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반도체에서의 광전도 효과 적외선 방사를 검출하기 위해 광범위하게 사용된다. 검출기 제조의 주요한 문제점의 하나는, 전기적 저항, 저잡음접합을 준비하는데 있다. 신뢰할 만한 접합을 이루는데 있어서의 어려움은 검출기의 동작온도가 증가함에 따라 현저하게 증가한다. 이 문제는 특히 반도체의 광전도률 분광학에서 더욱 복잡하다. 여기서, 동시에 분석될 견본은 방사검출기이다.1) 고감도, 고해상도를 갖는 반도체와 반도체 구조에 관한 광전도률과 광열이온화 스펙트럼에 관한 연구2) 광전도률과 광열이온화 스펙트럼에 따른 고순도 결정(Ge, Si, GaAs, CdTe 등)을 포함한 반도체에서의 불순물 위치와 결함의 검출, 검출한계 10^8 cm^-3 3) 손쉽게 대체할 수 있는 방사감도소자(Si:Ga, Ge:Ga, Ge:Cu 등)로서 적외선 방사의 고감도 검출
"다이아몬드 필름의 p-n 접합 형성을 위하여, 이중층 다이아몬드 필름은 화학적 증기 침전 (CVD) 방식에 의하여 얻을 수 있다. 이 방식에서 기체 혼합물 2H6 CH4 H2를 사용한다. 첫 번째 층은 동위원소 B-10에 의해 보강된 diborane B2H6를 사용하여 얻으며 두 번째 층은 동위원소 B-11에 의해 보강된 B2H6를 사용해 얻는다. 개발한 이중층 패킷(packet)은 열 중성자에 의해 방사된다. 첫 번째 층에서는, 방사된 핵반응 10B(n,α)^7 Li가 방생하는 반면에 Li는 n-형 다이아몬드를 생산한다. 동위원소 B-11로 보강된 두 번째 층은 중성자에 관해 투명하다(p-형 다이아몬드). Li와 B의 구조와 전기적 성질은 저장할 수 있으며 방사된 패킷은 2-3시간 동안에 T≤100℃로 어닐링(annealing) 할 수 있다. "본 방식에 기초하여 각종 장치와 계기를 생산할 수 있다(예를 들어, p-n-p 또는 n-p-n 트랜지스터).
본 발명은 레이저 다이오드용 거울면 제작방법에 관한 것으로, 특히 2단계의 화학식각에 의한 간단한 방법에 의해 레이저 다이오드용 거울면을 균일하게 식각하여 제작할 수 있다. 일반적으로 광통신 광원으로 사용되는 레이저 다이오드는 효율적인 발진을 위해서 수직반사 거울면이 필요하게 된다. 그러나 기존의 레이저 다이오드 거울면 제작방법으로는 집적도가 요구되는 광전집적회로용 공정으로서는 부적합한 결점을 가지고 있다. 따라서 본 발명은 레이저 다이오드용 수직거울면을 간단히 제작할 수 있슴과 아울러 그 수직거울면의 식각특성이 균일하게 되는 수직거울면의 식각방법을 제공함에 있다. 상부에 도포된 포토레지스터를 마스크로하여 레이저용 이중 이종접합구조의 웨이퍼에 초기식각을 행한 위 그 도포된 포토레지스터를 모두 제거하고, 이후 그 이중 이종접합구조의 웨이퍼을 윈래의 식각액에 다시 담가 소정 시간동안 식각을 행함으로써 레이저 다이오드용 거울면을 제작할 수 있다. 본 발명은 포토레지스터를 마스크로하여 1단계의 식각을 행하고, 그 포토레지스터를 제거한 후 다시 2 단계의 식각을 행함으로써 수직거울면이 형성되는 것이므로 레이저 다이오드용 수직거울면 제작이 대단히 간단해지고, 그 수직거울면의 식각특성이 균일하게 되는 효과가 있다.
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제작시 에피택시(Epitaxy) 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시킬 수 있게 한 선택적 에패택시법에 의한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다. 에피택시 공정 중 결정적층의 마스크를 이용하여 레이저 다이오드 형성부분과 45。거울반사면 형성부분을 정의하고, 그 정의 부분에만 선택적으로 AlGaAs/GaAs층을 적층하여 2개의 반도체 레이저와 1개의 45。거울반사면을 기본단위로 표면방출형 레이저 다이오드를 제작할 수 있다. 본 발명은 반도체 레이저 제작시 에피택시 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시켜 표면방출형 레이저 다이오드를 제작하게 되므로 고가의 화학식각 장비가 필요하지 않게 되고, 제조공정이 간단해져 생산성이 향상됨과 아울러 대량생산이 가능해지고, 또 45。거울반사면의 반사성이 양호해지는 효과가 있다.
압전 및 초전 센서에 사용되는 PVDF 박막을 진공증착법으로 제조하여 박막의 특성을 향상하였으며, 종래의 제조방법은 알파형 박막을 제조한 후에 후처리공정을 거쳐 센서재료로 사용가능한 베타형으로 제조하였으나, 이번 기술에서는 진공증착시에 직접 베타형 PVDF 박막을 제조할 수 있다.습식법으로 제조된 박막에 비해 진공증착법으로 제조된 박막은 질이 우수하며, 용매에 인한 인체로의 해가 없을 뿐 만 아니라, 베타형으로 직접 제조가 가능한 장점이 있다
유기금속을 이용한 박막성장기술에 의해, ZnTe의 물성제어를 달성할 수 있으며, 이에 적합한 옴성 전극제작기술을 개발한 것.고휘도 녹색발광디바이스의 개발에의 길이 열렸다.
수지밀봉형 반도체 소자는 그 외부 리드 선을 일단 약 90도 각도로 구부린 다음, 다시 그 근원에 가까운 부분을 약 90도 각도로 구부려 형성한 리드 선의 평탄부를 인쇄기판에 실장하게 된다. 리드 선 형성 공정에 앞서 리드 선에 가한 응력이 그대로 지속되면 평탄성을 향상시킬 수 없으며, 신뢰도 높은 리드 선 형성 또한 확보할 수 없다. 본 기술에서는 밀봉수지층으로부터 외부로 도출되는 리드 선을 지지하는 구부림 다이(die)를 설치하여 밀봉수지층의 정면에 대응하는 스트리퍼(stripper)를 리드 선에 대해 일정한 간격을 갖도록 배치하고 있다. 더욱이 구부림 펀치(punch)를 이용하여 형성작업을 완료한 다음, 스트리퍼에 지지 블록을 중첩시켜 수지밀봉형 반도체 소자의 리드 선을 형성한다.IC 리드 선의 잔류응력으로 인한 왜곡을 제거하여 IC 실장의 신뢰도를 개선할 수 있다.
- 연자성 산화철의 화학조성 조절 및 분쇄공정기술- 스크린 프린팅을 위한 연자성 페이스트 제조기술- 그린쉬트 제조기술- 스크린 프린팅에 의한 적층기술- 칩 인덕터 적층회로 설계 및 제작기술- 칩 인덕터 제조공정기술(소성, 전자기특성제어 등)- 국내고유 특허기술- 건조비용절감 - 생산성향상
질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN) 및 질화알루미늄(AlN)과 같은 Ⅲ족 금속우너소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 Ⅲ족 금속우너소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 Ⅲ족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수~ 수십 ㎛ 크기의 미세한 Ⅲ족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.1.850℃~1100℃의 온도에서, 갈륨, 알루미늄 및 인듐 중에서 선택된 Ⅲ족 원소 용융뮬 내부로 나선형 모양의 회전 날개가 부착된 암모니아 가스도입관을 잠기게 하여, 상기 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 상기 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 주입하는 한편, 상기 회전날개를 정방향 또는 역방향으로 회전시킴으로써 Ⅲ족 원소와 암모니아 가스를 직접 화학반응시킴을 특징으로 하는 Ⅲ족 원소 질화물의 미세결정의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, Ⅲ족 원소가 갈륨인 것이 특징인 방법.3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 화학반응 후에 염산(HCl)혹은 부피비 1:1의 질산(HNO₃)+불산(HF)의 혼합물 또는 왕수(3염산+1질산)의 용액을 잔류하는Ⅲ족 원소를 제거함으로써 Ⅲ족 원소 질화물 미세정을 추출함을 특징으로 하는 방법.4. Ⅲ족 원소 용융물을 수납할 반응용기(4)가 내장된 반응관(2), 반응관(2)를 지지하는 상하 이동가능한 받침대(5), 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 나선형 회전날개(6)가 구비되어 있는 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 암모니아 가스를 도입하기 위한 가스도입관(7), 및 반응관(2)의 외주부에 형성된 1200℃까지 승온가능한 전기로(1)로 이루어진 Ⅲ족 원소의 질화물 미세결정 제조용 장치.5. 제 4항에 있어서, 나선형 모양의 회전날개가 부착된 가스도입관이 석영재료 또는 PBN(pyrolytic boron nitiride)으로 제작된 것이 특징인 장치.
질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN) 및 질화알루미늄 (AlN)과 같은 III족 금속원소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 III족 금속원소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 III족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수∼ 수십 μm 크기의 미세한 III족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.간단한 방법으로 미세질화갈륨 결정을 합성하는 방법을 제공하는 발명으로 승화방법에 의한 후막결정 혹은 벌크단결정을 성장하는데 필요한 원료물질로 사용될 뿐만 아니라 분말형태의 결정을 이용한 발광물질로도 활용할 수 있다. 기술의 핵심내용은 금속갈륨내부로 암모니아 가스를 주입하여 버블링시킴으로써 직접반응을 꾀한 독특한 방법이다.
본 기술은 알루미늄 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride, DMAH)의 점도 저하방법에 관한 것이다.본 기술은 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 3차 아민을 첨가함으로써 디메틸 알루미늄 하이드라이드 액체의 점도를 현저히 저하시킨다. 본 기술에 따른 디메틸알루미늄 하이드라이드 혼합 용액은 유기금속 화학 증착법에 의한 박막의 제조에 있어 유기금속 전구체(meta.-organic precursor)로 사용될 경우, 버블러형 전구체 이송시스템에서의 버블링 효과가 뛰어날 뿐 아니라 직접 액체 주입형 이송시스템에의 적용이 용이하고, 단위 시간당 증기화되는 디메틸알루미늄 하이드라이드 양이 증가되어 알루미늄 박막의 대량생산에 유용하다본 기술은 반도체 공정용 전구체 DMAH 액체의 점도를 첨가제를 사용하여 혁신적으로 낮춘 기술로써 DMAH를 이용한 AI 박막 증착 연구 및 향후 DMAH 의 대량 생산라인에의 도입시 반드시 적용가능하
본 기술은 반도체 주요 공정장비 중의 하나인 반응성 이온 식각 장비인 차세대 고성능 식각기로 연구되고 있는 헬리킬 공진기형 식각기에서 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스코일을 이용하여 반응로 내부의 플라즈마 균일도를 조절하는 방법에 관한 것이다.본 기술은 고효율의 고밀도 플라즈마를 비교적 쉽게 얻을 수 있는 헬리컬 공진기형의 식각기에 대해 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스 코일을 사용하여 탭 위치변화에 따라 공진기 내의 전자장 및 플라즈마 밀도 분포를 임의로 변화시킴으로써 기존의 평행 평판형 식각기에서는얻기 힘들었던 높은 균일도의 플라즈마를 얻을 수 있다.본 기술은 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스 코일을 갖는 헬리컬 공진기형 식각기에서 기타 식각 공정 변수들의 변화에 대응하여 적절한 탭 위치를 선택함으로써 차세대 대구경 웨이퍼 사용시에 요구되는높은 식각 균일도를 얻을 수 있다
본 기술은 알루미늄 박막의 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride, DMAH) 의 점도 저하방법에 관한 것이다.알루미늄 박막은 반도체소자의 제조시 전기회로를 구성하는 배성공정에 사용되는 중요한 소재이다. 현재 주로 사용되고 있는 알루미늄 박막은 물리 증착법에 따라 제조된 것으로 층덮힘 특성이 저조하여 그 사용에 한계점을 가지고 있다. 이러한 물리증착법을 대체할 새로운 알루미늄 박막의 제조공정으로 유기금속 전구체를 이용한 알루미늄 유기금속 화학증착법이 주목받고 있다.본 기술은 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 방향족 아민을 0.1 내지 5몰%로 첨가하여 디메틸아루미늄 하이드라이드 액체의 점도를 저하시킴으로써, 알루미늄 박막을 대량 생산할 수 있다.본 기술에 따라 얻어진 디메틸알루미늄 하이드라이드 혼합용액은 유기금속 화학증착법에 의한 박막의 제조에 있어 유기금속 전구체로 사용될 경우 버블러형 전구체 이송 시스템에서 버블링 효과가 뛰어날 뿐 아니라 직접 액체 주입형 이송 시스템에도 용이하게 사용할 수 있고 단위 시간당 증기화되는 디메틸알루미늄 하이드라이드 양이 증가되므로 알루미늄 박막의 대량 생산에 매우 유용하다
본 기술은 하나의 플라스틱 물질에 구멍을 뚫고 다른 물질의 플라스틱을 삽입하는 방법으로 매우 간단하면서도 광섬유 생산의 수율을 크게 향상시킬 수 있는 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유 모재에 관한 것이다.플라스틱 광섬유는 실리카 다중모드 광섬유에 비해 다루기 쉽고 위험하지 않다는 장점을 가진다. 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유를 제작하는 방법으로는 크게 연속 압출 방법에 의해 한번에 광섬유를 뽑아내는 방법과 광섬유의 모재를 제작한 후에 그 모재를 가지고 광섬유를 뽑아내는 방법으로 나눌 수 있다. 그레이디드 인덱스 구조를 갖는 플라스틱 모재를 제작하는 방법으로는 두 가지 물질을 섞고 원심력을 이용하여 그레이디드 인덱스를 얻는 방법이 잘 알려져 있지만, 그레이디드 인덱스 형태의 플라스틱 광섬유의 제조는 그 방법이 복잡하고 생산 수율이 낮은 단점을 가지고 있다.따라서, 본 기술은 상용화된 기존의 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유의 모재 제작 방법에 비하여 제작방법이 매우 간단하며 구멍의 크기나 배열구조를 변경함으로 여러 가지 다른 특성을 가지는 광섬유를 얻고자 한다.본 기술에 의한 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유 모재는 서로 다른 굴절율을 갖는 두가지 플라스틱 소재 중 어느 하나의 소재를 사용하여 원기둥형상을 이루고 그 길이방향으로 다수의 실린더형 구멍이 촘촘히 형성된 제 1 소재와, 다른 하나의 소재를 사용하여 실린더형 구멍에 삽입된 제 2 소재로 구성된다. 단위면적당 제 1 소재와 제 2 소재가 차지하는 면적의 비에 따라 굴절율의 분포가 조절된다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 하나의 플라스틱 물질에 구멍을 내고 다른 물질의 플라스틱을 삽입하는 방법으로 매우 간단하면서도 광섬유 생산 수율을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 실린더형태에 구멍이 뚫린 금형을 제작하여 광섬유 모재의 대량 생산 및 자동화를 기할 수 있으며, 동일한 특성을 가지는 광섬유 모재를 손쉽게 재현할 수 있다.
본 기술은 반도체 기판의 평탄화 장치 및 방법에 관한 것이다.본 기술은 반도체 기판의 도선 패턴 상에 형성된 절연층의 볼록한 부분만을 단차가 없어지도록 선택적으로 미세하게 연마하므로 표면의 평탄도를 향상 할 수 있는 반도체 기판의 평탄화 장치 및 방법을 제공할 수 있다.본 기술에 의한 평탄화 장치는 받침대의 상부에 열팽창계수가 낮은 물질로 이루어진 열팽창수단과, 열팽창수단에 열을 가하는 히터와, 열팽창수단과 공간에 의해 소정 간격 이격되어 열이 축방으로 방출되는 것을 방지하는 차단수단과, 열팽창수단에 설치된 테이블과, 테이블 내부로 냉각수를 순환시켜 열팽창수단으로부터 전달되는 열을 냉각시키는 냉각수단과, 테이블의 상부에 설치되는 다공성물질로 이루어져 반도체기판의 표면의 접촉되는 부분을 선택적으로 연마하는 패드와, 패드의 표면에 연마 물질을 공급하는 연마물질 공급수단과, 반도체기판의 상부가 패드와 접촉되도록 고정시킨 상태로 회전시키는 홀더와, 홀더를 구동하는 모터로 구성되어 있다.본 기술은 반도체 기판의 도선 패턴 상에 형성된 절연층의 블록한 부분만을 단차가 없어지도록 선택적으로 미세하게 연마하여 표면의 평탄도를 향상 시킬 수 있는 특징이 있다.
본 기술은 수 내지 수십 GHz 대역의 마이크로파 반도체, Gbps 수준의 레이저 다이오드 등의 이동통신, 위성통신 및 광통신용 고전력 반도체의 패키징에 사용되는 고열전도성 복합재료 열방산체 및 그의 제조방법에 관한 것이다.기존의 열방산체 제조 방법인 분말 사출 성형법에 요구되는 실형상화를 위한 소결조건 및 균일한 미세조직을 얻기 위해 용침 또는 열처리 조건은 제조하고자 하는 형상과 원료분말의 평균입도, 입도분포 및 구리의 조성에 따라서 달라진다. 예를 들면, 열전도도를 향상시키기 위하여 구리의 함량을 높이는 경우 액상량이 많아져 형상조절이 어렵고, 평균 분말 입도가 큰 텅스텐 원료분말을 사용하여 용침용 고상 골격구조를 제조하는 경우 높은 소결 온도를 요구한다. 또한, 소결 온도를 낮추기 위하여 니켈을 첨가하는 경우는 첨가한 니켈과 구리 사이에 고용이 일어나 구리의 열전도도를 저해시키는 단점이 있다.반면, 본 기술에서는 반도체 소자의 작동시 발생되는 열을 효율적으로 방산시키고, 이들 소자 또는 모듈을 구성하는 회로를 수분과 수 내지 수십 GHz 대역의 전자파 장애들의 외부환경으로부터 보호하기 위하여, 고전력 반도체에 사용될 수 있는 낮은 열팽창계수를 가지면서 높은 열전도도를 갖는 열방산체를 제공하고, 고전력 반도체 또는 레이저 다이오드의 열방산체용 재료로서 텅스텐-구리 복합재료를 실형상화시키고, 이의 열전도성을 향상시키기 위하여 칩이 올려질 표면에 또는 열 방출 부위에 다이아몬드 필름을 코팅하는 기술을 제공한다.본 기술에 의한 고전력 반도체용 열방산체는 텅스텐-구리 복합재료로 실형상화된 열방산체와, 열방산체의 열전도성을 향상시키기 위하여 열방산체의 표면에 코팅되는 다이아몬드 필름으로 이루어져 있다.본 기술에 의한 고전력 반도체용 열방산체의 제조방법은 분말 사출 성형법과 용침법으로 실형상화된 텅스텐-구리의 복합재료 열방산체를 제조하는 단계와, 열방산체의 표면으로부터 구리를 용출시켜 표면을 개질시키는 단계와, 열방산체의 개질된 표면에서의 열전도성을 향상시키기 위하여 다이아몬드 필름을 코팅시키는 단계와, 열방산체를 열처리하여 코팅의 접착력을 향상시키는 단계로 이루어져 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 분말 사출 성형법으로 실형상화된 텅스텐 골격구조를 만들고 이에 대하여 액상 구리를 용침시키는 방법으로 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하며 그 표면을 화학적, 물리적으로 개질하여 열전도도가 우수한 다이아몬드 필름을 제공함으로서, 열전도성을 보다 향상시킬 수 있다. 동시에, 다이아몬드는 그 자체가 절연성을 갖기 때문에 플라스틱 패키징 공정에서 외부 결선을 위한 단자 또는 결선의 제공시 필요한 절연층이 요구되지 않아 패키징 밀도를 낮출 수 있는 효과가 있다.
본 기술은 광섬유 격자쌍을 이용하여 온도 또는 스트레인을 측정하는 광섬유 격자센서와 그의 온도/스트레인 측정 방법에 관한 것이다.기존의 광섬유 격자 센서를 적용한 측정 장치는 온도 및 스트레인의 두 가지 물리량이 동시에 가해지는 경우 광섬유 격자 센서가 두 물리량에 대해 동시에 반응함으로 반사 파장의 변화량만을 측정하여서는 온도 및 스트레인이 얼마만큼씩 변화되었는지를 알 수 없는 문제점이 있다.반면, 본 기술에서는 동일한 모재에서 제작된 외경이 다른 두 개의 광섬유에 반사 파장이 같거나 다른 두 광섬유 격자을 제작하고 이를 용융 접착하여 광섬유 격자쌍을 형성시킴으로써 스트레인, 온도, 압력 등의 여러 물리량을 독립적으로 측정하도록 구현할 수 있다.본 기술에 의한 광섬유 격자센서는 동일한 광섬유 모재에서 제작된 외경이 다른 두 광섬유에 반사 파장이 같거나 다른 두 광섬유 격자를 제작하여 이를 용융 접착함으로써 광 파장 분석기 또는 페롯 복조기 등으로 광섬유 격자쌍으로부터의 반사 파장을 검출하여 스트레인, 온도, 압력 등의 물리량을 독립적으로 측정하도록 구성되어 있다.본 기술에 의한 광섬유 격자센서의 온도/스트레인 측정 방법은 온도 및 스트레인을 가하지 않은 상태에서 광섬유 격자쌍으로부터의 브래그 공명 파장의 스펙트럼을 추출하는 단계, 임의의 온도 및 스트레인을 가한 상태에서 광섬유 격자쌍으로부터의 브래그 공명 파장의 스펙트럼을 추출하는 단계, 추출된 2개의 브래그 공명 파장의 일치 여부를 판단하는 단계, 광섬유 격자쌍의 브래그 공명 파장이 일치하는 경우 그 일치된 브래그 공명 파장의 반사율의 변화로부터 스트레인을 측정하고 공명 파장의 이동량으로부터 온도를 측정하는 단계, 광섬유 격자쌍의 브래그 공명 파장이 일치하지 않는 경우 두 피크 파장중 한 파장에 대한 이동량중 스트레인에 의한 이동량을 감산한 결과값으로부터 온도 변화량을 측정하는 단계로 이루어져 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 외경이 서로 다른 두 광섬유 격자 센서로부터의 반사 파장을 검출하여 두 파장의 차이로부터 스트레인을 측정하고 또한, 임의의 한 파장의 이동량으로부터 온도를 측정함으로써 온도 또는 스트레인에 관계없이 하나의 물리량을 정확히 측정할 수 있는 효과가 있다.
본 기술은 광섬유의 코어 층에 길이 방향으로 공기 층이 벌집모양으로 형성되어 있는 광자결정섬유용 모제 제조방법에 관한 것이다.기존의 광자결정섬유용 모재의 제조방법은 육각모양의 석영 유리 봉에 원형의 구멍을 뚫어 광섬유 인출기 등을 통해 한 번 인출한 후, 이렇게 인출된 원형의 구멍이 나있는 봉들을 층으로 쌓아 세 번을 더 인출하는 방법이 있으나, 석영 유리 봉에 원통형의 구멍을 내는 공정, 이를 인출기를 사용하여 한 번 인출하는 공정, 인출된 결과물을 다시 세 번 인출하는 복잡한 공정이 필요하므로 경제적이기 못하다. 또한, 석영 유리 튜브들을 육각모양으로 층층이 쌓아 광섬유 인출기에서 한 번 인출한 후, 이렇게 인출된 석영 유리 튜브 다발에 봉규산 유리를 그 바깥부분에 붙여 다시 인출하는 방법이 있으나, 이 공정을 통해 만들어진 PCF는 첫 번째 방법보다는 경제적이긴 하나 석영 유리 튜브들간의 공간이 변형되면서 석영 유리 튜브 단면으 원형이 제대로 유지되지 않는 단점이 있다.따라서, 본 기술은 단면의 원형이 변형되지 않으면서 긴 길이로 인출이 가능한 광자결정섬유 제조용 모재 및 이로부터 제조된 광자결정섬유를 제공하는자 한다.본 기술에 의한 광자결정섬유 모재의 제조 방법은 광섬유의 코어부를 형성하는 석영 유리 봉 주위를 클래드부를 형성하는 다층의 석영 유리 튜브로 둘러싸는 단계, 위에서 얻은 구조를 주형 석영 유리 튜브에 넣는 단계 및 이를 콜랩싱하는 단계를 포함하고, 석영 유리 봉과 인접한 석영 유리 튜브 사이 및 각각의 석영 유리 튜브 사이의 공간에 실리카 유리형성물질, 실리카 유리 섬유 또는 이들의 혼합물을 채운다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, PCF의 제조시 단면의 원형이 유지되면서 장거리 인출이 가능하다. 또한, 석영 유리 튜브 사이에 채우는 조성물에 희토류 이온 및 전이 금속 이온을 첨가하거나, 일반 광섬유의 코어에 해당하는 석영 유리 봉 대신 희토류 이온 및 전이 금속 이온이 들어 있는 유리 봉을 사용하여 광섬유 증폭기 또는 능동소자를 PCF로 구현할 수 있다.
질화물반도체 소자에 사용되는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.종래의 Au대신에 Ru와 RuOx를 커버층으로 사용함으로써 대기중의 산소, 탄소 및 H2O등과 같은 오염원의 침입을 방지하고, 접촉층-질화물 반도체 계면에 안정한 금속-갈륨 금속간 화합물이 형성되도록 한 p형 오믹금속전극과,종래의 Ni이나 Pt대신에 Ru를 확산장벽으로 사용함으로써 열처리시 오믹 특성에 도움이 되는 티타늄 질화물과 같은 금속-질화물상의 계면의 붕괴없이 효과적으로 형성되도록 한 n형 오믹금속전극의 제조방법을 제공한다질화물반도체 소자에 사용되는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것으로서, Ru 및 RuOx를 커버층으로 사용하는 p형 오믹금속 제조방법 또는 Ru를 확산방지막으로 사용하는 n형 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.p형 질화물반도체 상에 접촉층 및 Ru층을 순차적으로 형성하고, 산소함유 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것과,p형 질화물반도체 상에 접촉층 및 Ru층을 순차적으로 형성하고, 상기 Ru층을 산소분위기에 노출시킨 후에 열처리하는 단계를 포함하는 것과,p형 질화물 반도체상에 접촉층, 금속층 및 RuOx층을 순차적으로 형성하고, 열처리하는 단계를 포함하는 것과,n형 질화물 반도체상에 접촉층, Ru층 및 도전층을 순차적으로 형성하고 열처리하는 단계를 포함하는 것을 각각의 특징으로 하는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.우수한 열적, 전기적 특성에 의해서 금속-질화물반도체 계면에서의 전기적 손실이 줄어들게 되고, 이로인해 구조적 특성상의 퇴화가 방지되어 단파장 청색/녹색 레이저 다이오드 및 초고속 전자소자 개발등에 있어서, 고품위 광소자/전자소자 개발을 구현하는데 큰 파급효과를 미치게 된다
본 기술은 반도체 소자 등의 금속 배선시에 사용되는 구리 박막을, 보다 경제적이고 간단한 방법으로 식각시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 구리박막을 산화하고 β-디케톤 계열의 화합물을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 금속배선시에 사용되는 구리 박막을 보다 간단하고 경제적인 방법으로 산화 및 식각시킴으로써 식각 속도를 효율적으로 조절하고자 하는 것이다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 기술에서는 구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킨 다음, 산화된 구리에 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체를 도입하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각 방법을 제공하고, 구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킴과 동시에 β-디케톤 계열의 식각 반응 기체와 반응시키는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각 방법을 제공한다.본 기술의 구리 박막의 식각 방법은 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서 종래기술보다 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로서 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다.