일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
<원리 및 구성>본 기술은 고품질의 기능성 박막을 제조하기 위해 1) 바디와, 2) 상기 바디와 절연물질로 절연되고 상기 바디에 고정된 타겟과, 3) 상기 타겟에 전력을 인가하는 음극과, 4) 상기 바디의 외측에 형성되고, 상기 타겟의 표면에 플라즈마를 발생시키는 내부 전자석과, 5) 상기 타겟의 표면에서 상기 내부 전자석에 의해 발생한 플라즈마를 상기 타겟의 표면에 제한하는 외부 전자석과, 6) 상기 플라즈마 때문에 상기 타겟에 발생한 열을 냉각하는 냉각부를 포함하는 마그네트론 코팅원과; 상기 마그네트론 코팅원과 전기적으로 독립되고, 펄스 직류전압을 인가받고, 상기 타겟과의 거리 조절이 자유로우며, 상기 플라즈마에 의해 스퍼터된 상기 타겟의 입자를 가속시키는 이온 인출 가속장치와; 상기 스퍼터된 입자가 증착되는 시편을 포함하고, 소정 압력의 진공이 유지되는 반응기를 포함하는 마그네트론 스퍼터코팅원에 관해 개시하고 있다. <배경>현재 휴대용 컴퓨터 등에 널리 사용되고 있는 TFT-LCD는 일반적으로 비정질 실리콘으로 제작된 화소배열 기판에 단 결정 실리콘으로 제작된 구동 고밀도 집적회로 등의 방법으로 연결하여 구동한다. 그러나 이와 같은 방식은 제조공정상의 어려움을 가져올 수 있을 뿐만 아니라 TFT-LCD의 신뢰성과 수율을 저하시킬 수 있다.<특징 및 장점>-본 기술에 따른 마그네틱 스퍼터는 이온 인출 가속장치를 시편과 타겟의 중간에 삽입하여, 타겟으로부터 스퍼터된 이온을 가속시킴으로써 박막의 결정성을 향상시킬 수 있고, 증착 속도를 향상할 수 있는 장점이 있다. -본 기술에 따른 마그네틱 스퍼터를 이용하여 다결정 실리콘을 형성할 경우, 별도의 결정화 과정이 없이 바로 기판상에 다결정 실리콘 박막을 형성할 수 있고, 기존의 스퍼터 방법에 비해 5배 정도 향상된 증착율로 우수한 전기적 특성의 소자를 제작할 수 있다는 장점이 있다. -본 기술에 따른 마그네틱 스퍼터를 이용하여 기능성 박막을 형성할 경우, 광학적 특성이 우수한 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
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- 성균관대학교
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- 2006-05-30
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 다수의 영구자석을 포함하는 단위 자장 폐회로를 다수개 형성하고, 이들 다수의 영구자석 폐회로를 타겟 뒤편에서 타겟의 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 것에 의하여 방전트랙이 타겟 표면 전체를 아래에서 위로 또는 위에서 아래로 이송하도록 하므로써 대면적에 균일한 코팅이 가능하도록 한 마그네트론 스퍼터링 장치를 개시한다. 본 발명의 스퍼터링 장치는, 타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 안치부와, 상기 타겟면과 평행한 적어도 두 개의 영구자석 폐회로를 갖으며, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구자석부와, 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함한다. 본 발명의 스퍼터링 장치는, 타겟의 표면과 평행한 타원 궤도를 따라 운동하는 영구자석부에 의하여 발생된 방전 트랙이 타겟의 표면 전체를 이송하므로 타겟 전체가 균일하게 증발되고 침식되어 대면적 균일 코팅을 가능하게 하고, 타겟의 사용효율을 60% 이상으로 증가시킨다.타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 안치부; 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 것으로, 일직선상으로 배열되는 다수의 단위 자장 폐회로를 포함하되, 각 단위 자장 폐회로는 중앙부에 연속으로 배치된 적어도 두 개의 제 1 영구자석부와, 상기 제 1 영구자석부의 주위에 배치된 복수개의 제 2 영구자석부 및 각 영구자석간의 간격을 유지하기 위한 비자성체 스페이서를 포함하는 영구자석부; 및 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
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- 2006-05-12
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
간단한 장치의 구성을 통하여 발생된 중성빔을 사용함으로써 전기적 물리적 손상이 없이 식각공정을 수행할 수 있는 반도체소자의 식각방법 및 식각장치가 개시된다. 본 발명의 식각방법은, 이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키고, 이 가속된 이온빔을 낮은 각도에 놓인 반사체에 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시킨 후, 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각한다. 상기 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하기 위해 상기 입사되는 이온빔에 대하여 상기 반사체의 기울기를 제어할 수도 있으며, 상기 반사체에 전기력을 인가하여 입사되는 이온빔의 진행경로를 제어할 수도 있다.이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하여 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각하는 단계를 포함하는 중성빔을 이용한 반도체소자의 식각방법. 최근 반도체 소자의 페턴 사이즈가 작아짐에 따라서 무손상 식각기술이 필요로 되어지고 있으며, 이러한 식각방법중의 하나로 중성빔 식각이 대두되어지고 있다. 그러나 기존의 연구되어지고 있는 중성빔 식각장치의 경우 high flux의 중성빔 발생이 어렵고, 중성빔의 방향 제어가 매우 어렵다.반면 본 발명은 high flux의 방향성을 지는 중성빔을 발생시킬 수 있으므로, 앞으로의 중성빔 식각에 매우 유리하며 또한 특성상 대면적화가 용이하고구조가 간단하여 산업화에의 적용에 유리하다
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- 성균관대학교
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- 2006-05-12
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
PDP의 기판상에 증착된 MGO층으로부터 아웃개싱되는 불순물을 감소시키고 동시에 방전 특성을 향상시킬 수 있는 MGO층에 대한 세정방법과 PDP의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MGO층에 대한 세정방법은, MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩하는 단계 및 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 상기 MGO층에 대하여 대기압에서 플라즈마 세정을 수행하는 단계 및/또는 열처리를 통하여 세정을 수행하는 단계를 포함한다. MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩한 후 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 플라즈마 세정을 수행하는 MGO층에 대한 세정방법에 있어서, 상기 MGO층에 대한 플라즈마 세정은, 헬륨 + 산소 + 아르곤의 혼합가스 또는 헬륨 + 산소 + 아르곤 + 질소의 혼합가스를 세정가스로 하여 대기압하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 MGO층에 대한 세정방법이다MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩한 후 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 플라즈마 세정을 수행하는 MGO층에 대한 세정방법에 있어서, 상기 MGO층에 대한 플라즈마 세정은, 헬륨 + 산소 + 아르곤의 혼합가스 또는 헬륨 + 산소 + 아르곤 + 질소의 혼합가스를 세정가스로 하여 대기압하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 MGO층에 대한 세정방법.PDP의 기판상에 증착된 MGO층으로부터 아웃개싱되는 불순물을 감소시키고 동시에 방전 특성을 향상시킬 수 있는 MGO층에 대한 세정방법과 PDP의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MGO층에 대한 세정방법은, MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩하는 단계 및 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 상기 MGO층에 대하여 대기압에서 플라즈마 세정을 수행하는 단계 및/또는 열처리를 통하여 세정을 수행하는 단계를 포함한다.
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- 성균관대학교
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- 2006-05-12
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
<원리 및 구성>본 기술은 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로,아르곤 가스 분위기에서 플렉시블한 플라스틱 기판상에 CE 금속을 연속적으로 증착하는 CE 증착단계와 상기 CE 금속에 산소를 주입하여 CE 금속 표면을 산화시켜 CEO2 를 형성하는 CEO2 증착단계와 상기 CEO2 층에 아르곤 가스와 산소를 주입하면서 스퍼터링법으로 CEO2 층을 성장시키는 CEO2 성장단계와 상기 CEO2 층 위에 ICPCVD(INDUCTIVE COUPLED PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)법으로 비정질 실리콘을 증착시키는 비정질 실리콘 증착단계 및 상기 비정질 실리콘 층에 엑시머 레이저를 조사하여 비정질 실리콘이 폴리실리콘으로 결정화되는 폴리실리콘 결정화단계를 포함하여 구성되어 있다.<중요성 및 독창성>본 기술에서 플라스틱 기판 위에 Ce/CeO2 층을 이용하여 poly-Si을 성장하는 방법과 Plasma ON/OFF 방법을 이용한 박막 증착법은 소자가 완성이 되기까지 모두 실온에서 공정이 진행되게 된다. 따라서 저온 공정이 필수인 플라스틱 기판의 박막 증착 기술 확립에 기여하여 기존의 고비용의 고온, 진공 증착법이 아닌 간단한 설치와 저비용 공정이 가능하다는 점에서 그 중요성이 크다고 할 수 있다.<적용제품>-TFT-LCD 제작 공정뿐만 아니라 미래에 주요 디스플레이로 예상이 되는 유기 EL과 같은 낮은 공정온도를 필요로 하는 분야에 대해서도 적용이 가능 -또한 플라스틱 기판의 성질을 필요에 따라 flexible하게 적용한다면 roll-to-roll 디스플레이로의 응용도 충분히 가능 <특징 및 장점>본 기술에서는 모든 공정이 실온(Room Temperature)에서 진행이 되기 때문에 현재의 박막 증착 공정과는 달리 온도에 대한 제약이 없게 된다. 특히 Plasma ON/OFF 방법을 이용한 Sputtering법은 실온에서 박막의 증착을 가능하게 해준다. 그리고 Ce metal 층은 Laser 조사 시 열에 대한 기판과 박막 보호 효과를 가지고 CeO2 씨앗층을 이용한 poly-Si 성장법은 CeO2가 Silicon과 격자상수가 유사하고 구조적으로 안정하기 때문에 플라스틱 기판 위에서 poly-Si이 성장되는데 많은 장점이 된다결론적으로, 플라스틱 기판의 기계적, 화학적 성질에 대한 신뢰감으로 인해 제품의 질이 향상되고, 우수한 성능을 갖는 박막트랜지스터를 생산할 수 있는 효과가 있으며, 본 기술을 바탕으로 차세대 평판형 디스플레이 제품 및 유기 EL 디스플레이 소자 등에 응용할 수 있다.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 RF 매처에 사용되는 임피던스 정합장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 반도체 제조 장비의 핵심부품인 매처에 관한 것으로, 특히 챔버의 임피던스 정합을 위한 임피던스 정합장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 매처의 정합 소자인 에어 케패시터를 다중 접지 방법을 사용하여 제작함으로써 잦은 정역 동작 및 고전력 사용을 위한 접지 방법을 개선함으로써 RF 매처의 아크 및 접지의 소손의 문제로 인한 수명저하의 문제점을 해결할 수 있으며, 이를 통한 RF 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 프로세스의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.본 발명은 RF 매처에 사용되는 임피던스 정합장치의 개패시터 고정 블레이드와 가변 블레이드에 있어서 , 상기 고정 블레이드와 가변 블레이드를 조립하기 위해서 고정형 지그에 블레이드 축의 흔들림을 방지하기 위한 축고정 나사를 조립하고, 상기 축고정 나사위에 접지휠이 설치되고, 상시 접지휠은 접지휠 얼라이너와 체결되고, 상기 접지휠에 축에 일정한 탄성을 주기위한 원통형의 탄성스프링이 설치되고, 상기 탄성스프링위에 접지베어링이 조립되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 접지 방법은 접지베어링과 탄성스프링 및 접지휠이 3단 접지구조로 결합되는 것이 바람직하다. 상기 탄성스프링은 축이 아래/위로 움직이는 것을 방지하여 고정형 블레이드와 가변형 블레이드가 서로 부딪치는 것을 방지하기 위해 6개의 탄성날개가 일정하게 축을 받쳐주는 것을 특징으로 한다.
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- 호서대학교
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- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
감광액을 도포하는 공정에는 스핀 코팅과 슬릿코팅이 사용되고 있는데, 스핀코팅 방식은 기판에 형성된 도포막의 두꼐에 비해 감광액의 소모량이 너무 많아 비효율적이고, 슬릿코팅은 감광액의 휘발성분과 마이크로 버블이 도포막 내에 혼재되어, 감압건조 과정 중 휘발성분의 휘발 또는 마이크로 버블의 파괴에 의해 도포막의 두께가 불규칙하게 형성되는 문제점이 있다. 그로 인해, 도포공정에서의 불량율이 상승됨으로써 기판의 생산성이 저하되는 결과를 초래한다. 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 감광액에 포함되어 있는 휘발성분 및 마이크로 버블을 제거할 수 있는 감광액 도포장치를 제공하고자 하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 감광액수용부에 수용되는 감광액의 휘발성분 및 마이크로 버블을 효율적으로 제거할 수 있어, 감압건조 공정시 기판에 형성된 도포막의 균일도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 그로인해, 감광액 도포장치의 기능성 및 사용성을 보다 향상시킬 수 있다.감광액 도포장치에 관한 것으로서, 몸체부와; 몸체부 내에 형성되어, 감광액공급유닛으로부터 공급되는 감광액을 수용하는 감광액수용부와; 감광액수용부의 하측에 연통되어, 기판에 감광액을 분사하는 감광액분사부와; 감광액수용부 내에 수용되는 감광앧에 진동을 발생시키는 진동발생부와; 감광액수용부의 상측에 연동되어, 진동발생부를 통해 발생된 진동에 의해 감광액으로부터 증발되는 휘발성분 및 버블이 배출되는 배출부를 포함하여 구성된다.
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- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
웨이퍼 이송장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이송방법에 관한 것으로, 이 웨이퍼 이송장치는 모터에 구성된 이송 아암 또는 벨트의 1차 임펄스를 측정 저장한 후 2차 임펄스를 측정하여 1,2차 임펄스를 중첩으로 사용함으로써 모터 구동을 제어하는 입력성형기를 포함하여 구성된 진동감쇠장치가 구성되어 잔류 진동을 감쇠하는 것이다. 또한, 상기 웨이퍼의 이송방법은 입력성형기로 구성된 진동감쇠장치에 의해 상기 이송 아암 또는 벨트의 1차 임펄스를 측정하고, 상기 1차 임펄스를 저장한 후 2차 임펄스를 측정하여 저장하며, 상기 2차 임펄스를 저장한 후 저장된 1,2차 임펄스를 중첩하고, 상기 중첩 단계 후 중첩되어 감쇠된 임펄스로서 상기 모터의 구동을 제어하여 잔류진동을 감쇠하는 것이다.본 발명은 종래 웨이퍼 이송장치가 갖는 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 구동 모터에 입력성형을 통한 진동감쇠장치를 적용함으로써 웨이퍼 위치 제어의 사이클 시간을 최적화하고, 웨이퍼 이송장치의 잔류 진동을 감소시키며, 웨이퍼 자중에 의한 웨이퍼 중앙의 쳐짐을 예방함과 아울러 면적을 최적화한 구조로 설계할 수 있고, 이에 따라 이송 아암의 불필요한 동작을 제거함으로써 작업라인에서 최적의 작업시간을 얻을 수 있는 것이다.
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- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
<구성 및 원리>본 기술은 이온빔 대신에 중성빔을 사용하며, 반도체 식각가스의 공급 및 중성빔의 조사를 정밀히 제어하여 피식각물질층에 대한 식각을 원자단위로 제어함으로써 식각 깊이를 원자 단위로 제어하고, 피식각물질층에 대한 식각 손상을 최소화할 수 있는 중성빔을 이용한 층대층 식각장치 및 식각방법이다.본 기술에 따른 층대층 식각방법은, 피식각층이 노출된 피식각기판을 반층챔버내의 스테이지상에 로딩하는 단계, 상기 반응챔버내로 식각가스를 공급하여 상기 노출된 피식각층의 표면 상에 식각가스를 흡착시키는 단계, 상기 흡착되고 남은 과잉의 식각가스를 제거하는 단계, 상기 식각가스가 흡착된 피식각층에 중성빔을 조사시키는 단계 및 상기 중성빔 조사에 의해 발생된 식각부산물을 제거하는 단계를 포함한다.<배경>반도체 소자의 고집적화에 대한 요구가 계속되어짐에 따라 최근 반도체 집적회로의 설계에서 디자인룰이 더욱 감소되어 0.25um이하의 임계치수가 요구되기에 이르렀으며, 이러한 나노미터급 반도체 소자를 구현하기 위한 식각장비로서 고밀도 플라즈마 식각장치, 반응성 이온 식각장치 등의 이온 강화용 식각장비가 주로 사용되고 있다. 그러나 이러한 식각장비에서는 식각공정을 수행하기 위한 다량의 이온들이 존재하고, 이들 이온들이 수백eV의 에너지로 반도체기판 또는 반도체기판상의 특정물질층에 충돌되기 때문에 반도체 기판이나 이러한 특정 물질층에 물리적, 전기적 손상을 야기 시켜 이를 해결하고 자 함.*기술의 장점이온빔 대신에 중성빔을 사용하며, 식각가스의 공급 및 중성빔의 조사를 정밀히 제어하여 피식각물질층에 대한 식각을 원자단위로 제어함으로써 1. 식각 깊이를 원자 단위로 제어2. 피식각 물질층에 대한 식각 손상을 최소화할 수 있는 중성빔을 이용한 층대층 식각장치 및 식각방법을 개발3. 본 기술의 중성빔 발생부는 다양한 형태로 제공 될 수 있음. 또한 피식각물질층에 따라 식각가스 및 중성빔의 소오스 스가 다양하게 선택되어 사용될 수 있음.*적용제품-반도채 식각 장비
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
<원리 및 구성>본 기술의 식각장치는, 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시킬 수 있는 이온소오스, 상기 이온소오스의 말단에 위치하며, 이온빔이 통과하는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드, 상기 그리드와 밀착되어 있으며, 상기 그리드내의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함한다.<중요성 및 독창성>본 기술을 통하여 차차세대의 실행될 nano device의 구현을 가능하게 하며 부수적으로 차세대 MEMS, Biosensor등의 타분야에도 응용할 수 있는 신개념의 극미세패턴의 식각기술이 창출될 것이다.<적용 제품>본 기술의 반도체 식각용 장비 및 공정은 차후세대에 적용하기 위한 장비 및 공정의 개발에 적용가능<특징 및 장점>-현재 국가의 3대 수출산업인 반도체 산업에 있어서 중요한 기술중의 한가지인 반도체 식각기술에 대한 원천기술의 확보 가능-이와같은 기술의 확보는 앞으로 반도체 산업의 진정한 국산화 및 원천기술의 확보면에서 중요하고 또한 국가의 경제기반을 확보하는 차원에서도 중요-특히 현재에 기술적 우의를 지키고 있는 반도체 메모리소자분야에서 외국 기술의 습득이 아닌 기술적 주도와 우의 점유 가능-또한 신개념의 극미세패턴을 위한 etching 기술의 선점은 물론 식각장비의 제조산업분야에도 응용가능
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 실리콘 및 화합물 반도체의 이온빔 식각장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 이온빔 식각방법은, 식각가스 밸브를 조절하여 샤워링을 통해 일정 시간동안 진공챔버 내에 식각가스를 유입시키는 단계와, 일정 시간후 식각가스 밸브를 닫고 상기 진공챔버에 형성된 가스 배출구를 통해 진공챔버 내에 남아있는 식각가스를 제거하는 단계와, 셔터를 개방하여 아르곤(Ar) 이온빔을 조사시켜서 휘발성 식각 부산물의 형태로 식각하는 단계 및 상기 진공챔버의 가스 배출구를 통해 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 단계들은 주기적이고 반복적으로 수행된다.따라서, 아르곤(Ar) 이온빔을 조절하여 기판에 조사되도록 하는 셔터 및 식각가스 주입을 조절하기 위한 식각가스 밸브를 포함하는 이온빔 식각장치 및 이를 이용한 식각방법을 통해 실리콘 및 화합물 반도체 소자의 식각을 원자단위로 정밀하게 조절하여 물리적 손상을 줄일 수 있는 효과가 있다.아르곤(Ar) 가스의 양을 조절하기 위한 아르곤 가스 밸브와; 상기 아르곤 가스 밸브와 연동되며 아르곤 이온빔을 발생시키는 이온빔 발생장치; 상기 아르곤 이온빔을 조절하여 기판에 조사되도록 하는 셔터와; 진공챔버 내에서 형성되어 식각가스가 유입되는 샤워링과; 상기 샤워링과 연동되어 유입되는 식각가스를 조절하기 위한 식각가스 밸브와; 상기 아르곤 가스 밸브, 식각가스 밸브 및 셔터와 결합되어 상기 진공챔버 내로 유입되는 식각가스와 아르곤 이온빔을 조절하는 밸브/셔터 컨트롤 컴퓨터; 및 냉각수를 통해 상기 진공챔버의 진공상태를 유지시키는 터보 펌프; 를 포함하는 실리콘 및 화합물 반도체의 이온빔 식각장치.
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- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
초음파 건식 세정기의 세정헤드 냉각 및 가스 분사장치에 관한 것으로서, 특히 초음파 헤드의 외곽을 감싸면서 그 초음파 헤드와의 사이에 일정 간극을 갖도록 분사커버를 형성하고, 상기 분사커버의 출구측에는 매질(가스)이 기판을 향해 배출되도록 하는 분사구를 형성하며, 상기 분사커버의 도중에는 일정양의 매질이 머무를 수 있도록 일정크기의 냉각챔버를 형성하므로서, 반도체 제조공정 또는 에시디 패널 제조공정 중에 기판(웨이퍼 또는 그레스) 표면에 붙어있는 불순물을 효율적으로 제거하여 세정 처리할 수 있음은 물론 장시간 연속적으로 초음파 헤드를 사용하더라도 분사커버를 통과하는 저온의 매질에 의해 초음파헤드가 효율적으로 냉각되어 과열에 의한 고장을 방지할 수 있도록 한 초음파 건식 세정기의 세정헤드 냉각 및 가스 분사장치에 관한 것이다.초음파 건식 세정기의 세정헤드 냉각 및 가스 분사장치에 관한 것으로서, 반도체 제조공정 또는 에시티 패널 제조공정 중에 기판(웨이퍼 또는 그레스) 표면에 붙어있는 불순물을 효율적으로 제거하여 세정 처리할 수 있음은 물론 장시간 연속적으로 초음파 헤드를 사용하더라도 분사커버를 통과하는 저온의 매질에 의해 초음파헤드가 효율적으로 냉각되어 과열에 의한 고장을 방지할 수 있도록 한 초음파 건식 세정기의 세정헤드 냉각 및 가스 분사장치를 제공하는 효과를 기대할 수 있다.
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- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
초미세 반도체소자를 제조하기 위하여 실리콘벌크를 에칭하는 장치에 관한 것으로, 에칭 액을 수용하여 반도체벌크를 에칭하는 에칭 조가 전열찬 위에 얹혀져 지지되고, 상기 전열판은 내부에 유도코일을 구비하여 외부전원을 공급받아서 유도전류로써 발열하여 상기 에칭 조에 전열함으로써 에칭 액을 가열하며, 상기 에칭 조에는 외부전원에 의해 초음파를 발생시켜 상기 에칭조 내부의 에칭 액을 진동시킴으로써 교반하는 초음파발생기가 구비된다.따라서 초음파발생기에서 제공되는 초음파에 의해 에칭 액이 교반됨으로써 에칭 액의 농도가 에칭 조안에서 위치와 관계없이 균일하게 유지되어 에칭 품질을 일정하게 유지하게 된다.에칭 액의 농도저하를 방지하기 위하여 별도의 침적물 제거제를 사용하지 않으므로 원가를 절감할 수 있고 농도를 측정하기 위한 별도의 보조장치를 사용하지 않으므로 구조가 간단하다. 뿐만아니라 에칭 액을 교반하기 위한 장치로서 마그네틱 바아와 이 마그네틱 바아를 움직이기 위한 장치대신에 초음파발생장치를 사용함으로써 간단한 구조로써 에칭 액을 효과적으로 교반함으로써 에칭 액의 농도불균일을 해소하여 에칭 조 전체에 걸쳐 에칭 액 농도를 균일하게 유지할 수 있다. 이에 따라 에칭 조에 배치된 위치에 따라 에칭품질에 편차를 일으키는 단점을 해소할 수 있다.
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- 호서대학교
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- 2006-05-12
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
대면적처리용 내장형 선형안테나를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 대해 개시한다. 본 발명은, 반응챔버와, 유도전력이 인가되며, 상기 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 상기 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비되거나, 일측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속시키고, 반응챔버 내부의 인접된 선형안테나 사이마다 또 다른 선형안테나를 다수 구비하여 타측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속된 선형안테나 및 상기 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 상기 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 선형안테나와 자성체의 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 충돌 확률이 높아 RF 전력의 증가에 따른 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소하고, 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 또한 초대면적 플라즈마 공정을 위한 플라즈마 균일도도 10 % 이내에서 유지될 수 있는 장점이 있다.반응챔버; 유도전력이 인가되며, 상기 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 상기 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비된 선형안테나; 및 상기 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 상기 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체; 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적처리용 내장형 선형안테나를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 있어서,상기 자성체는 상기 선형 안테나와 선형 안테나 사이에 평행하게 하 방향으로 배치되며, 상기 인접한 선형 안테나 사이에 극성이 다른 2개의 선형 자성체인 것을 특징으로 하는 대면적처리용 내장형 선형안테나를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치.반응챔버와, 유도전력이 인가되며, 상기 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 상기 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비되거나, 일측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속시키고, 반응챔버 내부의 인접된 선형안테나 사이마다 또 다른 선형안테나를 다수 구비하여 타측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속된 선형안테나 및 상기 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 상기 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 선형안테나와 자성체의 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 충돌 확률이 높아 RF 전력의 증가에 따른 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소하고, 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 또한 초대면적 플라즈마 공정을 위한 플라즈마 균일도도 10 % 이내에서 유지될 수 있는 장점이 있다.
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- 성균관대학교
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- 2006-05-22
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 구성본 기술은 중성빔을 이용한 반도체 식각장치에 관한 것으로, 중성빔 식각장치에 있어서, 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체를 포함하여 이루어진 것으로, 종래보다 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고, 또한 중성빔의 방향 제어가 용이하다. 외주연에 다수의 유도코일(RF COIL)이 권회되어 구성된 이온소스와; 다수의 그리드홀이 형성된 채 이온소스의 일측에 설치되어 이온빔을 가속시키는 그리드와; 그리드홀을 통해 입사되는 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하여 이루어진 중성빔 식각장치에 있어서,상기 반사체(6)의 내측에 슬릿부(62)가 일체로 성형되고,상기 슬릿부(62)는 그리드홀(42)에 대응되며 일정 각도로 경사지게 형성된 복수개의 반사면(64)을 포함하여 이루어지며,상기 반사면(64)은 10°이하의 경사각으로 형성시킴으로써 식각속도를 최적화시킨 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치.*기술의 장점본 기술을 통하여 차세대의 실행될 나노소자의 구현을 가능하게 하며 부수적으로 차세대 MEMS, Biosensor등의 타분야에도 응용할 수 있는 신개념의 극미세패턴의 식각기술이 창출될 것이다. 특히 현재에 기술적 우의를 지키고 있는 반도체 메모리소자분야에서 외국 기술의 습득이 아닌 기술적 주도와 우의를 지켜나갈 수 있을 것이다. 또한 신개념의 극미세패턴을 위한 식각기술의 선점은 물론 식각장비의 제조산업분야에도 큰 파장을 불러 일으킬 것이다. 본 연구를 통하여 확보된 최첨단의 플라즈마소오스, 이온빔 소오스등의 장비제작
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- 성균관대학교
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- 2006-05-30
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 구성본 기술은 자기장을 이용한 초대면적 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 식각 기판이 장착되는 스테이지가 구비된 반응챔버와; 다수의 안테나 봉이 연결된 제1 및 제2안테나가 서로 대향 교차되되 병렬로 배치되어 구성된 안테나 소오스;로 이루어진 유도결합 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 안테나 봉은 상부에 복수개의 자성체가 구비되어 안테나 소오스를 구성하도록 함으로써 플라즈마 균일도를 증가시킬 수 있고, 기판의 크기에 따라 안테나의 간격을 조절할 수 있어 향상된 균일도를 유지시킬 수 있다. 식각 기판이 장착되는 스테이지가 구비된 반응챔버; 다수의 안테나 봉이 연결된 제1 및 제2안테나가 서로 대향 교차되되 병렬로 배치되어 구성된 안테나 소오스;로 구성된 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 각각의 안테나 봉(410)(420)은 상부에 복수개의 자성체(6)가 구비되어 안테나 소오스(4)를 구성하도록 한 것을 특징으로 하는 자기장을 이용한 초대면적 플라즈마 발생장치.*기술의 장점첫째, 초대면적 처리용 유도 결합 플라즈마 소오스의 발명에 의해 반도체 소자의 제조공정 뿐만 아니라 대면적의 평판 패널 디스플레이(FPD) 장치의 제조공정에서 대면적에 걸친 균일한 플라즈마 형성에 이르기 까지 지대한 효과를 볼 수 있을 것으로 예상둘째, 최근에 실리콘 웨이퍼의 직경이 300mm로 대면적화 되고 있으며, 평판 패널 디스플레이 기판의 면적도 대면적화 되고 있고, 또한 박막 트랜지스터 액정 표시장치(LCD) 생산에서 건식 식각장치의 역할은 앞으로 더욱 커질 것으로 예상
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- 성균관대학교
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- 2006-05-30
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 반도체 패키지와 같은 소형 전자부품의 BGA 공정에서 발생하는 플럭스 등의 이물질을 세척하는 장치에 관한 것이다. 특히 본 발명은 반도체 패키지와 같은 제품을 상하부 콘베이어벨트(7,9)에 실어 세척수가 저장된 세척조(22)안으로 이송시키면서 초음파 발생장치(26)에서 발생시킨 초음파로써 그 제품의 이물질을 세척하고, 초음파세척된 제품을 린싱부(30)를 통과시키면서 2차로 세척한 다음, 송풍기(46)의 공기를 공기분사 노즐(42a,44a)을 통하여 제품의 상하측으로 분사시켜 제품에 묻어 있는 물기를 1차로 제거하고, 물기가 1차 제거된 제품을 하부 콘베이어벨트(9)에 실어 상하측에 구비된 1쌍의 전열히터(52)를 통과시키면서 그 전열히터(52)의 열로써 제품에 잔류하는 수분을 완전히 제거한다. 이렇게 구성된 본 발명의 세척장치는 인체에 무해한 초음파로써 이물질을 세척하므로 작업환경을 개선할 수 있고, 콘베이어벨트가 초음파 세척부를 통과할 수 있도록 구조 개선함으로써 연속적인 세척작업을 수행할 수 있어 공정효율을 향상시킬 수 있으며, 특히 콘베이어벨트의 구조를 개선하여 작은 제품도 낙하시킴없이 안정되게 세척할 수 있다.케이싱(1)에 지지되어 모터에 의해 회전하는 복수개의 이송롤러(3)들에 의해 무한궤도식으로 이동하는 하부 콘베이어벨트(9)와; 상기 하부 콘베이어벨트(9)의 위쪽에서 하부 콘베이어벨트(9)와 포개어지게 배치되고, 상기 모터에 의해 회전하는 복수개의 이송롤러(5)들에 의해 지지되어 무한궤도식으로 이동하는 상부 콘베이어벨트(7)와; 서로 포개어져 이동하는 상기 상하부 콘베이어벨트(7,9)가 측벽을 관통하여 통과하게 되어 있고, 내부에는 세척수 공급펌프(36)에서 공급되는 세척수를 일정수위만큼 저장한 세척조(22)와, 상기 세척조(22) 내부에 설치되어 세척조(22)를 통과하는 제품에 초음파를 작용시켜 초음파 세척하는 초음파 발생장치(26)와, 상기 세척조(22)의 일정 수위이상으로 넘쳐 흘러나오는 세척수를 받아서 저장하는 저장조(24)로 이루어진 초음파 세척부(20)와; 상기 초음파 세척부(20)에 연속하여 배치되어 상기 상하부 콘베이어벨트(7,9)를 수평방향으로 통과시키며, 상기 상하부 콘베이어벨트(7,9)의 상하측에서 상기 각 콘베이어벨트(7,9)쪽으로 향하는 복수개의 분사노즐(32a)을 구비한 복수개의 노즐관(32,34)과, 상기 노즐관(32,34)에 세척수를 공급하는 펌프(36)로 이루어진 린싱부(30)와; 상기 린싱부(30)에 연속하여 배치되어 상기 상하부 콘베이어벨트(7,9)를 수평방향으로 통과시키고, 상기 상하부 콘베이어벨트(7,9)의 상하측에서 상기 각 콘 베이어벨트(7,9)쪽으로 향하는 복수개의 공기분사노즐(42a,44a)을 구비한 복수개의 공기공급관(42,44)과, 상기 공기공급관(42,44)에 압축공기를 공급하는 송풍기(46)로 이루어진 공기분사 건조부(40)와; 상기 공기분사 건조부(40)에 연속하여 배치되어 상기 하부 콘베이어벨트(9)를 수평방향으로 통과시키고, 상기 하부 콘베이어벨트(9)의 상하측에 각각 전열히터(52)를 구비하여 하부 콘베이어벨트(9)에 실려 이송되는 제품을 가열건조시키는 가열건조부(50);를 포함한 반도체 패키지의 세척장치.
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- 2006-06-12
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 구성무전해도금방식을 이용한 반도체 소자의 구리배선 형성방법에 대해 개시한다. 본 기술의 무전해도금방식을 이용한 반도체 소자의 구리배선 형성방법은, 오염원 제거 및 구리의 균일증착을 위해 세정공정을 진행하는 제1 단계; 상기 구리가 증착되는 영역에서 자발적인 촉매 활성화 경향을 뛰도록 금속촉매로 전처리함과 동시에 공정온도를 변화시켜 웨이퍼 표면과 배선이 형성될 영역에서 서로 다른 결합력과 크기를 갖는 금속촉매 전처리용액으로 촉매입자를 성장시키는 제2 단계; 상기 웨이퍼 표면에서 금속촉매를 제거하기 위해 세정하는 제3 단계; 및 상기 제3 단계의 결과물에 구리 무전해도금 용액에 의해 금속촉매가 형성된 영역에서 구리를 성장시키는 제4 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 진공장비를 이용한 전처리공정을 습식공정으로 대체함으로써 공정이 비교적 간단하고 공정비용이 상당히 절감되는 효과를 기대할 수 있다. 또한, 배선 내에만 선택적으로 구리를 성장시킴으로서 후속공정인 웨이퍼 평탄화공정을 생략할 수 있는 효과를 가지고 있다. 그리고, 기존에 제시되어왔던 자외선 사진공정(Ultra-violet radiation photo-process)을 이용한 선택적인 구리성장방법들과 비교해서도 공정이 단순하다는 장점을 가지고 있다*기술의 장점본 기술은 반도체 디바이스의 금속배선공정에 적용이 되는 공정으로서 현재는 Logic device에 적용이 우선 시 되고 있지만 앞으로 Memory device의 금속배선 공정에도 쉽게 적용될 수 있다. 또한 앞으로 소자의 케이트 부분의 금속도 구리로 전환될 수 있음으로서 본 발명의 선택적 구리성장 기술이 이용될 수 있다.또한, 현재 Logic device생산에 있어서 구리습식공정 중 하나인 전해도금이 실제 적용이 되고 있다. 본 발명이 실제 공정에 적용이 되면 디바이스 공정수의 획기적인 축소와 공정비용을 상당히 줄일 수 있으며 보다 우수한 성질의 구리 배선을 할 수가 있다. 앞으로 디바이스의 금속 배선이 절대적으로 구리로 전환되는 추세이므로 시장성은 상당히 높다
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- 성균관대학교
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- 2006-05-30
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 구성본 기술은 초대면적에 대하여 플라즈마 밀도, 플라즈마 균일도 및 플라즈마 포텐셜 등 플라즈마 특성을 향상시킬 수 있는 자장이 인가된 내장형 선형 안테나를 구비하는 유도 결합 플라즈마 소오스에 관한 것이다. 본 기술의 유도 결합 플라즈마 소오스는, 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 배치되며, 서로 직렬 혹은 병렬 연결된 유도전력이 인가되는 복수개의 선형 안테나들 및 상기 복수개의 선형 안테나들로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자의 나선운동을 촉진시키도록 상기 선형 안테나들에 인접하여 배치된 적어도 하나의 자석을 포함한다. *중요성 및 독창성 본 기술을 통하여 차세대 디스플레이 패널 및 반도체 소자공정의 기반이 되는 새로운 초대면적 플라즈마 소스의 원천기술을 확보함으로써 현재 국가의 첨단산업인 반도체소자 및 디스플레이 패널제조에 있어서 단순 외국 기술의 습득이 아닌 기술적 주도와 우의를 지켜나갈 수 있을 것이다. *배경 종래의 고밀도 플라즈마중에서 가장 광범위하게 연구 및 사용되어지고있는 플라즈마소스는 반응챔버 상측 외부에 유전물질을 개재한채로 나선형의 안테나를 이용한 외장형 유도결합 플라즈마 소스이나, 반응챔버의 크기가 대면적화됨에따라 전력전달효율의 감소 및 대형화된 유전물질의 비용 및 제작의 어려움을 가지고 있어 이를 해결하고자 함.*기술의 특징 초대면적 플라즈마 공정을 위하여 내장형 선형 안테나와 영구 자석을 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 높아짐. 따라서 RF 전력의 증가에 따라 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소-> 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 초대면적 플라즈마 공정 균일도를 10%로 유지 할 수 있음. *기술의 장점 본 기술은 반도체소자 및 디스플레이 패널제조의 핵심장비를 국내에서 제작 가능하게 되므로 1. 새로운 공정개발에 요구되는 장비개조 용이2. 이에 따른 공정개발도 자유로와 새로운 대면적 소자적용 공정기술의 선점이 가능*주요적용 제품-차세대 평판디스플레이-차세대 반도체 소자 적용 식각공정기술
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- 2006-05-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
* 원리와 구성본 기술의 유도 결합 플라즈마 소오스는, 반응챔버와 상기 반응챔버의 상부 외측에 형성된 유전물질층 및 상기 유전물질층 상에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 배치되어 있으며, 유도전력이 인가되어 전기장을 형성하는 복수개의 선형 안테나들을 포함하며, 상기 선형 안테나에 인접하여 배치된 적어도 하나의 자기장 발생부를 더 포함한다. * 배경 일반적으로 루프 또는 직선형의 안테나를 플라즈마가 형성되는 반응챔버의 내측으로 삽입한 내장형 유도결합 플라즈마 소스의 경우 높은 안테나 전압에 의한 높은 플라즈마 포텐셜 및 안테나물질의 스퍼터링에 의한 오염 그리고 방전이 불안정한 문제점을 안고 있다. 본 기술에서는 대면적 플라즈마 발생기술에 있어서 종래의 외장형 유도결합 플라즈마가 지니는 문제점 및 내장형 유도결합 플라즈마 소스 기술의 문제점을 동시에 해결하고자 하였다. * 중요성 및 독창성 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있도록 상대적으로 상호 인덕턴스값이 낮은 외장형 선형 안테나를 이용하여 낮은 플라즈마 밀도를 보상하고 이를 위하여 외부자장을 이용하여 플라즈마의 밀도를 높일 수 있는 대면적 처리용 유도 결합 플라즈마 소오스를 그 주 내용으로 한다.* 적용제품 및 경쟁제품 - 차세대 TFT-LCD를 비롯한 평판디스플레이 및 차세대 반도체 소자에의 적용 식각공정기술- 차세대 디스플레이용 flexible기판이나 유리기판용 건식세정 및 플라즈마 증착공정기술- 대면적 고밀도 플라즈마가 요구되는 MEMS식각, Ⅲ-Ⅴ계 화합물식각, 그 외 플라즈마 응용공정* 특징 및 장점 반도체 소자의 제조공정 뿐만 아니라 대면적의 평판 패널 디스플레이(FPD) 장치의 제조공정에서 대면적에 걸친 균일한 플라즈마 형성에 이르기 까지 지대한 효과를 볼 수 있다
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- 2006-05-30
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