일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 열 안정성 및 접촉저항성이 개선된 PHEMT의 Pd/Ge계 옴 전극의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산을 억제시킴으로써 열 안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항을 낮출 수 있는 Au 층이 추가적으로 증착된, 낮은 접촉저항과 향상된 열 안정성을 가진 새로운 옴 전극의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산을 억제시킴으로써 열안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항을 낮출 수 있는 Au 층을 추가적으로 증착시킴으로써 상기 문제점을 해결할 수 있음을 발견하고 본 기술을 완성하게 되었다. 본 기술은 GaAs/AlxGa1-xAs/InGaAs(x=0.1∼0.5)로 구성된 PHEMT 반도체 소자용 옴 전극의 제조에 있어서, 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산을 억제시킴으로써 열 안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항을 낮출 수 있는 Au 층을 추가적으로 포함하도록 제조하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.본 기술은 접촉저항이 낮으면서도 열 안정성이 향상되어 종래의 Ge/Pd/PHEMT에 비해 50배 더 작은 최소 접촉저항을 가진 옴 전극을 제조할 수 있다.본 기술의 제조방법으로 얻어진, PHEMT 반도체 소자 제작용 Au/Ti/Ge/Pd 구조의 옴 전극은 접촉저항을 낮춤과 동시에 열안정성을 향상시켜 종래의 Ge/Pd 구조의 옴 전극에 비해 50배 더 작은 최소 접촉저항을 달성할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 단결정 금속이나 반도체의 표면의 구조 및 성장과정 등을 고정밀 X-선 산란을 통하여 초고진공 상태에서 측정할 수 있도록 한 고정밀 X-선 산란을 위한 초고진공장치에 관한 것으로, 시편의 표면특성을 초고진공 상태에서 여러 분석장치에 의해 측정할 수 있는 기능을 잃지 않도록 하면서 소형화 및 경량화하여 4각 분광장치에 부착 사용할 수 있게 설계함과 아울러 세 개의 오일러 각도들을 모두 임의로 정밀조정(±0.0005°범위에서)할 수 있게 하여, 측정자료의 정밀도를 크게 향상할 수 있게되는 초고진공장치를 제공하고, 장치의 경량화에 따라 X선 출입을 위한 베릴리움 열림각도를 330°까지 확대하여 종래의 장치들로 측정할 수 없었던 여러 가지의 X선 회절점들을 측정케 함으로써 2차 표면구조 파악에 더 많은 자료를 얻을 수 있게되는 초고진공장치를 제공하고자 함에 있다.본 기술의 또다른 목적은 베릴리움 창문은 스테인레스로 된 챔버의 벽면과 특수설계된 봉합구조에 의하여 초고진공 봉합되는 초고진공장치를 제공하기 위한 것이다.본 기술은 4각 분광장치에 간편 용이하게 부착하여 매우 정밀한 측정을 가능케하는 초고진공장치를 제공함으로써, 초고진공 상태에서 행하는 X-선 회절측정 분야에서 유리하게 적용하여 이로 인하여 단결정 금속이나 반도체산업 발전에 크게 기여하는 효과를 갖는 것이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 광섬유 표면 위에 은거울 반응을 이용하여 은을 코팅한 후 그 특성을 파악함으로서 광섬유 코팅 물질로서 은을 사용하기 위한 기술에 관한 것이다.기존의 딥 방식의 금속코팅 방법은 가장 경제적이고 저렴하게 금속을 코팅할 수 있으나, 코팅하기가 어려우며 광섬유 격자에서는 사용이 어려웠다. 즉, 금속코팅의 유용성은 많이 알려져 있었으나 금속코팅 자체의 어려움 때문에 금속코팅으로 광섬유가 널리 이용되지 못해 왔다. 그 외에 기존의 다른 방식들은 고가의 장비가 필요하고, 시간이 많이 걸리며, 광섬유 특성상 표면 전체를 균일하게 코팅해야 하는데 딥방식을 제외한 다른 방식은 한 방향으로만 코팅이 가능하기 때문에 원 전체를 균일하게 코팅하기가 어려웠다. 또한, 광섬유와의 접촉력도 우수하지 못하였다.따라서, 본 기술은 질산은을 이용한 은거울 반응을 이용하여 광섬유 표면 위에 화학적인 반응을 일으켜 광섬유를 쉽고 균일하게 코팅하고자 한다.본 기술에 의한 장주기 광섬유 격자의 금속 물질 코팅방법은 단일 격자 또는 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유를 구비하고, 장주기 광섬유의 상, 하부 표면의 소정 부위에 은거울 반응을 이용하여 금속물질로 은을 코팅한다. 금속물질의 코팅은 단일 장주기 광섬유 격자인 경우 격자가 형성되어 있는 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 격자와 격자사이의 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 일측의 격자가 형성되어 있는 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 일측과 타측의 격자가 형성되어 있는 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 일측의 격자와 타측의 격자 사이를 포함하는 격자쌍 전체의 상, 하부 표면 위에 은을 코팅한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 금속의 특성상 고온에서 사용이 가능하고, 외부의 습기 침투를 막아 광섬유의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 납땜이 가능하여 소자 패키징에 매우 유리하다. 광섬유에 금속물질로 은을 코팅함으로서 용액의 농도나 실험 횟수를 조절하여 쉽게 두께를 조절할 수 있으며, 고가의 장비가 필요없기 때문에 경제적으로 코팅을 할 수 있다. 짧은 시간안에 코팅을 할 수 있어 대량 생산에 용이하며, 소자 패키징에 매우 유리하여 광섬유 센서나 필터 등의 여러 가지 다양한 광소자에 적용할 수 있는 이점이 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-20
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
고속 전자이동 트랜지스터나 모듈레이션 도우프 전계 효과 트랜지스터 등의 전자 소자 제작을 위한 질화알루미늄갈륨에 대한 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 식각방법에 관한 것으로 전자소자 제조에 화합물 반도체를 이용하기 위해서는 식각 공정이 필요하며, 질화물 반도체의 경우 화학적으로 안정하기 때문에 습식 식각방법으로는 만족스러운 식각을 얻을 수 없어 건식 식각방법을 사용한다. 기존의 할로겐 기체에 산소, 황 또는 셀레늄을 첨가하고 이들의 플라즈마를 이용하여 할로겐 기체 플라즈마만을 이용한 식각방법에 비해 질화갈륨 고(高)선택비를 갖는 이방성 건식 식각방법이다. 선택비는 10 내지 23 이상으로 높일 수 있어 소자 개발 분야에 큰 영향을 줄 수 있다기존의 방법에 비해 재료내의 내재적인 결합력의 차이 및 질화물 반도체 표면에 큰 결합력의 차이를 갖는 갈륨-산소, 알루미늄-산소와 같은 인위적인 산소 결합을 유도하기 때문에 낮은 알루미늄 함유량에서도 높은 선택비를 나타낼 수 있다. 또한, 반도체 소자의 종류에 따라 유연하게 적용할 수 있어 반도체 제조 분야에서 유용하게 사용할 수 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
건식 식각된 질화물 반도체 표면의 후처리방법으로 100 내지 1000℃ 및 0.1 내지 760 mmHg하에서 건식 식각된 질화물 반도체의 표면을 질소-함유 기체의 플라즈마로 1 내지 60분 동안 처리하는 것이다. 구체적인 질화물 반도체의 예로는 질화갈륨, 알루미늄 질화갈륨 및 인듐 질화갈륨이 있다. 건식 식각은 반응성 이온 식각, 전자공명 플라즈마, 유도결합 플라즈마, 자기장으로 강화된 플라즈마, 반응성 이온 빔 에칭 및 화학적 이온 빔 에칭법 중 하나 이상에 의해 식각된다. 건식 식각에 따른 결함구조를 처리하는 방법에 의해 반도체의 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시킨다전자소자 제조에 화합물 반도체를 이용하기 위해서는 식각 공정이 필요한데, 질화물 반도체의 경우 화학적으로 안정하기 때문에 습식 식각방법으로는 만족스러운 식각을 얻을 수 없어 건식 식각방법을 사용하여야 한다. 기존의 질화갈륨의 건식 식각에 의한 결함구조의 회복 및 제거의 열처리법은 오히려 질화갈륨의 분해를 촉진하고 표면으로부터 질소의 탈착을 증진시켜 비화학양론적인 표면을 생성시키는 문제점을 갖는다. 건식 식각에 의해 질화물 반도체 표면에 형성된 결함구조를 질소-함유 기체 플라즈마 처리에 의해 회복 및 제거함으로써 반도체의 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시키는 방법으로 인해 소자의 안정성과 효율이 증대된다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
기판의 전면에 절연층을 형성한 후, 기판의 표면이 소정부분 노출되도록 절연층을 선택적으로 제거하여 개구를 형성하고, 개구를 제외한 절연층의 상부에 흡착 억제층을 형성하며, 흡착 억제층을 증착 방지막으로 증착 공정을 진행하여 개구 내부에 금속층을 형성하고, 흡착 억제층을 제거함으로서 흡착 억제제에 기판이 노출되는 시간을 조절하면서 다양한 박막 성장을 얻을 수 있고, 또한 신뢰성 및 재현성을 향상시킬 수 있다.반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 단위 선폭이 감소하며 또한 더욱 정밀한 미세 가공 기술이 요구되고 있다. 따라서 금속배선 공정 중 개구 충전 공정에 있어서 폭은 줄어들고 더욱 깊은 개구를 효율적으로 채울 수 있는 공정이 필요한 실정이다.그러나 기존에는 전면 박막 형성 방법은 금속층을 전기적으로 분리하기 위하여 식각 및 묘화 공정이 수반되므로 제조 공정이 복잡하였다.반응물의 흡착을 억제할 수 있는 흡착 억제제를 사용하여 적절한 시간동안 기판의 표면을 노출시켜 표면상에 흡착 억제제를 선택적으로 형성하고, 계속하여 흡착 억제제가 형성되지 않은 개구부에 박막을 선택적으로 형성함으로서 신뢰성과 재현성을 향상시킬 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킨 다음, 산화된 구리에 β-디케톤 계열의 식각 반응 기체를 도입하여 반응시키거나, 구리 박막을 산화시킴과 동시에 식각 반응 기체와 반응시켜 식각을 행함으로서 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서도 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다.기존에는 구리 박막의 식각에 할로겐 기체를 사용하여 구리 박막을 구리 할로겐 화합물로 바꾼 다음 탈착시킴으로서 식각하는 방법을 사용하였는데 이는 낮은 증기압 때문에 고온조건이 요구되며, 할로겐 화합물이 박막내로 잔류하게 되어 소자의 특성을 저하시켰다.구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시키고 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체와 반응시키어 식각함으로서 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서 기존 기술보다 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로서 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
입자 물리학에서는 원자들을 빛의 속도에 육박하는 빠른 속도로 가속/ 충돌시켜 내부 구성 물질들이 튀어 나오게 하는 장치인 가속기를 이용한 연구가 활발히 진행되고 있다. 방사광은 광속(光速)에 가까운 속도로 움직이는 전자와 양전자와 같은 하전입자(荷電粒子)가 싱크로트론가속기나 저장링(storage ring)에서 원운동을 할 때 방출되는 전자기파로, 입자들을 쪼개는 과정에서 나오게 된 일종의 빛이라고 볼 수 있다.이 방사광을 다양한 분야의 수많은 과학자들이 실험에 활용하는 있는데,원자 및 분자분광학, 표면 및 계면(界面) 연구, X선회절 및 산란연구, X선흡수스펙트럼(X-ray absorption fine spectrum), 단백질 결정구조 분석, 광화학반응 등의 순수과학적 연구와 토포그래피(topography), 초미세 묘화법(lithography) 등응용연구가 활발히 진행되고 있다. 이와 같은 다양한 연구 과정 중의 한 맥락으로 본 기술을 이해하면 될 것이다.본 기술의 주요 요지는 다음과 같다. - 단색광 선택, 빔차폐 및 조절,전반사 조건 확보하였다. - 최대 직경 8인치 시편 장입기술이다. - 1E9 atoms/㎠ 수준의 측정 검출능 확보했다.본 기술의 주요용도(기대효과)는 다음과 같다.첫째, 실리콘 웨잉퍼 극미량 표면 불순물 검출하는데 이용된다.둘째, 1GDRAM등의 최첨단 반도체 소자 제조공정을 감시하는데 이용된다.셋째, 고부가가치 표면처리강판 표면 극미세 조성 및 오염원을 규명하는데 활요된다.
- 보유기관
- (재)포항산업과학연구원
- 등록일
- 2001-08-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
이 장치는 약 3 - 63∼6μm의 원적외선의 파장대역에서 약 90% 이상의 방사율을 가진 원적외선 방사체를 사용하여 피건조물체의 위쪽 및 또는 아래쪽으로부터 원적외선을 방사함과 동시에 장치내로 장치내의 분위기온도, 방사시간 및 방사체와 피건조물체와의 거리를 변화시킬수 있는 구성을 채용하고 있다.본 기기는 청정화된 온풍을 환기실로부터 down flow 방식으로 피건조물체에 공급한다. 이에 따라 건조시간을 비약적으로 단축할 수 있고 환경 에너지 절약도 가능하다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
이 장치는 약 3∼6μm의 원적외선의 파장대역에서 약 90% 이상의 방사율을 가진 원적외선 방사체와 자외선 조사체를 사용하여 피건조물체의 위쪽 및 아래쪽에서 원적외선 및 자외선을 방사도록 구성되어 있다. 본 장치는 프린트기판의 후경화 및 전경화 전용의 건조장치이다.본 장치는 복수의 우너적외선 방사체와 자외선방사체를 설치하여 먼저 원적외선으로 레지스트 열경화수지 부분을 건조, 경화시킨 후, 레지스스트의 미경화수지에 자외선을 방사시켜 완전 경화시킨다. 이렇게 함으로써 프린트기반의 보유가 크게 향상됨과 동시에 건조시간을 훨씬 단축시킬 수 있다. 자외선방사장치는 원적외선 건조로의 뒤 또는 앞에 놓는다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
음향기기 등에 사용되는 이어폰 코드의 중계부에 리모트 콘트롤러가 갖춰진 플러그와 잭으로 구성된 이어폰을 접속시키는 장치에 관한 것이다. 음성 신화와 리모트 콘트롤러의 제어 신호를 한 쌍의 플러그와 잭으로 접속시킬 수 있어, 기기 소형화와 휴대성이 뛰어나고 또 개별 코드로 배선함으로써 오동작과 음질이 떨어지는 것을 방지할 수 있다.1. 기기 본체와 접속하는 이어폰 및 리모트 콘트롤러를 한조의 접속 단자로 접속2. 플러그는 선단부에 음성신호용 다극의 접점을 아랫부분에 제어 신호용 접속단자를 설치3. 잭은 입구 끝 부분에 꼭지쇠 모양의 제어신호용 접속단자를 내부에 음성 신호용 다극 접점을 설치4. 플러그에서 스피커까지의 코드 중간에 리모트 콘트롤러를 설치하고 스피커용 코드는 플러그부의 음성 신호용 접점의 제어 신호용 접속 단자에 접속한다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 건에는 두개의 기술이 있다. 1. 해충 기피제를 함유한 회로기판 - 열로 인해 유인되는 해충의 침입을 방지하기 위한 해충 기피제를 함유한 프린트 배선 기관.2. 4방향 Lead Flat 패키지 IC 實裝 - 4방향 Lead를 가진 IC를 납땜 진행 방향에 대하여 45도 기울어지게 함으로써 Dip방식에 의한 납땜 작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.1. 해충 기피제를 함유한 회로기판 - 전자 회로의 열 등에 의해 불쾌한 해충이 유인되어 침입하고, 기기의 고장이나 발화를 유발 - 해충의 감각 기관을 자극하는 신경전달계 해충기피제를 함유한 테이프, 도료, 수지 - 수지제 회로기판에 기피제를 직접 함유시키거나 기피제를 함유한 Pest를 도포하거나 기피약제를 함유한 수지제 부품을 회로기판에 실장2. 4방향 Lead Flat 패키지 IC 實裝 - 패키지 IC 회로기판으로 실장 방향을 납땜 Dip槽에서 당기는 방향으로 45도 경사지게 함. - 각 Lead 군의 끝부분에 잉여 납땜을 수집하는 Land를 형성함으로써 Lead간의 Bridge를 방지
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
종래의 대전류 회로 기판은 기판상에 부스바를 배치하여 용융 납땜욕에 침지시키기 때문에 프린트 기판의 휨이나 전기적, 기계적 신회성의 문제가 있었다. 본 발명은 프린트 기판에 전도성 코킹 부품을 설치함으로써 프린트 기판의 내외부에 대전류를 통전 가능하게 하였다. 부스바는 코킹 제품에 의해 체결되어, 프린트 기판으로부터 띄워 배치되어 있어 신뢰성이 높고 저렴한 대전류 회로기판을 제공할 수 있다.1. 신호용 회로기판에 대전류회로를 일체화시킴으로 실장밀도가 향상되어 장치의 소형화를 달성할 수 있다.2. 강성을 가진 평각전선을 이용함에 따라 장치조립의 자동화가 가능하다.3. 회로간 입체 배선이 가능하므로 설계의 자유도가 높다.4. 차원 배선과 비교하여 보다 고밀도인 배선이 가능해진다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
리드프레임을 이용한 반도체 장치에서 광폭 리드의 일부를 잘라냄으로써 리드와 수지의 열팽창계수의 차이에 의한 계면 박리를 방지함으로써 리드와 수지의 열팽창계수의 차이에 따른 계면 박리를 방지함과 동시에 전원, 전압 핀의 전압 저하를 방지할 수 있는 효과를 발휘한다.1. 패키지 계면의 박리가 없으므로 전원, 전압강하가 적은 고신뢰성 반도체 장치를 얻을 수 있다.2. 외부 리드가 분리되어 있으므로 표준 테스트소켓을 사용할 수 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
종래의 메모리용 IC의 구성은 IC를 소형화하는데 문제점이 있었으나, 이 발명은 모든 리드를 수지 패키지 내외에 걸쳐 리들르 수지 패키지의 長邊과 평행하게 하면서 短邊 쪽에서 인출하는 기본 구성을 만들어, 수지 패키지 내에서 각 내부 리드가 돌아 다니는 것을 방지함으로써 수지 패키지 외형의 소형화를 실현할 수 있는 반도체 장치이다.이 발명과 관련된 IC는 短形狀平面을 갖고 있고, 각 긴변쪽에 2대의 패드리드를 가준 패드 위에 전극이 짧은 변쪽에 局在하고 있는 반도체 소자를 접착하여 모든 리드를 수지 패키지 내외에 걸쳐서 수지 패키지의 長邊과 평행하게 하면서 短邊 쪽에서 인출하도록 배치하여, 전극과 내부 리드를 와이어로 접속한 후, 이것을 하나로 몰드함으로써 수지 패키지 내에서의 각 내부 리드가 돌아 다니는 것을 없애 수지 패키지 외형의 소형화를 도모함과 동시에 제조 공정에서 2대의 패드리드의 견고한 유지에 의하여 초박형 패키지화를 실현하였다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
수지 봉지형 반도체 장치 있어서, 수지 봉재할 때 리드 위에 배어나온 얇은 수지의 burr를 효과적으로 제거하는 burr제거 방법이다.일반적으로 연속 통전하여, 효율을 높이려고 하지만, 계속 발생하는 기포가 장해가 되어 전해액이 얇은 수지 burr와 리드 계면에 충분히 닿지 못하여 오히려 효율을 저하시킨다. 이 문제를 해결하기 위하여 통전하는 전류값을 ON/OFF시키거나, 강약을 주어 기포 발생을 제어, 얇은 수지 burr와 리드 계면에 충분히 전류액을 접촉시켜, 膨潤, 박리 효율을 높일 수 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
이 반도체 장치용 소켓은 반도체 장치의 전기적 기능시험의 문제점을 해결하는 것으로, 외부 리드를 변형시키지 않고 그 實裝面에 이물질을 부착시키지 않을 뿐 아니라 동일 패키지 치수라면 다른 길이의 리드 IC에도 공용할 수 있다1. IC를 실장할 때 납땜면에 이물질 부착을 회피할 수 있어 시험시 접촉불량이나 잉요처에서의 실장불량을 방지할 수 있다.2. IC 키지가 동일하면 리드 길이가 다른 IC에도 동일 소켓으로 공용이 가능하다.3. IC 리드중에서 가장 강도 높은 부분에 접촉하기 때문에 리드를 변형시키지 않는다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
전해연마처리를 한 스테인리스鋼 표면에 두께 75Å 이상의 비정질산화피막을 생성시킨 부재이며, 전해연마처리를 한 후에 250-500℃에서 5-60분 가열 산화처리를 하며 비정질 산화피막을 생성 시킴으로서 耐Gas 방출성이 뛰어난 반도체 제조 장치용 스테인리스강 부재를 싼 가격에 제공할 수 있다.본 기술은 제조장치에 쓰이는 가스경로의 구성 재료로서 가스방출량의 저감화가 뛰어남과 동시에 저렴한 가격의 스테인리스강 부재를 제공할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
이 테스트 패키지는 IC를 實裝 상태와 동일한 동작환경에서 테스트할 수 있도록 되어 있다. 패키지내에서는 IC에 전원을 공급, 최종 시험을 행할 수 있다. 재현성과 테스트 결과가 일정하도록 배려하고 있다. 테스트 패키지와 테스트 컨텍 유니트는 IC 마다 특수 주문 제작된다. 또 IC 마다 테스트 프로그램도 특수 주문 제작되므로 교육이 필요하다.본 테스트 폐키지와 테스트 治具는 테스트 내용, IC내용, 용도에 맞춰서 제작 됨.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
물체와 접속원 좌표 시스템에서 광전자 장치(OED) 표적에 대한 표적 방어를 행하는 레이저 시스템은 360도의 방위각, 60도의 양각 반사 펄스 수시 장치, ±30 정밀도를 가진 목표에서 위치기 표적 컴퓨터 전력 공급시스템(PSS) 자동 저장 배터리에 의해 특징짓는 레이저 방사 영역으로 구성되어 있다. PSS를 제외한 시스템은 자동차 상부 또는 삼각대 위에 장착할 수 있는 완전한 단위로 실장되어 있다. PSS를 제외한 시스템 크기는 400*400*30m,중량10kg이다. 러시아에서는 이같은 제품이 알려져 있지 않다.PSS를 제외한 시스템은 자동차 상부 또는 삼각대 위에 장착할 수 있는 완전한 단위로 실장.PSS를 제외한 시스템 크기는 400*400*30m,중량10kg이다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2004-11-26
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