일 수 있다.보호막 증착 주기와 등방성 또는 비등방성 식각 주기를 조절함으로써 임의의 단면모양을 갖는 미세구조물을 제작할 수 있다.- 반도체 제조 장비 개발 ⇒ Deep Etcher 개발, 식각공정 설계 및 개발- 첨단 반도체 소자 제조 ⇒ deep trench 식각- 첨단 센서 및 액추에이터, MEMS 등 제작 ⇒ SOI 식각, 다결정실리콘 식각
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- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2003-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 마이크로 센서소자 제작에 널리 쓰이는 실리콘 기판과 열팽창 계수가 비슷한 Pyrex 유리를 접합시키는 기술이다. Pyrex 유리(코닝유리 7740)에는 일정양의 나트륨(Na), 칼륨(K)등이 포함되어 있어 200℃ 이상의 온도로 가열하면 이러한 불순물은 전하를 띠게되고 전압에 따라 쉽게 이동한다. 실리콘과 유리를 정렬시키고 양쪽에 600V 이상의 직류접압을 가해주면 이동성 전하들은 급속히 움직이도 실리콘-유리 계면에는 강한 대전현상이 일어나 실리콘-유리가 접합한다. 이 방법에 의한 접합강도는 상당히 강하며 접합에 걸리는 시간은 샘플 크기에 따라 수초에서 수 분 정도다, 마이크로 소자의 패키지 시 진공 중에서의 접합하면 불순물이 끼지 않고 접합 강도가 높은 실리콘-파이렉스 유리의 접합을 얻을 수 있다.마이크로 소자의 패키지 시 진공 중에서의 접합으로 particle 이 끼지 않고 접합강도가 높은 실리콘 - 파이렉스 유리의 접합을 얻을 수 있다. - 마이크로 센서 개발 ⇒ 패키지 기술 - 바이오 칩 개발 ⇒ 채널형성 기술 - 첨단 센서 개발 ⇒ 멀티 칩 결합
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- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2003-03-03
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
산화물계 물질중 half-metallic한 특성을 갖는 대표적인 물질인 Fe3O4의 형성에서 Fe3O4 target를 사용하지 않고, 순수한 Fe target을 sputtering하는 방법으로 형성하기 어려운 점을 극복하기 위해 기존의 기판에서의 thermal 외부에너지를 가해주는 방법 대신 외부에서 thermal 에너지보다 더 강한 새로운 RF 에너지를 가해줌으로서 Fe3O4와 그 외 산화물계의 박막을 제조하여 magnetic random access memory 소자와 magnetic sensor 소자 및 차세대 스핀소자등 여러 가지 고속, 고주파 소자들에 응용외부에서 에너지를 가해줌으로서 sputtering과정에서 형성되기 어려운 결정 구조를 형성할 수 있다
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-01
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
실리콘을 함유한 2층 레지스트용 공중합체의 합성과 그 레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 기존의 2층구조 레지스트에서 보여지는 단점을 보완한 새로운 구조의 2원 공중합체와 3원 공중합체를 제안하였고 이를 이용해 광산발생제를 포함하는 레지스트 조성물을 제조 하였다. 새로이 합성된 공중합체들은 높은 Silicon 함량을 가졌으며 내에칭성을 증가시키기 위해 싸이클로 펜던트 그룹을 도입하였고 막질에 대하여 좋은 접착 특성을 가지기 위해 히드록시기를 도입하였다.본 발명에서 제안한 새로운 구조의 공중합와 이를 이용한 레지스트 조성물은 ArF 엑시머 레이져의 193nm의 파장대의 빛에서 좋은 투과도를 갖고, BLR로 사용하기에 충분한 실리콘 함량을 가지며, 공정상 요구되는 2.38 중량% 농도의 TMAH(테트라메틸암모늄 하이드록사이드) 현상액에서 현상성이 뛰어나다. 또한, 내에칭성을 향상 시키기 위해 폴리머에 싸이클로 펜던트 그룹을 도입하였고 막질에 대하여 좋은 접착 특성을 가지기 위해 히드록시기를 도입하였다. 이 새로운 구조와 광산발생제의 조성물은 아주 좋은 감도를 가지며, 이 레지스트 조성물을 이용하여 0.3 ㎛ 이하의 미세 레지스트 구조물을 형성시킬 수 있었다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-01
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 AFM(Atomic Force Microscope) 리소그래피에 응용되는 실리콘을 함유한 아크릴레이트계 공중합체를 제공한다. 또한, 본 발명은 반도체 또는 금속 기판 위에 다음의 상기의 공중합체로 이루어진 초 박막을 형성시킨 후, 새로운 미세가공 장치인 AFM의 탐침을 이용하여 상기의 박막에 국부적으로 전압을 가해주어 수 나노 미터 크기의 산화 패턴 형성시키는 기술에 관한 것이다.본 발명에서 제공하는 실리콘 함유의 아크릴레이트계 공중합체는 AFM 을 이용한 산화패턴 형성 시에 충분한 감도를 가지면서 기판 위에 도포 성능이 뛰어나며 막질에 대하여 우수한 접착 특성을 가진다. 또한 0.1 ㎛ 이하의 미세 패턴을 형성할 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-01
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
분자선 Molecular beam epitaxy(MBE)법을 이용하여 Ⅱ-Ⅳ족 화합물을 모재로 하여 4원계 희박자성반도체 박막이 실온에서 유일하게 Faraday회전 (광편파면 회전에 관여하는 광자기 특징)을 나타내는 재료로 알려져 있는 Ⅱ-Ⅳ족 3원계 희박자성 반도체 CdMnTe와 비교해서 5~10배의 크기의 광자기 특성을 나타내는 것이 발견되었다. 희박자성 반도체는 상자성체에 있어서 Faraday 회전특성이 외부자계에 비해서 선형이기 때문에 계측디바이스용 소자로 이용될 수 있다.본 4원계 자성반도체는 페러데이(Faraday) 회전 특성이 기존의 3원계 반도체 박막의 특징을 대폭 초월하는 것으로 -1 ~ -3/㎝ Gauss라는 10배 이상의 수치가 되고 있다. 따라서 본 제품은 전력분야에서 기존의 유도형 교류기에 따라 소형사이즈 광변류기의 자계센서와 고전압 방전현상 등에 동반하는 과도적인 자기현상의 측정용 센서에 이용될 가능성을 가진다.
- 보유기관
- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2003-05-15
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