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최근 제올라이트(zeolite)나 그와 유사한 나노미터의 크기의 내부공간을 가지는 물질의 합성에 많은 관심이 집중되고 있다. 이러헌 물질들은 내부의 빈 공간을 이용하여 다른 guest-molecule을 인식하고 받아들일 수 있을 뿐만 아니라, 내부 공간의 특정한 성질을 이용하여 반응의 촉매로도 이용될 수 있는 여러 가지 장점을 지니고 있다.최근에 무기 금속착물과 유기 분자가 결합된 형태의 초분자체(supramolecule) 합성에 초점이 모아지고 있다. 이러한 물질들은 무기 금속착물을 초분자체 합성을 위한 구조단위체 (building block)로 사용하고 이것을 다시 유기분자를 이용하여 연결함으로써 내부에 공간을 가지는 물질을 합성하는 것으로, 이 방법을 이용하면 내부의 얽힘을 방지할 수 있다.
나노에말션은 계면관련 전 산업분야에 이용되는 고부가가치 초미세기술로서 미세한 약물전달체 입자를 만드는 중요한 기술이다. 이중 O/W 나노에멀션은 유효성분을 비교적 많이 함입할 수 있고 피부흡수력이 우수한 나노기술이다. 현재 세계적으로도 나노에멀션은 고압(500-1,600기압)유화법으로 만들어지는데 이 기술로서는 진정한 나노에멀션크림을 만들 수 없으므로 액상의 나노에멀션제품을 제조한다든지 또는 나노입자를 소량 함유한 크림제품을 제조하고 있다. 즉, 입자크기가 200nm 이하인 100% 진정한 나노에말션크림 제품은 만들지 못하고 있다. 나노에멀션은 입자크기가 20-200nm인 액체의 분산계를 말하는데 입자가 작기 때문에 단위 부피 당 큰 표면적을 가지므로 부력이 크고 또한 높은 물리적 열적 안정도를 갖는 특성이 있다. 입자가 작고 피부와 유사한 액정 계면막으로 인해 나노에멀션제품은 피부흡수성이 우수하여 피부에 잘 작용하므로 약물 전달체로 이용되고 있는데 일반 유화제품보다 품질이 월등히 우수하다. 특히, 입자가 50nm 이하로 작고 또한 그 구성성분이 피부조직구성체와 유사하여 피부세포 속까지 흡수되는 "나노화장품"은 각광을 받는 고기능성 제품이다.. 에멀션크림의 제조기술에서 가장 중요한 것은 입자를 작게 만드는 것인데 이를 위해서는 많은 에너지가 필요하고 동시에 입자를 안정화시키는 기술이 필요하다. 그러나 종래는 입자를 작게 만들기 위해 주로 고압 (500-1,600기압) 유화기술이 이용되어 왔으나 고압에서는 내상의 농도가 높으면 입자가 쉽게 응집되어 내상 유상의 함량이 약 20%이상인 나노에멀션크림을 못 만드는 기술상의 한계점과 낮은 경제성의 2가지 큰 단점을 가지고 있어서 나노에멀션 제품이 우수하다는 것을 알면서도 대중화가 되지못하고 있다. 이를 해결하기 위하여 경제적으로 그리고 현재 기술들의 한계를 뛰어넘는 진정한 100% 나노에말션 화장품, 의약품들은 품질이 획기적으로 향상될 수 있으므로 이러한 새로운 나노에말션 제조기술이 절실함을 느끼고 개발하게 되었다.(주)비타코스가 가 개발한 “상압 세탸-포인트 2상복합물 100% 나노에멀션크림 제조기술”은 상압 및 40-80°C의 비교적 낮은 온도의 세타-포인트에서 비타닉스 항산화 나노유화제를 사용하여 내상의 함량에 거의 제한 없이 평균 입자크기 50nm 또는 그 이하의 100% 진정한 나노에멀션크림을 간단한 교반만으로 만들 수 있는 경제성이 뛰어난 혁신적인 나노신기술로서 화장품, 의약품 등의 약물전달체(DDS) 산업은 물론 콜로이드관련 모든 산업에 적용될 수 있으므로 그 경제적 가치는 지대하다고 할 수 있다. 현재 국내는 물론 전 세계적으로도 이와 같은 품질의 나노에멀션크림을 만드는 기술이 알려진 것은 없었다. 현재까지 나노에멀션의 제조에는 주로 고압호모지나이저를 이용하는 고압(500-1,600기압)유화법이 주로 이용되고 있으나 이 기술은 고압에서 작은 노즐을 통해 점성이 낮은 유화물만 만들 수 있으므로 고가의 기기를 사용해야하는 문제와 또한 좁은 노즐을 통해 제조해야함으로 생산성이 나쁘며 또한 O/W 유화에서 오일상이 30% 이상인 고농도의 크림상 유화를 만들 수 없는 기술적 한계 때문에 나노에멀션이 우수한 특성을 가진다는 것을 알면서도 나노에멀션 제품이 대중화 실용화 되지 못하고 있는 실정이다. 본기술은 O/W 유화에서 내상인 오일상의 함량범위 20-80%에서 오히려 오일상이 많을수록 보다 미세한 입자가 더 잘 만들어지는 혁신적인 제조기술이다. 또한 항산화성 비타민 E 유도체 항산화 나노유화제를 사용함으로서 함유된 성분의 안정한 보존은 물론 피부의 노화를 막아주는 항산화작용이 우수한 특징이 있다. 또한 고분자 나노유화제를 사용함으로서 피부흡수가 잘되면서도 기존의 나노에멀션제품의 단점인 생체 안전성의 문제가 해결되었다. 이렇게 본기술은 세계 최초로 그 입자의 평균직경이 50nm 또는 그 이하로 미세하여 피부흡수성이 뛰어나고 항산화 생리활성을 가지면서 생체안전성도 우수한 100% 진정한 나노에멀션크림을 만들 수 있는 우수한 신기술이다.또한 일부 비타닉스 원료는 iN VIVO 항산화력이 현재 주료 사용되고 있는 Vitamin E acetate 보다도 훨씬 우수하고 항산화력이 우수하나 자체가 불안정한 Vitamin E 보다도 우수한 성질을 가지므로 이들의 대체 원료가 될 수 있다.
본 발명은 La 착체 및 이를 이용한 BLT(Bi 4-x La x Ti 3 O 12 (0<x<4)) 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 증착 특성이 우수하고 용해도가 뛰어난 하기 화학식 1의 구조를 갖는 La 착체, 및 하기 화학식 2의 Ti 전구체, 및 알킬계 Bi 전구체를 포함하는 증기를 250 내지 450℃로 가열된 기판에 접촉시키는 본 발명의 방법에 의하면, BLT 박막을 온화한 조건 하에서 용이하게 제조할 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; [화학식 2] [IMAGE 2] ; 상기 식에서, A는 펜타메틸디에틸렌트리아민(PMDT) 또는 트리에톡시트리에틸렌아민(TETEA)이고, m은 2 내지 5의 정수이다.전구체로서의 하기 화학식 1의 구조를 갖는 La 착체, 하기 화학식 2의 Ti 전구체 및 알킬계 Bi 전구체를 포함하는 증기를 250 내지 450℃로 가열된 기판에 접촉시키는 것을 포함하는, 유기금속 화학증착법에 의한 BLT(Bi4-xLaxTi3O12(0<x<4)) 박막의 제조방법: 화학식 1 [IMAGE 6] 화학식 2 [IMAGE 7] 상기 식에서, A는 펜타메틸디에틸렌트리아민(PMDT) 또는 트리에톡시트리에틸렌아민(TETEA)이며, m은 2 내지 5의 정수이다.
본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 PZT(lead zirconate titanate) 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 Ti 전구체 및 Zr 전구체, 및 Pb 전구체를 포함하는 증기를 300 내지 550℃로 가열된 기판에 접촉시키는 본 발명의 방법에 의하면, 원하는 조성의 PZT 박막을 저온에서 용이하게 제조할 수 있다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, M은 Ti 또는 Zr이고, m은 2 내지 5의 정수이다. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 Ti 전구체 및 Zr 전구체, 및 Pb 전구체를 포함하는 증기를 300 내지 550℃로 가열된 기판에 접촉시키는 것을 포함하는, 유기금속 화학증착법에 의한 PZT(lead zirconate titanate) 박막의 제조방법: 화학식 1 [IMAGE 5] 상기 식에서, M은 Ti 또는 Zr이고, m은 2 내지 5의 정수이다.
본 발명은 금속 착체 및 이를 이용한 금속 나노점의 제조방법에 관한 것으로서, 기화특성이 우수한 하기 화학식 1의 구조를 갖는 금속 착체의 증기를 기판에 접촉시키는 본 발명의 방법에 의하면, 목적하는 크기 및 밀도의 금속 나노점을 용이하게 증착시킬 수 있다.; [화학식 1] ; 상기 식에서,; L 1 은 [CH 2 =CH-Si(CH 3 ) 2 ] 2 -O 또는 [CH 2 =CH-R-Si(CH 3 ) 2 ] 2 -O이고(이때, R은 C 1-8 의 알케닐기이다);; M은 Cu, Ni, Fe, Co, Ir, Ru 등의 금속이고;; L 2 및 L 3 은 각각 독립적으로, β-디케토네이트, 알콕시드, 아민계 화합물 등의, M과 결합할 수 있는 리간드이고;; n은 1 내지 5의 정수로서, 상기 M의 결합수에 따라 달라진다. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 금속 착체: 화학식 1 (L 2 ) n -M-L 1 -M-(L 3 ) n 상기 식에서, L 1 은 [CH 2 =CH-Si(CH 3 ) 2 ] 2 -O 또는 [CH 2 =CH-R-Si(CH 3 ) 2 ] 2 -O이고(이때, R은 C 1-8 의 알케닐기이다); M은 금속이고; L 2 및 L 3 은 각각 독립적으로 M과 결합할 수 있는 리간드이고; n은 1 내지 5의 정수로서, 상기 M의 결합수에 따라 달라진다.
본 발명은 유기금속 착체 및 이를 이용한 금속 실리케이트 박막의 증착방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1의 유기금속 착체의 증기를 기판에 접촉시키는 본 발명의 방법에 의하면, 반도체 소자용 게이트 절연막으로 유용한, 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 간편하게 제조할 수 있다:; [화학식 1] ; 상기 식에서,; M은 3가 또는 4가 금속이고;; R은 C 1-4 의 알킬이고;; X는 할로겐이고;; Y는 O 또는 N이며;; M이 3가 금속인 경우 a는 3이고, b는 1 내지 3의 정수이고, M이 4가 금속인 경우 a는 4이고, b는 1 내지 4의 정수이고;; Y가 O인 경우 m은 1이고, Y가 N인 경우 m은 2이다. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 유기금속 착체의 증기를 기판에 접촉시키는 것을 포함하는, 금속 실리케이트 박막의 증착방법: 화학식 1 (X) a-b -M-(Y-(Si(R) 3 ) m ) b 상기 식에서, M은 3가 또는 4가 금속이고; R은 C 1-4 의 알킬이고; X는 할로겐이고; Y는 O 또는 N이며; M이 3가 금속인 경우 a는 3이고, b는 1 내지 3의 정수이고, M이 4가 금속인 경우 a는 4이고, b는 1 내지 4의 정수이고; Y가 O인 경우 m은 1이고, Y가 N인 경우 m은 2이다.
본 발명은 유기금속 화학증착법을 이용한 PZT(lead zirconate titanate) 박막의 제조방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 Pb(methd) 2 , 하기 화학식 2로 표시되는 Zr(methd) 4 및 하기 화학식 3으로 표시되는 Ti(mpd)(methd) 2 를 포함하는 단일의 혼합 전구체 용액을 기화시킨 후 360 내지 560℃의 온도 범위에서 기재에 증착시키는 것을 포함하는 본 발명의 방법에 의하면, 요구되는 조성을 가지는 PZT 박막을 용이하게 제조할 수 있다:; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; [화학식 2] [IMAGE 2] ; [화학식 3] [IMAGE 3] 하기 화학식 1로 표시되는 Pb(methd) 2 , 하기 화학식 2로 표시되는 Zr(methd) 4 및 하기 화학식 3으로 표시되는 Ti(mpd)(methd) 2 를 포함하는 단일의 혼합 전구체 용액을 기화시킨 후 360 내지 560℃의 온도 범위에서 기재에 증착시키는 것을 포함하는, PZT(lead zirconate titanate) 박막의 제조방법: 화학식 1 [IMAGE 7] 화학식 2 [IMAGE 8] 화학식 3 [IMAGE 9]
원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 금속 전구체와 수소를 포함한 실리콘 전구체를 이용하여 금속 실리케이트를 제조하고, 중간 단계에 알루미늄 전구체 이용해 알루미늄 원자층을 추가한다. 이때, 알루미늄 전구체, 예컨대 TMA(trimethylaluminum)와 수증기(H 2 O)와의 반응으로 생긴 작용기(OH)와 TMA가 가지고 있는 리간드(CH 3 )가 실리콘 전구체에 함유된 수소와 반응하여 박막 내의 수소의 양을 줄일 수 있다. 기판을 포함하는 반응 챔버에 금속 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 기판 상에 금속-히드록시(OH) 원자층을 형성하는 단계; 상기 금속-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 알루미늄 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 상기 기판 상에 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층을 형성하는 단계; 상기 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 수소를 포함하는 실리콘 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 수소가 함입되지 않는 금속-산소-알루미늄-실리콘 원자층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속-히드록시 원자층 형성 단계, 상기 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층 형성 단계 및 금속-산소-알루미늄-실리콘 원자층 형성 단계를 사이클적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법.
본 발명은 Ru/RuO 2 박막의 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 Ru(OD) 3 (OD: 옥탄디오네이트)를 전구체로 사용함으로써 유기금속화학증착법에 의해 기판 상에 우수한 특성을 가진 고순도의 Ru/RuO 2 박막을 높은 증착속도로 형성시킬 수 있다. Ru(OD) 3 (OD: 옥탄디오네이트)를 알콜성 용매에 용해시킨 용액을 순간기화기에서 기화시키고, 생성된 증기를 아르곤 또는 아르곤과 산소의 혼합 가스에 의해 증착 반응기로 이송하여 기판과 접촉시킴을 포함하는, 기판 상에 Ru 또는 RuO 2 박막 또는 이들의 혼합박막을 형성시키는 방법.
본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 열안정성이 높고, 낮은 온도에서도 기화 특성이 우수하기 때문에 유기금속화학증착법 (MOCVD, metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 효율적으로 박막을 제조할 수 있다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; (상기식에서, M, m, R 1 , R 2 , R 3 , 및 R 4 는 명세서 중에서 정의한 바와 같다.) 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 [IMAGE 9] 상기식에서, M은 Ti 또는 Zr이고; R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 각각 독립적으로 H 또는 C 1-4 알킬이며; m은 2 내지 5의 정수이다.
본 발명은 액상 유기구리 전구체의 열적 안정성을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 (hfac)Cu(I)L (여기서, hfac는 헥사플루오로아세틸아세토네이트이고, L은 중성 리간드이다)로 나타내어지는 액상 유기구리 전구체에, L과 다른 중성 리간드, L'를 첨가함으로써 그의 열 안정성을 지속적으로 유지시켜 구리 박막 증착시 재현성과 신뢰성을 높이고 박막의 모폴로지나 물성을 크게 향상시킬 수 있다. 하기 식의 액상 유기구리 전구체에, 이 전구체의 중성 리간드보다 비점이 높은 이종의 중성 리간드(L') 물질을 0.01 내지 50 부피%의 양으로 첨가하는 것을 포함하는, 액상 유기구리 전구체의 열적 안정성 향상 방법: 화학식 1 (hfac)Cu(I)L 상기 식에서, hfac는 헥사플루오로아세틸아세토네이트이고, L과 L'는 중성 리간드이다.
본 발명은 계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실리콘 반도체막 위에 이산화규소 절연막을 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소로 플라즈마 처리하고, 이어서 절연막을 추가로 증착시키는 본 발명의 방법에 따르면, 반도체막과 절연막 간의 계면부 및 전이영역의 결함을 감소시키고 전기적 화학적 특성을 개선시켜 우수한 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 폴리실리콘 반도체막 및 이산화규소 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 반도체막 위에 절연막을 3 내지 9 nm의 두께로 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소 플라즈마로 처리하고, 이어서 나머지 두께의 절연막을 추가로 증착시키는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터의 제조방법.
본 발명은 플라스틱과 같이 내열성이 낮은 기판 상에 고품위의 절연막을 증착할 수 있도록 하는 저온 증착 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 방법은 a) 플라즈마에 의해 절연물질 전구체를 포함하는 반응기체를 기판 상에 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 반응기체 공급을 중단하고 플라즈마 처리만을 단독으로 실시하는 단계;를 포함하며, 절연막이 소정 두께에 도달할 때까지 상기 a) 및 b) 단계를 반복하는 것을 특징으로 한다. a) 플라즈마에 의해 절연물질 전구체를 포함하는 반응기체를 기판 상에 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 반응기체 공급을 중단하고 플라즈마 처리만을 단독으로 실시하는 단계;를 포함하며, 절연막이 소정 두께에 도달할 때까지 상기 a) 및 b) 단계를 반복하는 절연막 증착 방법.
본 발명은 반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드 원료기체를 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 기존의 방법보다 획기적으로 낮은 온도에서 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 원자층 화학증착법에 의한 금속 실리케이트 박막의 제조에 있어서, 원료기체로서 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드를 사용하는 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 박막의 제조방법.
본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 상온에서 액상으로 존재하며 기화온도가 낮으므로 화학증착법에 의해 실리콘 또는 하프늄을 포함하는 산화물 박막을 효율적으로 제조할 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; (상기 식에서, M은 Hf 또는 Si이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 5이다) 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 [IMAGE 3] 상기 식에서, M은 하프늄(Hf) 또는 실리콘(Si)이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 5이다.
본 발명은 신규한 유기금속 화합물에 대한 것으로, 하기 화학식 1의 유기금속 화합물은 황색의 발광특성을 가지며 유기전기발광소자에 유용하게 사용될 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, R1 내지 R9은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 또는 C 6-20 헤테로방향족 그룹이다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물: 화학식 1 [IMAGE 5] 상기 식에서, R1 내지 R9은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 또는 C 6-20 헤테로방향족 그룹이다.
본 발명은 신규한 유기금속 화합물에 대한 것으로, 하기 화학식 1의 유기금속 화합물은 황색의 발광특성을 가지며 유기전기발광소자에 유용하게 사용될 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 및 C 6-20 헤테로방향족 기로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물: 화학식 1 [IMAGE 5] 상기 식에서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 및 C 6-20 헤테로방향족 기로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다.
본 발명은 원자층 화학증착법(ALCVD)을 이용한 다성분 박막의 증착에 관한 것으로서, ALCVD의 원료 주입 단계에서, 서로 반응성이 없는 2종 이상의 원료기체를 동시에 주입하고, 이때 상기 원료기체는 증착시키고자 하는 조성비에 해당하는 각각의 양으로 조절하여 주입됨을 특징으로 하며, 본 발명의 방법에 의하면, 목적하는 조성의 다성분 박막을 용이하고 신속하게 증착시킬 수 있다. 원자층 화학증착법을 이용하여 지르코늄 실리케이트 박막을 제조하는 방법에 있어서, 원료기체로서 서로 반응성이 없는 Si(N(C 2 H 5 ) 2 ) 4 기체와 Zr(N(C 2 H 5 ) 2 ) 4 기체를 증착시키고자 하는 조성비에 해당하는 각각의 양으로 동시에 주입하는 것을 특징으로 하는 방법.
본 발명은 BTO에 이트륨(yttrium)이 도핑(dopping)된 BYT 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 BYT 박막은 분극 수치 및 전기적 피로 수준이 향상되어 우수한 강유전 특성을 가지며, 따라서 고속, 대용량, 저전력 및 비휘발성 특성을 갖는 FRAM(ferroelectric random access memory) 소자 등에 유용하게 사용될 수 있다. 하기 화학식 1의 조성을 가진 비스무스 이트륨 티타네이트(BYT) 박막: 화학식 1 Bi 4-x Y x Ti 3 O 12 상기 식에서, x는 0.1 내지 2이다.
본 발명은 반도체 소자용 하프늄 실리케이트(HfSi x O y , 이때 0.1<x<9이고, 2<y<40이다) 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 0.1 내지 2 torr의 반응기 압력 하에서 실리콘 알콕시드, 및 하프늄 할라이드 또는 하프늄 아미도 화합물 원료기체의 증기압을 0.1 내지 2 torr로 조절하여 상기 원료기체를 250 내지 500℃로 가열된 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 불순물의 혼입이 적은, 목적하는 조성의 하프늄 실리케이트 박막을 빠르고 재현성 있게 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 하프늄 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 0.1 내지 2 torr의 반응기 압력 하에서 실리콘 알콕시드, 및 하프늄 할라이드 또는 하프늄 아미도 화합물 원료기체의 증기압을 0.1 내지 2 torr로 조절하여 상기 원료기체를 250 내지 500℃로 가열된 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 것을 포함하는, 하프늄 실리케이트 박막의 제조방법.